Тематичний план лекцій

Дата	Короткий зміст лекційного матеріалу	Кількість годин	Виконання (підпис)
1.	Вступ. Стан системи електронів у твердому тілі. Енергетичний спектр електронів у кристалі. Основні положення зонної теорії у кристалах. Модель Кронига- Пенні.	3
2.	Рівень Фермі.Положення рівня Фермі у металі, власному та домішковому напівпровідниках. Функція розподілу електронів за енергіями.	3
3.	Поверхневий потенційний бар’єр та його природа. Робота виходу електрона. Моделі сил дзеркального відображення та подвійного електронного шару.	3
4.	Вплив адсорбованих плівок на електронні властивості поверхонь твердих тіл. Робота виходу металоплівкових систем. Залежність роботи виходу від електронних процесів в адплівці.	3
5.	Напівпровідники з від’ємною електронною спорідненістю. Контактна різниця потенціалів та методи її вимірювання.	3
6.	Поверхнева іонізація атомів. Позитивна та негативна поверхнева іонізація. Механізм явища.	3
7.	Наближення Саха-Ленгмюра. Поверхнева іонізація в сильному електричному полі. Деякі застосування поверхневої іонізації. Автоіонний проектор.	3
8.	Електронна емісія з твердого тіла. Види електронної емісії. Емісія атомних частинок.	3
9.	Термоелектронна емісія металів та напівпровідників. Наближення Річардсона-Дешмана. Визначення термоемісійних констант кристалів.	3
10.	Калориметричний ефект у термоемісії. Вплив електричного поля на термоемісію металів та напівпровідників. Ефект Шоткі.	3
11.	Аномальний ефект Шоткі для металоплівкових систем. Ефект Шоткі для напівпровідників. Ефективні термокатоди.	3
12.	Фотоелектронна емісія. Механізм явища, основи теорії, основні закономірності. Спектральна характеристика, квантовий вихід.	3
13.	Фотоемісійна електронна спектроскопія, як метод дослідження поверхні кристалів. Фотоемітери з негативною електронною спорідненістю. Ефективні фотокатоди.	3
14.	Оже електрони. Електронна Оже -спектроскопія. Іонізаційні втрати енергії. Іонізаційна спектроскопія.	3
15.	Вторинна електрон - електронна емісія, її основні закономірності. Емітери з від’ємною електронною спорідненістю. Ефективні вторинно-електронні емітери.	3
16.	Явища при взаємодії атомних частинок з поверхнею твердого тіла. Обмін енергією. Коефіцієнт акомодації. Проникнення іонів у тверде тіло. Вторинна іонно - електронна емісія. (кінетична та потенційна). Механізми явища. Особливості розпорошення монокристалів. Практичне застосування катодного розрпорошення. Вторинна іонно-іонна емісія та її застосування (вторинно-іонна мас - спектрометрія). Висновки. Роль і місце емісійної електроніки у сучасній науці та техніці.	3
	Питання, що виносяться для самостійного опрацювання:
	Контрольна робота №1. Фізичні принципи роботи і застосування тунельного мікроскопу. Контрольна робота №2. Фізичні принципи роботи і застосування атомної силової мікроскопії.	Ресурси Internet
	Всього:	48

Питання до курсу “фізика поверхні” спеціалізація - фізична електроніка

1. Стан системи електронів у твердому тілі. Наближення вільних, слабко та сильно зв’язаних електронів.

2. Енергетичний спектр електронів у кристалі. Основні положення зонної теорії у кристалах. Метали, напівпровідники та діелектрики.

3. Модель Кроніна-Пені. Постановка задачі. Основні висновки.

4. Рівень Фермі. Положення рівня Фермі. Положення рівня Фермі у металі, власному та домішковому напівпровідниках.

5. Функція розподілу електронів за енергіями.

6. Поверхневий потенційний бар’єр та його природа. Робота виходу електрона.

7. Моделі сил дзеркального відображення та подвійного електронного шару.

8. Вплив адсорбованих плівок на електронні властивості поверхонь твердих тіл. Робота виходу металоплівкових систем.

9. Концентраційна залежність роботи виходу та її зв’язок з електронними процесами в адсорбованій плівці. Напівпровідники з від’ємною електронною спорідненістю.

10. Контактна різниця потенціалів та методи її вимірювання.

11. Поверхнева іонізація атомів. Позитивна та негативна поверхнева іонізація. Механізм явища. Наближення Саха-Ленгмюра.

12. Поверхнева іонізація в сильному електричному полі. Деякі застосування поверхневої іонізації. Автоіонний проектор.

13. Електронна емісія з твердого тіла. Види електронної емісії. Емісія атомних частинок.

14. Термоелектронна емісія металів та напівпровідників. Наближення Річардсона-Дешмана.

15. Визначення термоемісійних констант кристалів.

16. Калориметричний ефект у термоемісії.

17. Вплив електричного поля на термоемісію металів та напівпровідників. Ефект Шоткі.

18. Аномальний ефект Шоткі для металоплівкових систем.

19. Ефект Шоткі для напівпровідників.

20. Ефективні термокатоди.

21. Фотоелектронна емісія. Механізм явища, основи теорії, основні закономірності. Спектральна характеристика, квантовий вихід. Внутрішній фотоефект.

22. Фотоемісійна електронна спектроскопія, як метод дослідження поверхні кристалів.

23. Фотоемітери з негативною електронною спорідненістю. Ефективні фотокатоди.

24. Вторинно-емісійні процеси при взаємодії електронів з поверхнею твердого тіла.

25. Вторинна електрон - електронна емісія, її основні закономірності. Спектр енергій вторинних електронів і методи його дослідження. Пружне і непружне відбиття електронів. Характеристичні втрати енергії. Збудження плазмонів.

26. Оже електрони. Електронна Оже -спектроскопія. Іонізаційні втрати енергії. Особливості вторинної-електронної емісії з діелектриків: зарядка поверхні, наведена провідність. Емітери з від’ємною електронною спорідненістю. Ефективні вторинно-електронні емітери.

27. Електонно-емісійні процеси в кристалах, стимульовані сильним електричним полем. Автоелектронна емісія металів та напівпровідників. Наближення Нордгейма.

28. Автоелектронні катоди. Автоелектронний проектор. Вибухова емісія електронів. Розігрівання електронного газу електричним полем. Емісія гарячих електронів. Емісія електронів через тонкі діелектричні плівки. Проблеми вакуумної мікроелектроніки.

29. Явища при взаємодії атомних частинок з поверхнею твердого тіла. Обмін енергією. Коефіцієнт акомодації.

30. Вторинна іонно - електронна емісія. (кінетична та потенційна).