4. Контрольные вопросы

4.1. Перечислить и дать объяснение основным закономерностям энергетического спектра электронов ВЭЭ.

4.2. Охарактеризовать временную дисперсию ВЭЭ.

4.3. Объяснить зависимость коэффициента ВЭЭ от угла падения бомбардирующих электронов.

4.4. Дать понятие закона подобия ВЭЭ.

4.5. Дать понятие критических энергий и критических потенциалов.

4.6. Объяснить особенности ВЭЭ диэлектриков и изолированных проводящих эмиттеров.

4.7. Охарактеризовать эффективность ВЭЭ обычных (чистых) металлов, полупроводников и диэлектриков. Выяснить причины, по которым они не могут быть использованы в технике.

4.8. Сформулировать пути увеличения эффективности ВЭЭ.

5. Рекомедуемая литература

1. Фридрихов С.А., Мовин С.М. Физические основы электронной техники. – М.: Высшая школа, 1982. – 608 с.

2. Соболев В.Д. Физические основы электронной техники. – М.: Высшая школа, 1979. – 448 с.

3. Бронштейн Ш.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. – М.: Наука, 1969. – 407 с.

4. Соболев В.Д., Меламид А.В. Фотоэлектронные приборы. – М.: Высшая школа, 1974. – 376 с.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Параметры ФЭУ-13

Фотоэлектронный умножитель ФЭУ-13 электровакуумный прибор, в котором поток первичных электронов усиливается посредством вторичной электронной эмиссии. Основное назначение ФЭУ заключается в преобразовании световых сигналов в электрические сигналы и усилении слабых фототоков.

Число каскадов усиления (N)…………………………..12

Номинальное напряжение анод-катод ( )………….1700 В

Темновой ток…………………………………………….0,4 мкА

Интегральная чувствительность фотокатода ( )…..50 [ ]

Интегральная чувствительность ФЭУ ( )…………6 [ ]

( =  ; = ).

Измерение характеристик и параметров вторичной электронной эмиссии

Методические указания

Составители: И.О. Болотина, Ю.В. Мутовин