- •Содержание
- •Образование p-n перехода
- •3. Решение уравнения пуассона для области объемного заряда p-n перехода
- •Зависимость ширины ооз и зарядной емкости
- •5. Механизм выпрямления на p-n переходе (диодная теория выпрямления)
- •6. Вольт -амперная характеристика p-n перехода
- •7. Пробой p-n перехода
- •Методические указания по выполнению курсовой рабоТы по дисциплине «физические основы микроэлектроники»
- •9.1 Образование p-n перехода;
- •Задание для расчетной части
- •Порядок расчета
- •Контрольные вопросы для самопроверки
- •Что такое электронно-дырочный переход (p-n переход)?
- •Какие электронно-дырочные переходы называют симметричными и какие несимметричными?
- •Некоторые физические постоянные и соотношения между единицами физических величин
- •Рекомендуемая литература
Некоторые физические постоянные и соотношения между единицами физических величин
Масса покоя электрона m0= 9,1110-31 кг.
Абсолютное значение заряда электрона q= 1,610-19 Кл.
Скорость света в вакууме c= 3108 м/с.
Постоянная Планка h = 6,6210-34 Дж с = 4,1410-15 эВс.
Постоянная Дирака ħ =h/2 = 1,0510-34 Джс.
Постоянная Больцмана к0= 1,3810-23 Дж/К= 8,62510-5 эВ/К.
Диэлектрическая постоянная вакуума 0 = 8,8510-12 Ф/м.
Абсолютная температура Т= tС +273.
1эВ = 1,610-19 Дж.,
1В = 1 м2 кг с-3А-1.,
1А = 1 Клс-1.,
1Дж= 1 м2 кг с-2.
Рекомендуемая литература
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы .- М.: Высшая школа, 1987.- 479 с.
Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы.-М.: Энергоиздат, 1990,-576 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов: 2-х кн.-М.: Мир, 1984.- 456 с.
Несмелов Н.С., Славникова М.М., Широков А.А. Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие (конспект лекций). –Томск, 2006, –246с.