Задание 1 Изучение вах и определение параметров туннельного диода

1. Подключите исследуемый элемент к разъемам 10 и 11, осциллограф к разъемам 14-вход Y, 13-вход земля, 12-вход X.

2. Убедитесь, что разъем 15 соединен с шиной заземления.

3. Снимите подробную вольтамперную характеристику туннельного диода в прямом направлении. Предварительно включите осциллограф и источник переменного напряжения. Переключатель S₃ замкнут.

4. Рассчитайте ток, протекающий через диод, как U_y/R, где U_y-напряжение по оси Y, R =R8 (или R8 + R7, если S₄ замкнут)

5. Определите основные параметры туннельного диода: I_мин, I_1макс, I_2макс, U_мин.

6. Обозначьте на полученных ВАХ участки, соответствующие диффузионному току, избыточному току и току между зонами.

Задание 2

Изучение вах и определение параметров стабистора и стабилитрона.

1. Соберите схему установки (рисунок 4).

2. Зарегистрируйте осциллограмму обратной ветви ВАХ стабилитрона. Переключатель S₂ замкнут.

3. Рассчитайте ток, протекающий через диод, как U_y/R, где U_y-напряжение, откладываемое по оси Y, R =R8 (или R8 и R7, если S₄ замкнут) и нанесите его на координатную ось..

4. По справочнику определите ток стабилизации I_ст. По значению тока минимального стабилизации определите напряжение стабилизации U_ст.

По формулам (1), (2) рассчитайте дифференциальное (r_ст) и статическое R_ст сопротивление стабилитрона на обратной ветви ВАХ. Сделайте выводы.

Зарегистрируйте прямую ветвь ВАХ стабистора и определите напряжение стабилизации, повторив пункты 3-5.

Контрольные вопросы

1. Объясните принцип работы полупроводникового диода, стабилитрона, стабистора.

2. Каковы наиболее существенные отличия ВАХ туннельного диода от выпрямительного?

3. Поясните вольтамперные характеристики стабилитрона, стабистора. Назовите их основные параметры.

4.Какова физическая сущность туннельного эффекта?

5. Объясните механизмы пробоя p-n перехода: туннельного, теплового и лавинного.

Список литературы

1. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. М.: Мир, 1983. Т.1.

2. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1991.

3. Степаненко И. П. Основы теории полупроводниковых элементов.-4-е изд. М: Энергия, 1977

4. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов.-2-е изд. М: Советское радио, 1969.