17.Схема включения транзистора с об

Схема с Общей Базой:

Вх. IЭ=f(Uэб) при Uкб=const

Вых IК=f(Uкб) при Uэб=const

Рассмотрим ВАХ с ОБ:

Для этой схемы заданными величинами являются

i_Э и Uкб.

-уравнение входной характеристики.

ВАХ

Н – область, соответствующая режиму насыщения транзистора;

А – область активного режима;

Т – линия допустимой Pмах, гипербола (активный режим);

1 – отклонение происходящее за счет эффекта модуляции базы;

«0» - область соответствующая режиму отсечки.

Uэб

Рассмотрим токи Iко, Iко’ и Iэо, Iэо’ – тепловые токи. В ряде транзисторов изменения тепла невозможны, т.к. там обратные токи, поэтому в справочн ук-ют обратные токи, которые больше чем Iко, Iко’ и т.д. Обозначение Iкбо, Iэбо означает, что схема с ОБ.

Рассмотрим активный режим (А):

Uкб<0,

Iко = Iкбо (тепловой ток примерно равен обратному току)

С учетом этих условий, формулы (3.16) и (3.17) имеют вид:

(3.18)

(3.19)

Количественное напряжение не влияет на токи поэтому выходные характеристики являются эквидистантными, α_N=const.

Реальные хар-ки:

На реальные хар-ки влияет:

- эффект модуляции толщины базы;

- зависимость коэфф α от I;

- пробой.

Модуляция:

1 – Линия изображения распр. концентрации дырок.

Прикладываемое U – происходит модуляция.

При неизменном входном напряжении меняется

угол наклона линии или меняется величина

Существует внутренняя связь по U. Меняется Iк, т.к. он определяется коэф-ом диффузии и градиентом. Коэф-т обратной связи по U.

Этот коэф-т показывает во сколько раз н/о изменяет U на коллекторе, чтобы произошло изменение Iэ такое же, как и при изменении U на Э. Знак «-» говорит о том, что имеет разную полярность.

r_КБ~ (0,1 - 1)*10^6 Ом

ВАХ реального режима:

(3.22)

Рассмотрим режим насыщения (Н):

Хар-ся падением Iк за счет встречной инжекции НЗ со стороны К в Б. Эти дырки компенсируют дырки, инжектируемые эмитером, пока не упадёт до нуля.

Область насыщения – второй квадрант, т.к. Uкб=Uвнеш +∆φ(контакта). Если Uвнеш=0, дырки все еще переходят. Когда

Uвнеш = -∆φ(контакта), т.е. скомп. ∆φ при изменении на «+» знака Uкб.

Рассмотрим режим отсечки (О):

Оба перехода в обратном направлении.

Iэ = 0→Iк = Iкб: ток коллектора и его хар-ки равны ВАХ p-n перехода. В этом режиме сопротивления очень велики, а токи – малы.

Входная ВАХ:

С

Растёт Uкб хар-ка, за счет ЭМТБ т.е. растёт и смещается влево.

20. Схема с Общим Эмиттером

Выходные ВАХ.

Схема вкл транзистора с общем эмитером.

Хар-ки в I-м квадратное, ~ из начала корд

С возрастанием Uкб инжекция прекращается, ток растёт за счет дырок, инж-мых в базу.

В Ур-ие (3.22) подставим (3.9)

, - Коэф. передачи базового тока.

α~0,95-0,98 β~ 10^1 до 10^2, следовательно, в схеме с общим Э происходит усиление тока

r_k^*- в (1+β) раз меньше, чем в схеме с ОБ и составляет ~ 10^4 Oм.

Iкэо больше в (1+β) раз, чем в ОБ, поэтому наклон линий круче (тепловой ток больше).

Uкб >> Uэб → Uкб ~ Uкэ:

(3.24)

Рассмотрим входные хар-ки:

Iб = Iк + Iэ;

При Uкэ ≠0, Iб<<Iэ, ток базы уменьшается α,β- интегральные (статистические ) коэффициенты.

(3.21)