- •Анализ передаточной характеристики показывает, что при увеличении
- •Увеличение температуры - к заполнению центров рекомбинации в базе, а значит растет .
- •1. Пример использования глин.
- •В качестве примера рассмотрим импульсное устройство, структурная схема, которого приведено на рис.
- •Выходные характеристики транзистора имеют вид
Выходные характеристики транзистора имеют вид
2. Проанализируйте работу одновибратора.
Одновибратор – это формирователь одиночных импульсов прямоугольной формы и фиксированной длительности, возникающих на выходе при поступлении на вход запускающего короткого импульса.
Исходное состояние (ждущий режим), uвх.=0. Будем считать, что компаратор раннее приведен в состояние uвых.= - Uвых.мах.. Конденсатор С1 разряжен.
рассматриваемое состояние устойчиво следовательно, компаратор находится в состоянии отрицательного насыщения.
Формирование импульса. При uвх>0 к прямому входу ОУ прикладывается входное напряжение, которое действует сильнее, чем сигнал с выхода ОУ через R3 компаратор регенеративно переключается и напряжение на его входе скачком достигает uвых=Uвых.мах. .
Стадия восстановления исходного состояния. В момент t2 скачком устанавливается uвых= - Uвыхмах. Конденсатор С1 начинает разряжаться через резистор R от источника напряжения –Uвыхюмах
3. Интегральные микросхемы.
Интегральные микросхемы
Иинтегральная микросхема-это изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки информации, имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов, которые могут рассматриваться как единое целое, выполнены в едином технологическом процессе и заключены герметизированный корпус.
Преимущества.
1.Высокая надежность и технологичность,
2.Малая масса и габариты,
3Малое время на разработку изделия, т.е. используются готовые блоки,
4.Снижается стоимость изделия, т.к. мало время на наладку и монтаж,
5.Упрощается организация производства, за счет уменьшения промежуточных операций и комплектующий деталей,
Необходимо отметить, что ИМС-это два резко отличающихся друг от друга класса:
Полупроводниковая ИМС. Это конструктивно полупроводниковый кристалл. На поверхности наносится окисел металла, а это значит, что можно создать выводы во внешнюю цепь.
Особенности:
1.Можно получить все полупроводниковые приборы, конденсаторы ограниченной емкости,
2.Точность невелика, однако элементы в одном кристалле практически идентичны,
3.Технология сложна и поэтому производство на больших предприятиях,
4..Затраты на выпуск велики и поэтому имеет смысл производства крупной партии (104).
5.Масса и габариты малы.
Билет 6
1. Проанализируйте работу усилителя мощности класса В.
В таких усилителях нагрузка включается непосредственно в коллекторную цепь
Определим К.П.Д. каскада для случая указанного сигнала. Мощность, отдаваемую в нагрузку определим с учетом того, что в данном случае действующее значение Uвых=Uвыхм
/Rн=
М ощность, потребляемая от источника, зависит от среднего тока, протекающего через нагрузку ξЕк2/Rн
Получаем К.П.Д ή=ξ
Из рассмотренных кривых рис. 2.26. можно сделать следующие выводы:
К.П.Д. каскада класса В выше, чем в схеме рис2.24, особенно при малых и средних сигналов uвх.
Мощность, потребляемая от источника Ек, минимальна в режиме покоя и увеличивается при росте uвх.
Мощность потерь максимально при средних значениях ξ, но намного меньше, чем максимальная мощность потерь в схеме 3.2. При малых ξ, Рк мала, так как малы токи через транзистор, при больших ξ Рк также мала, поскольку падение напряжения на нагрузке велико, а падение напряжения на транзисторе uk = Ek – uвых. мало.
Все сказанное позволяет сделать вывод, что усилители класса В имеют преимущества перед каскадами класса А. Невозможность усиления двухполярных сигналов преодолена в двухтактном усилителе мощности.
2. Поясните работу ГЛИН в автоколебательном режиме.
Помимо ГЛИН с внешним управлением часто применяют ГЛИН, работающий в автогенераторном режиме, т.е. без управляющего сигнала
Схема такого ГЛИНа приведена на рис.
Эта схема отличается от приведенной раннее тем, что в ней есть цепь ОС (R3,R4), которая связывает прямой вход компаратора с выходами компаратора и интегратора. Найдем напряжение методом суперпозиции
3. Полевые транзисторы (п-р). (из конспекта рис.)
Полевые транзисторы управляются напряжением при этом они могут быть с р-n или n-р переходом.
С С
З И З И
П Р
Ic U зи=0
Uзи1 >Uзи
Uзи2 >Uзи1
Ucи
Билет 7
1. Покажите схемы включения транзисторов.
При изучении транзисторов необходимо иметь в виду, что схемы использования транзисторов могут быть различны. Это определяется схемами соединения и таких схем может быть три. Различаются они тем, какой электрод транзистора является общим для входа и выхода. По этому признаку схемы могут быть:
-с общим эмиттером (ОЭ).
-с общей базой (ОБ).
-с общим коллектором (ОК).
2. Проанализируйте работу мультивибратора.
Мультивибратором – наз. генератор периодически повторяющихся импульсов прямоугольной формы. Мультивибратор является автогенератором и работает без подачи входного сигнала.
Схема мультивибратора показана на рис. 5.25. В этой схеме конденсатор С и резисторы R1,R2 образуют интегрирующую RC-цепь, при заряде конденсатора открыт диод V1,ток проходит через R1, при разряде – открыт V2, ток идет через R2. Источником напряжения Е является выходная цепь ОУ. Компаратор выполнен на ОУ с ПОС через цепь R3,R4. При переключении компаратора на его выходе происходит коммутация цепей заряда и разряда конденсатора С, т.е. ОУ выполняет сразу несколько функций: источника напряжения заряда и разряда конденсатора, компаратора и ключа.
Работа мультивибратора. Временные диаграммы приведены на рис.5.25. Пусть при t<t1источники питания отключены: Eп=0, -Eп =0. Конденсатор С разряжен и Uc=0. В момент подключим Еп и –Еп. Допустим, что произошло положительное приращение выходного напряжения. Через цепочку R3,R4 это приращение подается на прямой вход ОУ, усиливается и в свою очередь вызывает приращение ΔU`вых. Процесс развивается лавинообразно, в результате в момент t1 скачком устанавливается Uвых= Uвых.мах.
Начиная с момента t1 конденсатор С заряжается напряжением U=Uвых.мах через резистор R1 , так как к аноду диода V1 приложено положительное напряжение. Нарастающее по экспоненте напряжение Uс подается на инвертирующий вход ОУ.
В момент t=t2 напряжение на конденсаторе Uс достигает значения U0 и происходит срабатывание компаратора. Его переключение протекает лавинообразно (регенеративный процесс)и завершается при Uвых= - Uвыхмах .
Конденсатор С не успевает разрядиться до напряжения –Uвых.мах, так как в момент t3 напряжение на нем достигает значения –U0 и снова происходит регенеративное переключение компаратора, при этом устанавливается Uвых=Uвых.мах, Uос=U0 .
3. Поясните (без формул) почему при Uкэ >Uкэн увеличение тока
базы транзистора приводит к увеличению тока коллектора
Билет 8
1. Поанализируйте схему замещения усилителя и определите его основне показате ли.
Усилительные каскады рассчитываются методом линеаризации вольтамперных характеристик. Линеаризация нелинейных характеристик неизбежно приводит к потери части информации. Можем рассчитать только переменные составляющие токов и напряжений каскада в классе А. При таком подходе схема замещения будет иметь вид(рис.2.10)
В такой схеме замещения усилительный элемент существует как усилитель тока.
, где:
rk- динамическое сопротивление - при , обусловленное наклоном пологого участка выходной характеристики.
Входная цепь усилителя ,
rвх.э- динамическое сопротивление входное транзистора, обусловленное наклоном входной характеристики.
2. Покажите схему усилителя и обьясните ее работу при условии, что напряжение компенсации и смещения формируется за счет резисторов.
При построении усилительных каскадов, работающих в классе А на вход усилителей подается Uвх, Uсм, в выходной цепи Uвых, Uком. Все эти источники должны быть гальванически развязаны, однако это не целесообразно. Одним из возможных вариантов может быть .
Напряжение Uсм и Uкомп. формируется резисторами R1R2, R3R4 подключенными к источнику Ek1. Недостатком такой схемы является то, что нет общей точки у источника и нагрузки, что нередко затрудняет применение такого усилителя
3. Почему увеличение стабильности режима покоя приводит к снижению коэффициента усиления.
Для этого вводим в каскад резистор Rэ, падение на котором: Uэ = IэRэ = IкRэ, прикладывается ко входу транзистора Uбэ = Uвх + Uсм - Uэ
Uэ - является сигналом обратной связи, он пропорционален входному току транзистора, то есть речь идет об ОС по току. На входе происходит вычитание напряжения ОС, т.е. связь будет последовательной и отрицательной. Таким образом, напряжение «база-эмиттер» уменьшается, а значит, уменьшаются токи покоя базы и коллектора. Это приведет к стабилизации режима покоя транзистора, и не так сильно будет сказываться изменение температуры. Однако это достигается достаточно дорогой ценой, т.к. снижается значение напряжения «база-эмиттер», что приводит к уменьшению выходного сигнала и коэффициента усиления.