- •Лабораторная работа № . Термическое окисление кремния.
- •1. Введение
- •2. Механизм роста и кинетика окисления.
- •3. Модель окисления кремния
- •4. Влияние ориентации на скорость окисления
- •5. Методы окисления и оборудование
- •6. Очистка подложек перед окислением
- •7. Контроль толшины пленок SiO2.
- •7. Контрольные вопросы
- •8. Задание
3. Модель окисления кремния
Кинетика окисления кремния описывается моделью Дила и Гроува. Она применима для температурного диапазона 700—1300 °С, парциальных давлений О2 (0,2—1,0)-105 Па и толщины окисных пленок 30—2000 нм в атмосфере, состоящей из кислорода и (или) паров воды. На рис.2 показана подложка кремния, покрытая слоем окисла, который находится в контакте с газовой фазой. Окисляющие элементы диффундируют из объема газовой фазы на границу раздела газ—окисел (поток F1 представляет собой число атомов или молекул, пересекающих поверхность единичной площади за единицу времени), переносятся через уже образованный окисел по направлению к кремнию (поток F2) и реагируют на границе раздела фаз Si – SiO2 с кремнием (поток F3).
В условиях равновесия F1=F2 = F3. Для потока F1 в газовой фазе можно применить линейную аппроксимацию, предположив при этом, что поток окислителя из объема газовой фазы к границе раздела газ — окисел пропорционален разности концентраций окислителя в объеме газовой фазы Со и вблизи поверхности окисла С s:
F1=hG (CG – Cs), (3)
где h — коэффициент массопереноса в газовой фазе.
Для того чтобы связать равновесную концентрацию молекул окислителя в окисле с их концентрацией в газовой фазе, воспользуемся законом Генри:
СO = H PS , C *= H PG , (4)
где СO — равновесная концентрация в окисле на внешней поверхности, С*—равновесная объемная концентрация в окисле, PS —парциальное давление в газовой фазе вблизи поверхности окисла, PG — парциальное давление в объеме газовой фазы и Н—постоянная Генри. Использование закона Генри совместно с законом идеальных газов дает возможность выразить СO и СS:
СО = PО /kT и СS=PS/kT (5)
Объединение уравнений 3—5 приводит к соотношению:
F1 =h (C* -CO) , (6)
где h — коэффициент массопереноса в газовой фазе, выражаемый в размерности концентрации в твердом теле и определяемый как h=hG / kT. Тогда концентрация окислителя Со в окисле на границе раздела окисел—газовая фаза меньше равновесной объемной концентрации в окисле, поток F1 положительный Окисление представляет собой неравновесный процесс, движущей силой которого является отклонение концентрации от равновесия. Закон Генри справедлив только в отсутствие явлений диссоциации на границе раздела окисла с газовой фазой. Это означает, что частицы, двигающиеся через окисел, представляют собой молекулы.
Поток этих частиц окислителя через окисел для любой точки d слоя окисла описывается законом Фика:
F2 , (7)
где D - коэффициент диффузии. Если рассматривать установившийся процесс, то поток F2 должен быть одинаковым в любой точке внутри окисла (т. е.dF2/dx =0). Это приводит к записи уравнения (7) в следующем виде:
F2=D(Co – Ci)/xo . (8)
Здесь Сi - концентрация окисляющего агента в окисле вблизи границы раздела фаз окисел — кремний, а xo — толщина окисла.
Предполагается, что поток, соответствующий реакции, происходящей на границе раздела фаз Si –SiO2, пропорционален Сi :
F3=ksCi , (9)
где ks - константа скорости поверхностной химической реакции окисления кремния.
После определения F1 =F2 = F3 получим следующие выражения для Ci, и Сo:
Рис.2. Модель термического окисления кремния.
, (10)
. (11)
Предельные случаи при рассмотрении уравнений (10) и (11) возникают тогда, когда коэффициент диффузии либо слишком мал, либо очень велик. Когда коэффициент диффузии слишком мал, Сi 0, а С0 C*. В этом случае говорят, что реакция идет при диффузионном контроле, т. е. лимитирующей является диффузионная стадия протекания реакции. Вследствие малых значений коэффициента диффузии D поток окислителя через окисел также становится малым по сравнению с потоком, соответствующим реакции, происходящей на границе раздела фаз SiO2-Si. Следовательно, скорость реакции зависит от доставки окислителя к границе раздела фаз, а не от скорости его взаимодействия с кремнием на этой границе.
Во втором предельном случае, когда коэффициент диффузии очень большой, имеем . Можно сказать, что реакция идет при кинетическом контроле, т. е. лимитирующей стадией является кинетическая стадия протекания самой реакции, поскольку излишнее количество окислителя доставляется к границе раздела фаз SiO2-Si. Cкорость окисления контролируется константой скорости реакции ks и концентрацией Ci , равной C0 .
Для того чтобы рассчитать скорость роста окисла, определим Ni как число молекул окислителя, входящих в единичный объем окисного слоя. Поскольку окисел содержит 2,21022 молекул SiO2 в 1 см3 и на создание одной молекулы SiO2 требуется одна молекула О2 или две молекулы H2O, Ni равняется 2,2 1022 см -3 для окисления в сухом кислороде и удвоенному значению для окисления в парах воды. Подставив уравнение (10) в уравнение (9) и используя определенное нами выражение для потока, можно записать выражение для потока окислителя, достигающего границы раздела окисел — кремний, в следующем виде:
. (12)
Решение уравнения (12) выглядит следующим образом:
X02 +AX0=B(t+) , (13)
где
A=2D(1/ks +1/h),
B=2DC*/Ni ,
=(xi2 +Axi)/B .
Величина соответствует сдвигу по временной оси, который необходим для того, чтобы учесть наличие первоначального окисного слоя толщиной xi.
Решение уравнения (13) для x0 как функции времени записывается в следующем виде:
. (14)
Один из предельных случаев имеет место при большом времени окисления, т. е. когда t>>.
d0=Bt . (15)
Уравнение (15) представляет собой параболический закон, где В — параболическая константа скорости окисления. Другой предельный случай имеет место при очень коротком времени окисления, т. е. когда справедливо соотношение: (t+)<<A2/4B:
(16).
Уравнение (16) представляет собой линейный закон, где В/А — линейная константа скорости окисления, определяемая выражением:
(17)
Уравнения (15) и (16) соответствуют случаям протекания реакции окисления с диффузионным и кинетическим контролем.