2.3 Выбор резистора r7

Резистор R7 улучшает процесс управления транзистором VT1 в режиме запирания. Согласно рекомендациям /6/ R7 выбирается таким, чтобы через него протекал ток, составляющий (0,1…0,2) от тока базы VT1

(2.8)

Выбор типа резистора осуществляется согласно требованиям к климатическим условиям, температурному режиму, частотным свойствам, номиналу, допуску, мощности, конструктивному исполнению и т. п. В нашем случае R7=2∙20/(0,2·2.4)=83.33 Ом. Мощность, рассеиваемая на резисторе R7, составляет P_R7=2²/83.33=0,048 Вт. Из стандартного ряда номинальных значений резисторов с допуском 5% выбираем R7=91 Ом, 0,125 Вт. Из справочника /13/ выбираем металлизированный лакированный теплостойкий резистор С2–33–0,125Вт–91Ом–5%А0.467.027ТУ. Внешний вид резистора приведен на рис. 7. Его параметры: D = 2,2; L = 6; l = 20; d = 0,6.

Рис. 7. Резистор С2-33

Рассчитаем выравнивающий резистор R3¹:

(2.9)

R3=0,1·2/1=0,2 Ом. Мощность, рассеиваемая на нем P_R3=0,1·2·1=0,2 Вт. Выбираем резистор R3=0,2 Ом типа С5–16МВ–1Вт–0,15Ом5%.

Внешний вид резистора представлен на рис. 8. Его параметры: D = 9; L = 19.

Рис. 8. Резистор С5-16МВ

2.4 Выбор составного транзистора vt5

Максимальные значения коллекторного тока, напряжения коллектор-эмиттер и мощности этого транзистора находятся как

(2.10),

где h_21,1 – коэффициент усиления по току транзистора VT1; I_R7=U_БЭ1/R7 – ток резистора R7; I_ДОП – сумма дополнительных токов, протекающих через резистор R8, стабилитрон VD5, выходной делитель напряжения R12, R13, R14; U_Дmax – максимальное напряжение дополнительного источника питания. Согласно рекомендациям /6/ суммарный ток I_ДОП не превышает 0,01 А. Пока не выбрано напряжение дополнительного источника питания U_Д, принимаем U_5max=U_Amax, где U_Amax – максимально допустимое входное напряжение микросхемы A1. В нашем случае I_5max=2.4/20+2/91+0,01=0,15 А, U_5max=40 В.

Учитывая эти параметры, выбираем транзистор n-p-n типа большой мощности низкой частоты КТ815В.

Рис. 9. КТ815В

Основные параметры транзистора КТ815В приведены в табл. 4.

Табл. 4

№ п/п	Параметр	Значение
1	Максимально допустимый ток коллектора IKmax	1,5
2	Максимально допустимое напряжение UКЭmax	40
3	Максимальная мощность рассеивания PKmax , Вт при ТК=25 °С;	10
4	Максимальная температура перехода ТПmax, °C	125
5	Максимальная температура корпуса ТKmax, °C	100
6	Коэффициент усиления по току h21Э	40
7	Напряжение насыщения UКЭнас, В	0,6
8	Обратный ток коллекторного перехода IКБо, мА	0,05
9	Граничная частота усиления fГР, Гц	3∙10^6
10	Емкость коллекторного перехода СК, пФ	60
11	Емкость эмиттерного перехода СЭ, пФ	75
12	Тепловое сопротивление переход-корпус RTп-к, °С/Вт	10