- •1 Строение атомного ядра.
- •2 Спин ядра, электрический и магнитный моменты ядер.
- •6 Радиоактивные семейства.
- •7 Закон радиоактивного распада.
- •11 Электронные спектры атомов и молекул.
- •10 Виды связей между атомами и молекулами.
- •13 Явление электромагнитной индукции. Самоиндукция.
- •18 Электролиз. Законы электролиза.
- •14 Электромагнитное излучение, его источники и природа.
- •15 Спектр электромагнитного излучения.
- •16 Термо- и фотоэлектронная эмиссия.
- •19 Гальванические элементы.
- •20 Электрохимический ряд активности металлов.
- •22 Виды связи между частицами в кристаллах
- •24 Зонная теория твёрдого тела.
- •23 Классическая электронная теория электропроводности металлов.
- •25 Полупроводники.
23 Классическая электронная теория электропроводности металлов.
Каждый атом металла отдает валентный электрон из внешней оболочки, и эти свободные электроны растекаются по металлу. Атомы металла при этом объединены в трехмерную кристаллическую решетку, которая практически не препятствует перемещению свободных электронов внутри нее.
Как только к проводнику прикладывается электрическая разность потенциалов, свободные электроны приходят в упорядоченное движение.
Сначала электроны движутся равноускоренно, но очень скоро электроны перестают ускоряться, сталкиваясь с атомами решетки. Атомы решетки начинают колебаться всё с большей амплитудой относительно условной точки покоя, и наблюдается термоэлектрический эффект (проводник
разогревания).
Электроны при столкновении с решеткой тормозятся и их скорость устанавливается на усредненной отметке (несколько миллиметров в секунду).
25 Полупроводники.
Полупроводниками являются химические элементы имеющие валентность четыре, такие как кремний, германий, селен, а также некоторые химические соединения.
В обычных условиях валентные электроны полупроводников участвуют в образовании кристаллической решетки и не являются электронами проводимости.
При повышении температуры возможен разрыв некоторых валентных связей. Образуются свободные электроны, которые движутся против внешнего электрического поля, образуя электрический ток.
Полупроводники бывают двух видов: с собственной и примесной проводимостью.
У полупроводников с собственной проводимостью разрыв валентной связи приводит к образованию свободного места, которое может занять любой электрон. Образуется положительный заряд, называемый дыркой. Дырка движется противоположно электрону, по направлению внешнего поля. Такая проводимость называется дырочной.
Примесная проводимость образуется в результате добавления в полупроводник специальной примеси.
пятивалентных элементов (мышьяка) или трехвалентных (бора).
Различают примесную проводимость n-типа (отрицательный) и p-типа (положительный).
Полупроводники n-типа создаются добавлением, например, в кремний (IV) мышьяка (V). Между атомами мышьяка и кремния будет оставаться "лишний" свободный электрон проводимости. При этом образования дырки не произойдет, проводимость обеспечивается только электронами.
Полупроводники p-типа создаются добавлением в кремний (IV) бора (III). В кристаллической решетке в этом случае не будет хватать электрона, образуется дырка. В этом случае имеет место дырочная проводимость.