1.Анализ принципиальной электрической схемы

1.1. Обоснование выбора принципиальной электрической схемы

Проведенный анализ принципиальной электрической схемы показал следующее: Основной функциональный узел схемы – микросхема КР 142 ЕН 19 прецизионный аналог стабилитрона с регулируемым напряжением стабилизации. В отличие от обычного стабилитрона, КР142ЕН19 имеет выводы не только анода и катода, но и входа управления. Здесь под анодом будем понимать электрод, на который подается плюс стабилизируемого напряжения. Выпускается микросхема в корпусе, напоминающем транзистор.

Подавая на управляющий вход напряжение с анода или резистивного делителя, включенного между анодом и катодом, можно изменять напряжение стабилизации от 2,5 до 30 В. Ток стабилизации может лежать в пределах 1...100 мА, а дифференциальное сопротивление не превышает 0,5 Ом. Наибольшая мощность рассеяния достигает 0,4 Вт, а ток входа управления - 5 мкА. Ток через резистивный делитель желательно выбирать не менее 0,5 мА.

Главным чувствительным элементом схемы является фототранзистор. Фототранзисторы ФТ – 1К предназначены для преобразования световых сигналов в электрические в схемах экспонометрических устройств фотоэлектрической автоматики, телемеханики и радиоэлектроники.

Другие элементы схемы:

Реле ­ любое с напряжением срабатывания 24.. .25 В при токе не более 40 мА и с двумя контактными группами, рассчитанными на коммутацию пере­меннoгo напряжения 220. Для нагрузки мощностью до 200 Вт можно исполь­зовать реле РЭН34 исполнения ХП4.500.000­01 (номинальное сопротивление обмотки ­ 320 Ом, ток срабатыва­ния ­ 40 мА), РЭК52, РЭК53 с номинальным напряжением 24 В (сопротивление обмотки ­ соответственно 900 и 1280 Ом) и аналогичные по параметрам импортные на 24 В, например, TRIH­ 24VOC..SB­2AM­R, TRIH­24VOC..SO..2CM­А (сопротивление обмотки ­ 1100 Ом, номинальный ток ­ 21 мА) TR99..24VOC.. SB..CO (соответственно 1200 Ом и 20 мА), TRL­24VOC­P­2C (650 Ом и 37 мА) и др.

Посто­янные резисторы МЛТ C2­33 и под­строечные резисторы СП3­ 19А. Конденсаторы К73­17(Сl) и серии ТК фирмы Jаmiсоп. Диодный мост КЦ407 А или четыре диода 1 N4005 или аналогичные мало­ габаритные.

1.2. Анализ и обоснование выбора элементной базы

При подсчете на принципиальной схеме присутствуют:

1. Микросхема К P142 ЕН19(DA1)

Тип параметра	Условное обозначение	Параметры
Выходное напряжение	В	2,5 … 36
Ток нагрузки	А	0,1
Тип корпуса	_	ТО 092.
Максимальное входное напряжение	В	37
Мощность рассеивания	Вт	0…5
Температурный диапазон	С	-10…70

Таблица 1. Характеристики микросхемы К P142 ЕН19.

Аналогичная микросхема (TL431)

Тип параметра	Условное обозначение	Параметры
Выходное напряжение	В	2,495 … 36
Ток нагрузки	А	0,15
Тип корпуса	_	ТО 092.
Максимальное входное напряжение	В	36
Мощность рассеивания	Вт	0…5
Температурный диапазон	С	-10…70

Таблица 2. Характеристики аналогичной микросхемы (TL431)

2. Фототранзистор ФТ- 1К

тт Тип	Площадь фоточувств. элемента	Основные параметры при температуре +20…+25
		Диапазон спектральной характеристики	Максимальная спектральная характеристика	Рабочее напряжение	Темновой ток	Интегральная токовая чувств.
ФТ-1К	2,8	0,5…1,2	0,8…0,9	5	3	0,4
ФТ-1Г	3	0,4…1,8	1,5..1,8	1..5	300	0,2

Таблица 3. Характеристика фототранзисторов ФТ- 1К и ФТ – 1Г

3. Реле с напряжением срабатывания 24.. .25 В

Тип	Напряжение срабатывания, В	Ток срабатывания, А	Сопротивление обмотки Ом	Мощность Нагрузки Вт
РЭН 34	24- 25	не более 40	320	до 200
РЭК 52	24	не более 40	900	от 200

Таблица 5. Характеристика реле.

4. Резисторы.

Тип	Сопротивление	Мощность рассеивания Вт
ПостоянныйR1	1Мом	0,5
ПостоянныйR2	51Ом	0,5
ПостоянныйR3	1,5КОм	0,5
Переменный R4	330КОм	­­__
Переменный R5	1МОм	__
Постоянный R6	30КОм	0,125
ПостоянныйR7	100КОм	0,125

Таблица 6. Характеристика резисторов.

5. Конденсаторы - 0,68мкФ

6. Диодный мост КЦ407 А

7. Светодиод