Вопрос №48 Назначение и использование технологии ht.

Основная идея HT замена шинного соединения компонентов с системами двухточечного встречнонаправленых соединений, при этом достигается более высокая тактовая частота, что обеспечивает более высокую пропускную способность. Архитектура шины поддерживает все типы транзакций. Транзакции выполняются в виде серии передающих пакетов различных типов: традиционных и специальных. Транзакции обеспечивают программно взаимный процесс с устройствами прямого доступа к памяти и одноранговое взаимодействие устройств.

Транзакции выполняются:

Индикатор посылает пакет запрос и данные для транзакции записи. Целевое устройство посылает пакет – ответ и данные для транзакции чтения. Устройство HT может выступать в роли индикатора и целевого устройства транзакции. Технология HT предназначена для соединения компонентов компьютерной и коммуникационных аппаратов. Слоты и карты расширения технологией не предусматриваются. Частота синхронизации 200 – 1000МГц.

Вопрос №47 Динамическая память.

Для современных видов памяти характерно повышение быстродействия

1. Повышение быстродействия ядра – снижает время доступа к запоминающим ячейкам (5 – 7 нс)

2. Применение конверизации

Увеличение количества независимых банков. Чем больше независимых банков в ОЗУ тем больше вероятность их одновременного использования при обслуживании конкурирующих запросов.

Увеличение шины данных 8 байт – 64 разряда.

Повышение скорости передачи данных по интервалам памяти. SDRAM (100, 133 МГц), DDR SDRAM (2x200), DDR2 (2x400).

Использование канальных буферов между ядром и внешним интерфейсом.

Увеличение количества независимых банков и разрядности шины данных препятствует увеличению скорости передачи данных по интерфейсу памяти.

Большая разрядность интерфейса ограничена и масштабом памяти: нельзя увеличивать объем ОЗУ добавляя по одной микросхеме.

Банк памяти набирается из модулей количество которых обеспечивает разрядность требуемую микросхемам и чипсету, включая и контрольные биты.

В банке все одноименные адресные входы микросхем и линии RAS соединяются параллельно. RAS – сигнал доступа к строке. Каждый банк выбирается своим сигналом RAS. Линии доступа к столбцу должны быть индивидуальными для каждого байта, чтобы обеспечить возможность записи в любой байт банка. Модули могут содержать один или два банка микросхем(двусторонние модули).

Увеличению числа слотов препятствует ограничение нагрузочной способности шины памяти – каждый слот носит индуктивность ограничивающую быстродействие шины, поэтому чтобы исключить это влияние для модулей SDRAM уже на частоте шины 100 МГц была разработана спецификация pc100 в которой помимо требований к быстродействию. памяти задаются правила разводки сигналов и питания проводников. Позднее появилась спецификация PC 133. На высоких частотах приходится учитывать задержки распространения сигналов в проводниках, неодинаковость или перекос этих задержок.

Повышение производительности засчет чередования банков требует усложнения контроля памяти и обеспечение независимости банков. В микросхемах SDRAM используется чередование внутренних микросхем что не требует дополнительных сигналов.