5. Контрольные вопросы.

5.1. Какой сигнал считается малым при определении параметров транзистора?

5.2. Каков физический смысл параметров.

5.3. Как определяется каждый из параметров в настоящей работе?

5.4. укажите путь тока от ЗГ в схеме рис. 3.1 при определении каждого из параметров.

5.5. Почему ЗГ с резистором R4 можно считать генератором тока?

5.6. Каково назначение переключателей П₃¹, П₃², П₃³?

5.7. Как перейти от h-параметров в схеме ОБ к h-параметрам в схемах ОЭ и ОК.

5.8. Расскажите о системах обозначений транзисторов.

6. Литература.

Дулин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977, с. 298-300, 314-315, 318-321.

Батушев В.А. Электронные приборы. В. школа, 1980, с. 129-131.

Прянишников В.А. Электроника. М.: Бином-Пресс, 2006, с. 42-51.

Лабораторная работа №7.

Полевой транзистор.

1. Цель работы.

Снять и изучить статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом для схемы его включения с общим истоком (ОИ). Определить его основные параметры.

2. Описание установки.

В работе используется схема ОБ, предназначенная для исследования биполярных транзисторов (рис. 3.1).

При этом с клеммой «Э» соединяется затвор полевого транзистора, с клеммой «Б» - исток и с клеммой «К» - его сток. Таким образом, получается схема включения ОИ полевого транзистора с каналом типа «Р», изображенная на рис. 5.1.

Предел измерения вольтметра V1 можно расширить до 10 В, для чего переключатель П1 следует поставить в положение «ОИ» (при этом пределы измерения приборов mA₂ и V2 остаются прежними). Для того, чтобы исключить влияние резистора R6, нужно ручку переключателя П3 установить в положение «U2» или «U1», закоротив те самым резистор R6.

В качестве источника питания используется отдельный выпрямитель на (10..12)В либо выпрямитель, находящийся в стенде для питания схемы исследования полупроводниковых диодов.

3. Задание.

3.1. Подготовить установку к работе. Для этого ручки потенциометров R1 и R2 поворачивают влево до упора, к клеммам «Э», «Б» и «К» подключают транзистор КП103М, ручку переключателя П3 устанавливают в положение «U2», а переключателя П2 - в положение i=0, подключают источник питания и включают стенд, повернув ручку переключателя П1 в положение «ОИ».

3.2. Снять семейство выходных характеристик I_c=f(U_СИ)|U_ЗИ=const при значениях U_ЗИ = 3; 2; 5; 2; 1,5; 1В.

3.3. Снять семейство характеристик прямой передачи I_c=f(U_ЗИ)|U_СИ=const при значениях U_CИ =3; 2,5; 2; 1,5В.

3.4. По семействам характеристик вычислить значения крутизны характеристики s, выходного дифференциального сопротивления rвых и коэффициента усиления для номинального режима:

; ;

.

3.5. Определить напряжение насыщения и напряжение отсечки для номинального режима транзистора.

4. Содержание отчета.

4.1. Название работы и ее цель.

4.2. Схема включения транзистора.

4.3. Параметры типового режима транзистора КП103Ж и схема расположения его выводов.

4.4. Результаты измерений и вычислений в виде таблиц, графиков, формул, расчетов.

4.5. Критическая оценка полученных результатов и сопоставление их с данными литературы.

5. Контрольные вопросы.

5.1. Каковы устройство и принцип действия полевого транзистора?

5.2. Какие вы знаете разновидности полевых транзисторов?

5.3. Какие вам известны статические характеристики полевых транзисторов?

5.4. Каковы параметры полевых транзисторов?

5.5. По каким характеристикам и как можно определить основные параметры полевых транзисторов?

5.6. Нарисуйте схемы включения ОИ, ОС и ОЗ полевых транзисторов с р - каналом и с n - каналом.

5.7. Каковы достоинства полевых транзисторов по сравнению с биполярными транхисторами?

6. Литература.

Дулин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977, с. 342-357.

Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 1980, с. 183-211.

Прянишников В.А. Электроника. М.: Бином-Пресс, 2006, с. 52-61.

Лабораторная работа №8.

Исследование зависимости параметров транзистора от режима смещения.

1. Цель работы.

Исследовать зависимости h - параметров от постоянных составляющих тока эмиттера и напряжения коллектора.

2. Описание установки.

Работа выполняется на лабораторном стенде для определения h - параметров, схема которого изображена на рис. 3.1. Переменные составляющие токов и напряжений должны быть значительно меньше, чем постоянные составляющие в цепях эмиттера и коллектора.

3. Задание.

3.1. Подготовить установку к работе и установить номинальный режим транзистора. Этот пункт задания выполняется так же, как и соответствующий пункт лабораторной работы №3.

3.2. При номинальном напряжении на коллекторе транзистора снять зависимость h - параметров от тока эмиттера. Для этого вначале определяют и вычисляют значения h - параметров для номинального режима транзистора, а затем повторяют измерения при 5-7 значениях тока эмиттера, меньших его номинальной величины и строят графики h₁₁=f(I_Э), h₁₂=f(I_Э), h₂₁=f(I_Э), h₂₂=f(I_Э).

3.3. При номинальном токе эмиттера снять зависимость h - параметров от напряжения на коллекторе. Методом, описанным в пункте 3.2, снимают указанную зависимость и строят графики h₁₁=f(U_К), h₁₂=f(U_K), h₂₁=f(U_K), h₂₂=f(U_K). При каждом изменении напряжения на коллекторе транзистора, ручкой потенциометра R1 поддерживают постоянной величину тока эмиттера.

4. Содержание отчета.

4.1. Название работы и ее цель.

4.2. Параметры исследуемого транзистора для номинального режима и схема расположения его выводов.

4.3. Результаты измерений и вычислений в виде таблиц, формул, расчетов.

4.4. Графики зависимости параметров транзистора от тока эмиттера и напряжения на коллекторе.

4.5. Выводы по выполненной работе.

5. Контрольные вопросы.

5.1. Как зависят физические параметры транзистора Г_Э, Г_Б, Г_К и от тока эмиттера и напряжения на коллекторе?

5.2. Напишите формулы, связывающие физические параметры транзистора с h - параметрами для схемы ОБ.

5.3. Объясните зависимость параметров h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂ от тока эмиттера и напряжения на коллекторе.

6. Литература.

Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам. 3 /Под ред. К.В. Шалимовой. М.: Высшая школа, 1968, с. 277-279.

Дулин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977, с. 333-336.

Прянишников В.А. Электроника. М.: Бином-Пресс, 2006, с. 42-51.

Лабораторная работа №9.

Исследование температурной зависимости параметров транзистора.

1. Цель работы.

Исследовать зависимость h - параметров транзистора в схеме с общей базой от температуры.

2. Описание установки.

В работе используется стенд для определения h - параметров транзистора, описанный в соответствующем разделе работы №3 и изображенный на схеме рис. 3.1. Кроме того, в работе используется термостат и ртутный термометр, позволяющие производить нагрев и измерение температуры транзистора.

3. Задание.

3.1. Определить значения h - параметров исследуемого транзистора при комнатной температуре. Для выполнения этого пункта задания транзистор помещают в термостат, соединяют клеммы термостата, соответствующие выводам базы, эмиттера и коллектора с клеммами стенда и определяют h параметры транзистора для номинального режима в схеме ОБ методом, описанным в пунктах 3.2, 3.3 и 3.4 работы №3.

3.2. Снять температурную зависимость h параметров транзистора. Для этого включают нагреватель и определяют значения h параметров через 8-10⁰ вплоть до температуры 70⁰С.

3.3. Построить графики зависимости h параметров от температуры.

3.4. По полученным значениям h параметров вычислить r параметры и построить графики их зависимости от температуры.

4. Содержание отчета.

4.1. Название работы и ее цель.

4.2. Параметры типового режима исследуемого транзистора и схема расположения его выводов.

4.3. Результаты исследований в виде таблиц, графиков, формул, расчетов.

4.4. Выводы по выполненной работе.

5. Контрольные вопросы.

5.1. Как объяснить температурную зависимость сопротивления базы транзистора?

5.2. Как объяснить температурную зависимость сопротивления эмиттера?

5.3. Как объяснить температурную зависимость сопротивления коллектора?

5.4. Как объяснить температурную зависимость коэффициента усиления по току?

5.5. Как объяснить температурную зависимость параметров h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂?

6. Литература.

Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам. /Под ред. К.В. Шалимовой, М.: Высшая школа, 1968, с. 290-293.

Дулин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977, с. 333-336.

Батушев В.А. электронные приборы. М.: В. шк., 1980, с. 131-132.

Прянишников В.А. Электроника. М.: Бином-Пресс, 2006, с. 42-51.

Лабораторная работа №10.

Исследование температурной зависимости обратных токов транзистора.