П.3. Порядок выполнения работы
Для выполнения работы используется схема с общим эмиттером (рис.5). Схема дается в готовом (собранном) виде.
1. Поставить подвижный контакт потенциометров R1 и R2 в нулевое положение (положение "а" на рис.5).
2. Замкнуть рубильник К1 и потенциометром R1 установить показания миллиамперметра А на 20 мА.
3. Замкнуть рубильник К2 и потенциометром R2 установить показания вольтметра Vк на 1 В, измерить ток Jк. Затем, устанавливать последовательно показания вольтметра Vк на 1, 2, 3, 4, 5 В, снять соответственно показания миллиамперметра Ак. При этом следует каждый раз следить за тем, чтобы ток J оставался равным 20 мА.
Данные поместите в следующую таблицу.
J = 20 мА 210-5 А J = 40 мА 410-5 А |
|
Uк (В) |
|
Jк (мА) |
|
4. Произвести измерения, аналогичные указанным выше, при токе
J = 0,8 мА
На основании полученных данных построить характеристики
Jк = f(Uк) при J = const
5. Пользуясь полученными графиками, определить коэффициент усиления по току и выходное сопротивление транзистора (см. формулы (11) и (12) и рис.6).
6. Замкнуть рубильник К2 и установить с помощью потенциометра R2 напряжение на коллекторе Uк = 0 (4) В. В последующем перед каждым измерением проверять значения Uк и в случае изменения устанавливать на 0 и (4) В.
7. Замкнуть рубильник К1 и с помощью потенциометра R1 установить показания вольтметра Vэ на 0,16 В. После этого замерить показания тока через базу J. Снять измерения J, меняя показания вольтметра Vэ через 0,04 В до значения 0,4 В.
Данные измерения записать в виде таблицы
Uк = 0 В Uк = 4 В |
|
Uэ (В) |
|
J1 (мА) |
|
8. Повторить вышеуказанные измерения для постоянного напряжения на коллекторе Uк = 8 В.
По полученным данным построить характеристики
J = f(Uэ) при Uк = const
9. Пользуясь полученными графиками, определить входное сопротивление и коэффициент усиления по напряжению (см. формулы (13), (14) и рис.7).
10. Студенты ЭТФ вычисляют параметры для схем с общей базой и коллектором (см.формулы (3) и (4)).
Контрольные вопросы
1. Каков принцип действия транзистора?
2. Что называется параметрами транзистора и как они определяются?
3. Зависят ли параметры транзистора от способа его включения? Почему?
4. Почему кривая проходит выше кривой ?
5. Почему кривая проходит ниже кривой ?
Литература
1. Яворсккий В.М., Детлаф А.А., Милковская Л.Б.
Курс физики, т.2, 1966, с.394-397.
2. Савельев И.В., Курс общей физики, т.2, 1968, с.221-227.
3. Зисман Г.А., Тодес О.М. Курс общей физики, т.2, 1972, с.184-186.
4. Дзюбин И. Путешествие в страну лилипутов. М., 1970.