- •Тестовi питання
- •22. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •23. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •24. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •25. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •26. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •27. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •28. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •29. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •30. Запишіть в днф задану табличним способом логічну функцію
- •31.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •32.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •33.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •34.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •35.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •36.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •37.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •38.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •39.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
- •40.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
38.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
-
N
F
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
2
0
1
1
0
3
1
0
0
1
4
1
0
1
1
5
1
1
0
1
6
1
1
0
1
7
1
1
1
0
39.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
-
N
F
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
2
0
1
1
1
3
1
0
0
0
4
1
0
1
1
5
1
1
0
1
6
1
1
0
1
7
1
1
1
1
40.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію
-
N
F
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
2
0
1
1
0
3
1
0
0
1
4
1
0
1
0
5
1
1
0
1
6
1
1
0
1
7
1
1
1
1
41.Мінімізуйте логічну функцію
42.Мінімізуйте логічну функцію
43.Яка з зображених схем є схемою АБО?
44.Яка з зображених схем є схемою I?
45.Яка з зображених схем є схемою АБО-НЕ?
46.Яка з зображених схем є схемою I-НЕ?
47.Яка з зображених схем є схемою ВИКЛЮЧАЮЧЕ-АБО?
48. Нарисуйте схему АБО‚ реалізовану на елементах АБО-НЕ.
49. Нарисуйте схему НЕ‚ реалізовану на елементах АБО-НЕ.
50. Нарисуйте схему I‚ реалізовану на елементах АБО-НЕ.
51. Нарисуйте схему АБО‚ реалізовану на елементах I-НЕ.
52. Нарисуйте схему НЕ‚ реалізовану на елементах I-НЕ.
53. Нарисуйте схему I‚ реалізовану на елементах I-НЕ.
54. Який з перелічених записів є правилом де Моргана?
A Б В
Г Д
55. Який з перелічених записів є правилом де Моргана?
A Б В
Г Д
56. Скільки електронів знаходиться на одному заповненому енергетичному рівні?
А Б В Г Д
1 2 3 4 5
57. Як називається енергетична зона з найвищими дозволеними рівнями енергій?
А Б В Г
Валентна зона Зона провідності Свобідна зона Заборонена зона
58. Яке кристалічне тіло є провідником? В якого:
А Б В Г
Відсутня забо- Ширина 0< <3eV >6eV
ронена зона зменшується
при збільшенні
температури
тіла
59. Яке кристалічне тіло є напівпровідником? В якого:
А Б В Г
Відсутня забо- Ширина 0< <3eV >6eV
ронена зона зменшується
при збільшенні
температури
тіла
60. Яке кристалічне тіло є діелектриком? В якого:
А Б В Г
Відсутня забо- Ширина 0< <3eV >6eV
ронена зона зменшується
при збільшенні
температури
тіла
61. Від чого залежить власна провідність напівпровідника?
А Б В Г Д
температури напруги Концентрації роботи концентрації
акцепторної виходу донорної
домішки електронів домішки
62. Від чого залежить електронна провідність напівпровідника?
А Б В Г Д
температури напруги Концентрації роботи концентрації
акцепторної виходу донорної
домішки електронів домішки
63. Від чого залежить діркова провідність напівпровідника?
А Б В Г Д
температури напруги Концентрації роботи концентрації
акцепторної виходу донорної
домішки електронів домішки
64. Що таке час життя носіїв заряду? Це час:
А Б В Г
руху носіїв заряду руху носіїв на протязі якого між появою носіїв
від одного полюса заряду через концентрація заряду при термо-
джерела до другого р-n перехід неосновних носіїв генерації та ре-
заряду зменшується комбінацією
в е раз
65. Під дією якої рушійної сили відбувається дрейфовий рух носіїв заряду?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
температури |
різниці концентрацій |
освітлення |
різниці температур |
електричного поля |
66. Під дією якої рушійної сили відбувається дифузійний рух носіїв заряду?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
температури |
різниці концентрацій |
освітлення |
різниці температур |
електричного поля |
67. Від чого залежить концентрація основних носіїв заряду?
А |
Б |
В |
Г |
температури |
напруги |
концентрації домішок |
освітлення |
68. Від чого залежить концентрація неосновних носіїв заряду?
А |
Б |
В |
Г |
температури |
напруги |
концентрації акцепторних домішок |
концентрації донорних домішок |
69. Що таке термогенерація?
А |
Б |
В |
Г |
перехід електрона з валентної зони в зону провідності |
вихід електрона з об’єма тіла |
заповнення свобідної дирки валентним електроном |
заповнення свобідної дирки електроном з зони провідності |
70. Що таке рекомбінація?
А |
Б |
В |
Г |
перехід електрона з валентної зони в зону провідності |
вихід електрона з об’єма тіла |
заповнення свобідної дирки валентним електроном |
заповнення свобідної дирки електроном з зони провідності |
71. Порівняйте рухливість електронів і дирок.
А |
Б |
В |
Г |
рухливість електронів вища від рухливості дірок |
рухливості електронів і дірок одинакова |
рухливість дірок вища від рухливості електронів |
рухливість дірок і електронів різна при різних напругах |
72. Яка область р-n структури називається емітером?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
дірковий напівпровідник |
електронний напівпровидник |
напівпровідник з більшою концентрацією основних носіїв |
високоомний напівпровідник |
напівпровідник з меншою концентрацією основних носіїв |
73. Яка область р-n структури називається базою?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
дірковий напівпровідник |
електронний напівпровидник |
напівпровідник з більшою концентрацією основних носіїв |
низькоомний напівпровідник |
напівпровідник з меншою концентрацією основних носіїв |
74. Як потенціальний бар’єр впливає на рух носіїв заряду через р-n перехід?
А |
Б |
В |
Г |
гальмує неосновні і не впливає на основні |
гальмує основні і не впливає на неосновні |
гальмує неосновні і прискорює основні |
гальмує основні і прискорює не основні |
75. Як пряма напруга на р-n переході впливає на рух носіїв заряду через р-n перехід?
А |
Б |
В |
Г |
гальмує неосновні і не впливає на основні |
гальмує основні і не впливає на неосновні |
гальмує неосновні і прискорює основні |
гальмує основні і прискорює не основні |
76. Як обернена напруга на р-n переході впливає на рух носіїв заряду через р-n перехід?
А |
Б |
В |
Г |
гальмує неосновні і не впливає на основні |
гальмує основні і не впливає на неосновні |
гальмує неосновні і прискорює основні |
гальмує основні і прискорює не основні |
77. Чому дорівнює спад напруги на відкритому кремнієвому р-n переході?
А |
Б |
В |
Г |
0 В 0,2...0,4 В 0,6...0,8 В 1...10 В
78. Чому дорівнює спад напруги на відкритому германієвому р-n переході?
А |
Б |
В |
Г |
0 В 0,2...0,4 В 0,6...0,8 В 1...10 В
79. Що відбувається в р-n переході при прямій напрузі на ньому?
А |
Б |
В |
Г |
опір р-n переходу великий і йде малий дифузійний струм |
опір р-n переходу малий і йде великий дифузійний струм |
опір р-n переходу великий і йде малий дрейфовий струм |
опір р-n переходу малий і йде великий дрейфовий струм |
80. Що відбувається в р-n переході при оберненій напрузі на ньому?
А |
Б |
В |
Г |
опір р-n переходу великий і йде малий дифузійний струм |
опір р-n переходу малий і йде великий дифузійний струм |
опір р-n переходу великий і йде малий дрейфовий струм |
опір р-n переходу малий і йде великий дрейфовий струм |
81. Який з пробоїв р-n переходу є незворотнім ?
А |
Б |
В |
Г |
лавинний тунельний тепловий поверхневий
82.Коли відбувається тепловий пробій р-n переходу?
А |
Б |
В |
Г |
коли зовнішня температура перевищує допустиму |
коли обернена напруга на р-n переході перевищує допустиму |
коли пряма напруга на р-n переході перевищує допустиму |
коли струм р-n переходу перевищує допустимий |
83.Коли відбувається лавинний пробій р-n переходу?
А |
Б |
В |
Г |
коли зовнішня температура перевищує допустиму |
коли обернена напруга на р-n переході перевищує допустиму |
коли пряма напруга на р-n переході перевищує допустиму |
коли струм р-n переходу перевищує допустимий |
84.Коли відбувається тунельний пробій р-n переходу?
А |
Б |
В |
Г |
коли зовнішня температура перевищує допустиму |
коли обернена напруга на р-n переході перевищує допустиму |
коли пряма напруга на р-n переході перевищує допустиму |
коли струм р-n переходу перевищує допустимий |
85. Від чого залежить величина бар’єрної ємності р-n переходу?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
від температури |
від прямої напруги на р-n переході |
від оберненої напруги на р-n переході |
від струму через р-n перехід |
від частоти вхідного сигналу |
86. Від чого залежить величина дифузійної ємності р-n переходу?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
від температури |
від прямої напруги на р-n переході |
від оберненої напруги на р-n переході |
від струму через р-n перехід |
від частоти вхідного сигналу |
87. Що відбувається при зростанні бар’єрної ємності діода?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
зростає напруга електричного пробою |
зменшується напруга електричного пробою |
покращується швидкодія |
погіршується швидкодія |
зростає струм діода |
88. Що відбувається при зростанні дифузійної ємності діода?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
зростає напруга електричного пробою |
зменшується напруга електричного пробою |
покращується швидкодія |
погіршується швидкодія |
зростає струм діода |
89. Яке фізичне явище або властивість р-n переходу використовується для побудови стабілітрона?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
термогенерація |
електричний пробій при прямій напрузі на р-n переході |
електричний пробій при обернений напрузі на р-n переході |
бар’єрна ємність |
дифузійна ємність |
90. Яке фізичне явище або властивість р-n переходу використовується для побудови варікапа?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
термогенерація |
електричний пробій при прямій напрузі на р-n переході |
електричний пробій при обернений напрузі на р-n переході |
бар’єрна ємність |
дифузійна ємність |
91. Що є діодом Шоткі?
А |
Б |
В |
Г |
р-n перехід з малою бар’єрною ємністю |
р-n перехід з малою дифузійною ємністю |
випрямний контакт метал-напівпровідник |
невипрямний контакт метал- напівпровідник |
92. Яку основну функцію виконує випрямний діод?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
стабілізує напругу |
пропускає струм тільки в одному напрямку |
виконує роль керованої ємності |
забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом |
забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами |
93. Яку основну функцію виконує стабілітрон?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
стабілізує напругу |
пропускає струм тільки в одному напрямку |
виконує роль керованої ємності |
забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом |
забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами |
94. Яку основну функцію виконує варікап?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
стабілізує напругу |
пропускає струм тільки в одному напрямку |
виконує роль керованої ємності |
забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом |
забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами |
95. Яку основну функцію виконує діодний оптрон?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
стабілізує напругу |
пропускає струм тільки в одному напрямку |
виконує роль керованої ємності |
забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом |
забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами |
96.Яку основну функцію виконує діод Шоткі?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
стабілізує напругу |
виконує роль омічного контакта |
виконує роль керованої ємності |
забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом |
забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами |
97. Яку основну функцію виконує світлодіод?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
випромінює світло при прямій напрузі на р-n переході |
випромінює світло при оберненій напрузі на р-n переході |
при освітленні та прямій напрузі на р-n переході генерує струм |
при освітленні та оберненій напрузі на р-n переході генерує струм |
міняє двосторонню провідність при освітленні |
98. Яку основну функцію виконує фотодіод?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
випромінює світло при прямій напрузі на р-n переході |
випромінює світло при оберненій напрузі на р-n переході |
при освітленні та прямій напрузі на р-n переході генерує струм |
при освітленні та оберненій напрузі на р-n переході генерує струм |
міняє двосторонню провідність при освітленні |
99. Яку основну функцію виконує фоторезистор?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
випромінює світло при прямій напрузі на р-n переході |
випромінює світло при оберненій напрузі на р-n переході |
при освітленні та прямій напрузі на р-n переході генерує струм |
при освітленні та оберненій напрузі на р-n переході генерує струм |
міняє двосторонню провідність при освітленні |
100. Який елемент схеми заміщення діода враховує його динамічні параметри?
А |
Б |
В |
Г |
динамічний (диференціальний) опір відкритого діода |
генератор напруги відсічки |
ємність р-n переходу |
обернений опір закритого діода |
101. Який з зображених діодів є випрямний?
102.Який з зображених діодів є стабілітрон?
103.Який з зображених діодів є варікап?
104.Який з зображених діодів є діод Шоткі?
105. Чим характеризується активний режим роботи транзистора?
А |
Б |
В |
Г |
оба переходи відкриті |
перехід база- емітер відкритий, а база-колектор закритий |
перехід база- емітер закритий, а база-колектор відкритий |
оба переходи закриті |
106. Чим характеризується режим відсічки транзистора?
А |
Б |
В |
Г |
оба переходи відкриті |
перехід база- емітер відкритий, а база-колектор закритий |
перехід база- емітер закритий, а база-колектор відкритий |
оба переходи закриті |
107. Чим характеризується режим насичення транзистора?
А |
Б |
В |
Г |
оба переходи відкриті |
перехід база- емітер відкритий, а база-колектор закритий |
перехід база- емітер закритий, а база-колектор відкритий |
оба переходи закриті |
108. Чим характеризується інверсний режим роботи транзистора?
А |
Б |
В |
Г |
оба переходи відкриті |
перехід база- емітер відкритий, а база-колектор закритий |
перехід база- емітер закритий, а база-колектор відкритий |
оба переходи закриті |
109. Яка ширина бази біполярного транзистора?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
ширина бази і емітера однакові |
ширина бази і колектора однакові |
ширина бази не перевищує довжини пробігу носіїв заряду |
ширина бази більша від ширини емітера |
ширина бази більша від ширини колектора |
110. Яке співвідношення між концентраціями основних носіїв заряду емітера і бази біполярного транзистора?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
= =2 =2 << >>
111. На якому рисунку правильно позначено виводи біполярного транзистора?
112. Вкажіть р-n-р транзистор
113. Вкажіть n-р-n транзистор
114. Яке підсилення має транзистор, ввімкнений по схемі з спільною базою?
А |
Б |
В |
Г |
є підсилення по струму і по напрузі |
відсутнє підсилення по струму і по напрузі |
є підсилення по струму, відсутнє по напрузі |
є підсилення по напрузі, відсутнє по струму |
115. Яке підсилення має транзистор, ввімкнений по схемі з спільним емітером?
А |
Б |
В |
Г |
є підсилення по струму і по напрузі |
відсутнє підсилення по струму і по напрузі |
є підсилення по струму, відсутнє по напрузі |
є підсилення по напрузі, відсутнє по струму |
116. Який з h-параметрів є коефіцієнтом передачі струму?
А Б В Г
117. Яка з характеристик є вхідною для схеми з спільною базою?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
при
|
при
|
при
|
при
|
при
|
118. Яка з характеристик є вхідною для схеми з спільним емітером?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
при
|
при
|
при
|
при
|
при
|
119. Яка з характеристик є вихідною для схеми з спільною базою?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
при
|
при
|
при
|
при
|
при
|
120.Яка з характеристик є вихідною для схеми з спільним емітером?
А |
Б |
В |
Г |
Д |
при
|
при
|
при
|
при
|
при
|