- •1.Основні види електротехнічних еластомерів.Де вони застосовуються?
- •2.Діелектрична проникність складних діелектриків
- •3.Визначення параметрів конденсатора
- •4. Дослідження пробою діелектрика
- •6. Розрахунок плавкого запобіжника
- •7. Визначення магнітної проникності деяких магнітних матеріалів
- •Висновок
- •Список використаної літератури
3.Визначення параметрів конденсатора
На електроди конденсатора з розмірами 30х35 мм2 мм подано напруга 5000 В. Відстань між електродами 13мм.Визначити ємність, опір ізоляції, струп крізь конденсатор при постійній напрузі, а також величину діелектричних втрат а)при постійній напрузі, б)при змінній напрузі з частотою 50Гц, в)при змінній напрузі з частотою 400Гц.
Слюда-флогопіт-матеріал, який має широке застосування в побуті до найскладніших електронних пристрої(один з найкращих ізоляторів).
Це підтверджують властивості слюд, а саме флогопіту:
висока механічна міцність(на розрив) 200-480МПа, опір на стискування
200-260МПа;
2) відносна хімічна стійкість;
3) термічна стійкість (жаростійкість тобто можливість зберігати при нагріванні фізичні властивості до 1000 С, висока міцність).
Розв’язок
Дано: ε = 6,5 U = 5000 В tgδ = 1,5*10-3 ρv = 1012 Ом м ρs = 1012 Ом /м Eпр = 40 МВ/м f1 = 50 Гц f2 = 400 Гц d = 13 мм a = 30 мм b = 35 мм |
Pa - ? Rіз - ? Paf - ? C - ? |
Розв’язок.
Ємність конденсатора визначається за формулою:
C = ε*εo*S / d
С –ємність ε – відносна діелектрична проникність, εo –електрична постійна, S –площа пластини, d – довжина пластини.
Опір ізоляції можно знайти з відношення:
Rіз = Rs*Rv / (Rs + Rv)
Rs – поверхневий опір, Rv – об’ємний опірRv = ρv * d / S
Rs = Rs1*Rs2 / (2Rs1 + 2Rs2)
Rs1 = ρs * d / a Rs2 = ρs * d / b
S – розріз діелектрика, d – відстань між електродами, ρs – питомий поверхневий
опір, ρv –питомий об’ємний опір.
S = a*b
Силу струму знайдемо з закона Ома:
I = U / Rіз
Активну потужність визначаю за силою струму і напруги:
Pa = U * I
Для змінного струму активна потужність знадиться через частоту, кут діелектричних втрат і напругу:
Paf = U2* ω*C*tgδ
ω = 2π*f
Розв’язки:
Rv=1012*(0,013/0,03*0,035) = 12,4*1012 Ом
Rs=1012*(0,16/0,16Ом) = 1*1012 Ом
1/Rіз.=2/12,4*1012 + 2/1*1012 = 2,16*10-12 Ом
Rіз.=0,46*1012 Ом
I=5000/0,46*1012 = 1.09*10-8 A
S = a * b= 30*35*10-6=1050*10-6 M2
C=6,5*8,85*10-12*1050*10-6/0,013 = 4,6 пФ
Pa=109*10-10*5000B=5,4*10-5Bт
Pa(50Гц)=250*105*314*4,6*10-12*1,5*10-3 = 54,1*10-6Вт Pa(400Гц)=250*105*2512*4,6*10-12*1,5*10-3 =4.33*10-4Вт
Відповідь:
C=4,6 пФ
S=1050*10-6м2
Pa=5,4*10-5Вт
Pa(50Гц)= 54,1*10-6Вт
Pa(400Гц)= 4.33*10-4Вт
Rиз=0,46*1012Ом
4. Дослідження пробою діелектрика
Діелектрик конденсатора утворюється двома шарами матеріалу полікарбонат товщиною 3мм кожний, між якими є повітряний зазор товщиною 1мм. До діелектриків підведена поступово зростаюча напруга. При якій напрузі відбувається пробій конденсатора? Як зміниться пробивна напруга, якщо повітряний зазор змінити на церезин з електричною міцністю Вепр? Електричну міцність повітря прийняти рівною 10кВ/см.
Ізоляторній фарфор - вид кераміки, непроникну для води і газу. У тонкому шарі просвічує. При легкому ударі дерев'яною паличкою видає характерний високий чистий звук (в залежності від форми і товщини вироби, тон може бути різним.Ізоляторній фарфор володіє високою механічною міцністю, хімічної і термічної стійкістю, електроізоляційні властивості і застосовується для виготовлення високоякісної посуду, художньо-декоративних та санітарно-технічних виробів, електро-і радіотехнічних деталей, коррозіонностойкіх апаратів хімічної технології, низькочастотних ізоляторів і т. д.
Склотекстоліт - електроізоляційний конструкційний матеріал, застосовувані для виробництва підшипників ковзання, шестерень та інших деталей, а також в електро-і радіотехніці.Представляє з себе шаруватих пластик на основі тканини з волокон і полімерного сполучного речовини (наприклад, епоксидної смоли). Текстоліт на основі склотканини називається стеклотекстолітом. Склотекстоліт перевершує текстоліт по ряду властивостей: термостійкість від 140 до 180 ° С проти 105 - 125 ° С у текстоліту; питомий об'ємний опір - 1011 Ом / м проти 107; тангенс кута втрат - 0.02 проти 0.07. Листовий стеклотестоліт, вкритий мідній фольгою, служить основою для виготовлення заготовок друкованих плат. Текстоліт виготовляється наступних марок - ПТ (виробні текстоліт), ПТК - (виробні текстоліт конструкційний), ПТМ (виробні текстоліт стійкий до трансформаторної олії), марки А і Б (текстоліт електротехнічний), ПТН, ПТГ і т.д. Текстоліт випускається у вигляді плит, стержнів і втулок.
Дано: ε1 = 7,0 ε2 = 8,0 εвозд = 1,006 Eпр1 = 18*106 В/м Eпр2 = 30*106 В/м Eпр пов = 106 В/м d1 = 0,003 м d2 = 0,001 м |
Uпр1 - ? Uпр2 - ? |
Якщо між двома парами діелектрика повітря то утворюеться відношення
ε1Eпр1 = ε2Eпр2 = ε1Eпр.возд = εE
В даному відношенні пробій не відбуваеться де Е = U/d. Підставимо в загальну формулу і отримаем:
ε2Eпр2 = U/d
Знайдемо пробивну напругу в конденсаторі з повітряним зазором:
Uпр = ε2 * Eпр2 * d2 / ε
Повітря змінемо на слюду-флогопит і повторно визначим пробивну напругу, для цього спочатку знайдем діелектричну проникність по формулі: ε = ε1 * ε2 / (ε2 * N1 + ε1 * N2)
Об’ємні концентрації рівні: N1 =0,43; N2 = 0,14
1) Пробивна напруга повітря:
ε = 7 * 1,006 / (1,006 * 0,43 + 7* 0,14) = 4,98
Uпр.пов = 1,006 *18 *106 * (3 + 3 + 1) * 10-3 / 4,98 = 25,4 * 103
2) Пробивна напруга діелектрика:
ε = 7,0 * 8,0 / (8,0 * 0,43 + 7,0* 0,14) = 12,6
Uпр. = 8,0* 30 * 106 * 7 * 10-3 / 12,6= 133,3(3) * 103 В
Е’1=ε×Uпр2/ε1×d
Е’1=4.98×133,3×103/7.0×7.0×10-3=13.5×106 В
Так як E'1 < E1, то пробивна напруга конденсатора вимірюється по діелектрику ізоляторний фарфор.
Висновок: в присутності діелектрика пробивна напруга конденсатора та його діелектрична проникність значно збільшується.
5. ВИЗНАЧЕННЯ ЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ НАПВПРОВІДНИКІВ.
В цому пункті пропонується розв’язати задачі 21та 63.
21.У власному германії ширина забороненої зони при температурі 300 К дорівнює 0,665 еВ. На скільки потрібно повисіти температуру, щоб кількість електронів у зоні провідності збільшилась у два рази? Температурною зміною ефективної густини станів для електронів і дірок при розрахунках знехтувати.
ΔЕ=0,665 еВ Розв’язання
Nc=const використаємо фор. для визначення власної концетрації
Nv=const
Т1=300 К так-як значеням Nc , та Nv можна знехтувати то запишемо
Т2-? формула для двох випадків прийме вигляд:
за умовою задачі ni2 складає 2*ni1
ni2=2ni1
T2=600 K
Висновок: з даного результату бачимо що зі збільшенням кількості електронів збільшується і температура у зоні повідності.
63. Розрахувати питомий опір германія p-типу з концентрацією дірок 4×1019 м-3. Знайти відношення електронної провідності до діркової. Прийняти власну концентрацію носіїв заряду при кімнатній температурі ni =2,l×1019 м-3, рухомість електронів mn = 0,39 м2/(В×с), рухомість дірок mp =0,19 м2/(В×с).
Розв’язання
p=4*1019 м-3 Рр=1/ σp=1/е*р*мр
ni=2.1*1019м-3 ni2=n*p n= ni2/р
мn=0.39 м2/в*с σn=e*n*мn σp=e*p*мр
мр=0.19 м2/в*сp Рр=1/1.6*10-19*4*1019*0.19=0.82 Ом*м
—————— n=4.41*1038/4*1019=1.181019м-3
Рр-? σn/ σp=1.1*1019*0.19/4*1019*0.39=0.14
σn/ σp-?