Додаток б

Таблиця Б.1 - Можливості технологічних методів при виготовленні смужкових провідників

Метод виготовлення провідникових елементів НВЧ пристроїв	Можлива товщина металізації, мкм	Мінімальна ^1)рекомендована ширина лінії передачі, мкм	Мінімальний^1) рекомендований зазор між провідниками, мкм	Допуск на лінійні розміри, мкм
Хіміко-гальванічна ме-талізація +фотолітографія	До 25	70…100^2)	50…70^2)	±(25…30)^2)
Вакуумна металізація + фотолітографія	До 20	40…70^2)	30…50^2)	±(10…15)^2)
Вакуумна металізація + гальванічне нарощування +фотолітографія	До 20	40…70^2)	30…50^2)	±(10…15)^2)
Вакуумна металізація + фотолітографія + гальванічне нарощування	До 10	30	20	±(5…10)
Товстоплівкова технологія	До 25	75…100^2)	75…100^2)	±(30…50)^2) ±12,5
Травлення шару фольги (технологія друкованих плат на органічних діелектриках)	35 >35	300 500	300 400	±50 (при максималь-ному розмірі плати до 100мм) ±50
Вакуумна металізація + фотолітографія (технологія напівпровідникових ІС і ліній затримки на ПАХ)	До 1…2	3…5	3…5	±(1…2)
Вакуумна металізація + іонне травлення	6… …10	10…15	10…15	±(2…4)

Примітки:

1 Мінімальні при товщинах, близьких до вказаних в даній таблиці.

2 Розкид значень, досягнутих в серійному виробництві, виникає через відмінності у матеріалах, обладнанні, культурі виробництва.