- •Транзистор в схеме с общей базой
- •1. Краткие теоретические сведения
- •2. Основные характеристики и параметры биполярного транзистора
- •3. Предварительное задание
- •4. Экспериментальная часть
- •Лабораторное задание
- •Малосигнальные параметры транзисторов
- •Основные параметры транзисторов
- •5. Обработка экспериментальных данных
- •6. Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
2. Основные характеристики и параметры биполярного транзистора
Вольт-амперные характеристики (рис. 3.2) содержат информацию о свойствах транзистора во всех режимах работы при больших и малых сигналах. По вольт-амперным характеристикам можно определить статические параметры транзисторов и параметры в режиме усиления. В основном используются два семейства вольт-амперных характеристик: входные и выходные.
Входные характеристики представляют собой зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном напряжении на коллекторе (рис. 3.2, а). Входные характеристики транзистора аналогичны характеристикам диода в прямом включении. При повышении температуры они смещаются в область меньших входных напряжений. Смещение характеристик при изменении напряжения на коллекторе объясняется эффектом модуляции ширины базы (эффектом Эрли). Однако, при оно незначительно.
а б
Рис. 3.2. Входные (а) и выходные (б) характеристики
транзистора с общей базой
Выходные характеристики устанавливают зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном токе входного электрода (рис. 3.2, б). Отличительной особенностью выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой, является слабая зависимость тока коллектора от напряжения на нём. При повышении температуры выходные характеристики смещаются в сторону больших токов из-за увеличения обратного тока коллекторного перехода.
Малосигнальные (дифференциальные) параметры характеризуют работу транзистора при воздействии малого сигнала, т.е. сигнала, возрастание амплитуды которого в 1,5 раза приводит к незначительному изменению параметра (обычно не более чем на 10 %). При воздействии малого сигнала транзистор рассматривают как активный линейный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов общий для входа и выхода.
В соответствии с теорией четырехполюсников входные и выходные напряжения и токи однозначно связаны между собой системой двух уравнений, содержащей набор из четырех параметров.
Широкое распространение получила система h-параметров. В этой системе уравнения четырехполюсника можно записать в виде
Здесь
роткозамкнутом
выходе;
при
разомкнутом входе;
замкнутом
выходе;
входе;
h-параметры при включении транзистора по схеме с общей базой или общим эмиттером связаны между собой формулами
Для наиболее часто используемых параметров введены дополнительные обозначения: . Причем и связаны выражением .
3. Предварительное задание
1. Постройте семейство статических входных характеристик . Исходные данные приведены в таблице 3.1.
Т а б л и ц а 3.1
Iэ, мА |
0 |
0,25 |
0,5 |
0,75 |
1 |
1,25 |
1,5 |
1,75 |
2 |
2,25 |
2,5 |
2,75 |
3 |
3,25 |
3,5 |
3,75 |
4 |
Uэб (Uкб=0), В |
0 |
0,25 |
0,31 |
0,334 |
0,348 |
0,358 |
0,368 |
0,378 |
0,387 |
0,396 |
0,405 |
0,414 |
0,422 |
0,43 |
0,438 |
0,446 |
0,453 |
Uэб (Uкб=-5), В |
0 |
0,15 |
0,18 |
0,2 |
0,21 |
0,22 |
0,23 |
0,238 |
0,245 |
0,25 |
0,255 |
0,26 |
0,265 |
0,27 |
0,275 |
0,28 |
0,285 |
Uэб (Uкб=-10), В |
0 |
0,1 |
0,158 |
0,18 |
0,195 |
0,205 |
0,214 |
0,221 |
0,228 |
0,235 |
0,241 |
0,247 |
0,253 |
0,258 |
0,263 |
0,268 |
0,273 |
2. Постройте семейство статических выходных характеристик . Исходные данные в таблице 3.2.
Т а б л и ц а 3.2
Uкб, В |
-0,3 |
-0,2 |
-0,1 |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
Iк (Iэ =1 ), мА |
0 |
0,4 |
0,78 |
0,96 |
0,961 |
0,962 |
0,963 |
0,964 |
0,965 |
0,966 |
Iк (Iэ =2 ), мА |
0 |
1,5 |
1,68 |
1,922 |
1,92 |
1,926 |
1,928 |
1,93 |
1,932 |
1,934 |
Iк (Iэ =3 ), мА |
0 |
2,6 |
2,78 |
2,89 |
2,889 |
2,892 |
2,895 |
2,898 |
2,901 |
2,904 |
Iк (Iэ =4 ), мА |
0 |
3,7 |
3,8 |
3,852 |
3,856 |
3,86 |
3,864 |
3,868 |
3,872 |
3,876 |
Iк (Iэ =5 ), мА |
0 |
4,75 |
4,83 |
4,82 |
4,825 |
4,83 |
4,835 |
4,84 |
4,845 |
4,85 |
3. Вычислите h-параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой (3.2). Вычисления проведите по таблицам и графикам ВАХ относительно рабочей точки, которая задана для различных вариантов в таблице 3.3.
Указание. На графиках ВАХ необходимо отметить требуемые для расчётов приращения токов и напряжений.
Т а б л и ц а 3.3
№ варианта |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
Uкб р, В |
4 |
6 |
8 |
4 |
6 |
8 |
4 |
6 |
8 |
10 |
Iэ р, мА |
2 |
3 |
4 |
3 |
4 |
2 |
4 |
2 |
3 |
3 |
Eк, В |
12 |
12 |
16 |
10 |
14 |
12 |
12 |
10 |
14 |
16 |
Rн, кОм |
4,154 |
2,073 |
2,068 |
2,075 |
2,07 |
2,073 |
2,073 |
2,075 |
2,07 |
2,068 |
4. Определите коэффициенты усиления резистивного усилителя по напряжению и току в рабочей точке. Для этого на графике выходных характеристик постройте нагрузочную прямую
,
где задано в таблица 3.3. Прямая должна пройти через рабочую точку.
Указание. Методика построения нагрузочной прямой и определения дана в пункте 5.3.
5. Рассчитайте коэффициенты усиления исследуемого каскада по h-параметрам и сопротивлению нагрузки Rн. (См. п.5.4.).
6. Результаты выполнения предварительного задания сведите в таблицу 3.4,
Т а б л и ц а 3.4
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где - коэффициенты определеннее графически в п.1.4,
- коэффициенты определеннее по расчётам в п.1.5.