- •Часть 1
- •Раздел 1 элементная база электроники Введение. Определение понятия «Электроника»
- •Электронные лампы и электровакуумные приборы
- •Свойства электрона и электронная эмиссия
- •Виды электронной эмиссии
- •Устройство и принцип работы электровакуумных приборов
- •Устройство ламп
- •Двухэлектродная электронная лампа – диод
- •Принцип работы диода
- •Характеристики и параметры диода
- •Характеристики диода
- •Статические параметры диода
- •Трехэлектродная лампа (триод)
- •Характеристики триода
- •Тетроды и пентоды
- •1.2 Электронно-лучевые приборы Электронно-лучевые трубки
- •Основные параметры элт
- •Система обозначений электронных и электронно – лучевых приборов
- •Система обозначений электроннолучевых трубок
- •Полупроводниковые приборы Свойства полупроводников, влияние примесей на проводимость
- •Примесная проводимость полупроводника
- •1.4 Полупроводниковые резисторы
- •1.5 Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Светодиоды
- •Фотодиоды
- •1.6 Биполярные транзисторы
- •Физические принципы работы транзисторов
- •Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
- •1.7 Полевые транзисторы
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •Характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп)
- •Маркировка транзисторов
- •Схемы включения пт и их особенности
- •1.8 Тиристоры
- •Диодный тиристор
- •Триодный тиристор
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы
- •Накальные индикаторные приборы
- •Электролюминесцентные индикаторы (эли)
- •Вакуумно-люминесцентные индикаторы
- •Газоразрядные знаковые индикаторы (ин)
- •Ионные приборы (газоразрядные)
- •Тиратрон с холодным катодом
- •Сигнальные неоновые лампы
- •1.10 Оптроны
- •Конструкция оптронов
- •Типы оптопар, параметры и характеристики
- •Раздел 2 электронные устройства
- •2.1 Электронные усилители
- •Параметры и характеристики усилителей
- •Классификация усилителей
- •Принцип построения усилительных каскадов
- •Характеристики усилителей
- •Особенности многокаскадных усилителей
- •2.2 Режимы работы усилительных каскадов (классы усиления)
- •Температурная стабилизация усилителей
- •2.3 Обратные связи в усилителях
- •Виды ос
- •2.4 Схемы включения усилительных каскадов (ук)
- •Особенности ук на полевых транзисторах
- •2.5 Усилители мощности
- •Классификация усилителей мощности
- •Однотактный усилитель мощности
- •Двухтактные трансформаторные усилители мощности
- •Бестрансформаторные усилители мощности
- •2.6 Усилители постоянного тока
- •Упт с одним источником питания
- •Упт с двумя источниками питания
- •Дрейф в упт
- •2.7 Операционные усилители
- •Характеристики оу
- •Параметры оу
- •Решающие схемы на оу
- •2.8 Избирательные усилители
- •Высокочастотные иу
- •Низкочастотные иу
- •2.9 Генераторы гармонических колебаний
- •Литература
- •Содержание
- •Раздел 1 элементная база электроники..........................................3
- •1.1 Электронные лампы и электровакуумные приборы…...............................6
- •1.2 Электронно-лучевые приборы.......................................................................24
- •1.3 Полупроводниковые приборы......................................................................31
- •1.4 Полупроводниковые резисторы...................................................................35
- •1.5 Полупроводниковые диоды ..........................................................................41
- •1.6 Биполярные транзисторы..............................................................................54
- •1.7 Полевые транзисторы.....................................................................................62
- •1.8 Тиристоры..........................................................................................................72
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы..........................................78
- •1.10 Оптроны...........................................................................................................85
- •Раздел 2 электронные устройства....................................................90
- •2.1 Электронные усилители..................................................................................90
1.5 Полупроводниковые диоды
p-n-переход и его свойства
Область на границе двух полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным или p-n-переходом. На практике p-n-переход получают введением в примесный полупроводник дополнительной легирующей примеси. Например, у полупроводника p-типа вводится донорная примесь. При соприкосновении двух полупроводников в пограничном слое происходит рекомбинация электронов и дырок. Свободные электроны из зоны полупроводников n-типа занимают свободные уровни в валентной зоне полупроводника p-типа. В результате вблизи границы двух полупроводников образуется запирающий слой, лишенный подвижных носителей заряда и поэтому обладающий высоким электрическим сопротивлением.
Кроме того, в n-области в приграничном слое образуется положительный объемный заряд, который создан положительными заряженными атомами донорной примеси (т. к. электроны ушли в полупроводники р-типа), а в p-области образуется отрицательный объемный заряд, который создан отрицательными заряженными атомами акцепторной примеси (т. к. дырки были заполнены электронами – из полупроводников n-типа).
Между образовавшимися объемными зарядами возникает контактная разность потенциалов Uk = φn – φp, на диаграмме показано распределение потенциала вдоль оси х, перпендикулярной границе раздела двух полупроводников, за нулевой потенциал принят условно потенциал граничного слоя (рисунок 1.21).
Возникшая разность потенциалов Uk создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее дальнейшему переходу электронам из n-области в p-область и дырок из p-области в n-область. Т. е. возникает потенциальный барьер.
В то же время электроны из полупроводника p-типа могут свободно двигаться в полупроводник n-типа, так же как дырки из полупроводника n-типа могут двигаться в полупроводник p-типа. Т. е. контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. При движении через p-n-переход неосновных носителей заряда возникает дрейфовый ток Iдр. Движение небольшого количества основных носителей приводит к появлению диффузионного тока Iдиф. Мы рассмотрим ситуацию при отсутствии внешнего напряжения.
0
Uk
φn
x
φp
+
φ
-
φ
p
n
Рисунок 1.21 – Распределение потенциала вдоль оси х, перпендикулярной границе раздела при отсутствии внешнего источника напряжения
Пусть теперь источник внешнего напряжения подключен положительным полюсом к полупроводнику p-типа и отрицательным полюсом к полупроводнику n-типа. Такое напряжение, у которого полярность совпадает с полярностью основных носителей, называется прямым (рисунок 1.22).
В этом случае внешнее электрическое поле направлено навстречу полю контактной разности потенциалов. В результате высота потенциального барьера понижается, возрастает Iдиф, который называют прямым током, сопротивление p-n-перехода резко снижается, уменьшается также ширина запирающего слоя. Когда d = 0, то потенциальный барьер в p-n-переходе исчезает и сопротивление p-n-перехода определяется только сопротивление полупроводника.
p
n
0
x
Uk
- Uпр
Ek
Eпр
iпр
iпр
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
+
φ
-
φ
Рисунок 1.22 – Распределение потенциала при прямом включении источника
Пусть источник внешнего напряжения подключен положительным полюсом к n-области, а отрицательным полюсом к p-области. Такое включение называется обратным.
Поле, создаваемое обратным напряжением Uобр, складывается с полем контактной разности потенциалов. Высота потенциального барьера увеличивается (рисунок 1.23), а так же расширяется толщина запирающего слоя, т. к. с увеличением Uобр основные носители заряда будут удаляться от p-n-перехода. При этом сопротивление p-n-перехода увеличивается, ток через p-n-переход становится очень малым. Такой p-n-переход обладает электрической емкостью, которая зависит от его площади, ширины и диэлектрической проницаемости запирающего слоя.
Такая емкость называется барьерной емкостью.
+
+
-
-
Uk
+ Uобр
0
x
p
n
Ek
Eобр
iобр
iобр
Uобр
Рисунок 1.23 – Распределение потенциала при обратном включении источника
C
Uобр
Рисунок 1.24 – Зависимость C от Uобр