4.4. Измерение емкости p-n перехода

Измерение С_БАР производится по схеме:

Схема измерения барьерной ёмкости перехода

Катод диода подключается к резистору R_К, а анод - к источнику сигнала V1. Снимается зависимость барьерной емкости диода от величины обратного смещения (от 1 до 10 В).

Емкость обратно-смещенного перехода С_К образует с сопротивлением резистора R_К делитель напряжения. Измерив значения переменных напряжений V(1) и V(2), можно рассчитать емкость С_К по формуле:

где F - частота источника синусоидального напряжения.

Для повышения точности определения емкости С_К сопротивление R_К подбирается таким, чтобы V(2) ≈ 0,5V(1). Измерения производятся при раз­личных значениях постоянного напряжения на переходе путем измене­ния напряжения питания V2 от 1 до 10 В. Строится зависимость С_К=f(U_ПЕР).

5.1 Выводы.

Значение напряжение на диоде, в отличие от одиночного импульса на источнике тока, возвращается к нулевому значению не мгновенно. Рассчитанные в ходе работы, периоды затухания в 3-4 раза больше времени передачи импульса генератора напряжения. А периоды затухания при включении в цепь генератора тока больше времени действия импульса порядка 40 раз. Это объясняется особенностями построения диода, его емкостными характеристиками.