- •Получение монокристаллического кремния: метод Чохральского, метод бестигельной зонной плавки.
- •Из его лекций:
- •1.5. Получение монокристаллического кремния.
- •Технологические этапы обработки слитков кремния при подготовке производства полупроводниковых приборов и интегральных схем.
- •Альтернативные кремнию полупроводниковые материалы. Молибденит и интегральная схема из него.
- •Технологии полупроводниковых приборов: точечные диоды и транзисторы, причины образования.
Технологии полупроводниковых приборов: точечные диоды и транзисторы, причины образования.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ С ТОЧЕЧНЫМИ КОНТАКТАМИ
ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ
Поверхность реального кристалла
Точечные диоды применяют в качестве смесительных детекторов для работы в супергетеродинных приемниках, а также в качестве видеодетекторов в приемниках прямого усиления, либо в измерительных схемах до трехсантиметрового диапазона волн включительно; детекторов амплитудно- и частотно- модулированных сигналов (в телевизорах); кольцевых модуляторах (в счетно-решающих схемах) и маломощных выпрямителей тока (в измерительных, электромеханических и радиотехнических устройствах).
1.2. ТОЧЕЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Т.т. - маломощные триоды (не выше 100 мВт). Коллекторный зонд из фосфористой бронзы, эмиттерный зонд — бериллиевая бронза.
После установки зондов на небольшом расстоянии друг от друга (7—10 мк) на поверхности германия производят электроформовку.
Под эмиттерным зондом образуется небольшая область германия р-типа, а под коллекторным зондом благодаря диффузии фосфора в области р-типа под самым контактом образуется микрообласть германия n-типа (рис. 4).
Таким образом, в точечном германиевом триоде получается р-п-р-п структура.
Большое влияние на параметры точечного триода оказывает расстояние между зондами эмиттера и колллектора.
Основное назначение точечных триодов— усиление электрических сигналов и генерирование электрических колебаний на частотах от 0,5 до 10 Мгц.
Точечные триоды применяют в схемах триггеров, мультивибраторов, генераторов пилообразного напряжения, генераторов синусоидального напряжения, а также в схемах усиления промежуточной и высокой частоты.
35. Технологии полупроводниковых приборов: диоды и транзисторы со сплавными p-n–переходами.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ с P-N-ПЕРЕХОДАМИ, ПОЛУЧЕННЫМИ МЕТОДОМ .