4 Основные особенности эпитаксиальных структур

Основная особенность эпитаксии по сравнению с диффузией и ионным легированием заключается в том, что слои и локальные области противоположного типа проводимости или с отличной от полупроводниковой пластины концентрацией примеси представляют собой новые образования над исходной поверхностью. В процессе роста эпитаксиальные слои легируют, т. е. в них вводят донорные или акцепторные примеси.

Возможности легирования при эпитаксии гораздо шире, чем при других методах получения легированных слоев полупроводника, например при диффузии.

Уникальной особенностью эпитаксии является возможность получения высокоомных слоев полупроводника на низкоомных пластинах. При эпитаксии можно получать разнообразные распределения легирующих примесей, в том числе равномерные распределения или с резким перепадом концентрации на очень малом расстоянии. Можно получать многослойные структуры в одном процессе. Эпитаксиальные слои, в отличие от кремниевой пластины из слитка, выращенного из расплава, не содержат кислорода и углерода, которые являются центрами дефектообразования.

Дефекты эпитаксиальных пленок

Образование дислокаций

Дефекты упаковки

Вопросы и задания для самопроверки

1. Что такое эпитаксия?

2. Какие виды эпитаксии существуют?

3. Объясните процессы, которые происходят при эпитаксиальном наращивании кремния?

4. Какие факторы ограничивают минимальнную толщину эпитаксиального слоя?

5. Объясните суть молекулярно-лучевой эпитаксии.

6. Какие структуры получают гетероэпитаксией?

7. Какие основные особенности эпитаксиальных структур?