Тестовые задания. Третий модуль

1. Закон Дюлонга и Пти: молярная теплоемкость всех химически простых тел в кристаллическом состоянии одинакова и равна

1) R 2) 2R 3) 3R 4) 4R

2. Укажите правильную зависимость теплоемкости от температуры по закону Дюлонга и ПТИ.

1) 1 2) 2 3) 3 4) 4

3. Энергия гармонического осциллятора имеет значения

1) 2)

3) 4)

4. Теплоемкость кристалла по Эйнштейну равна

1) 2)

3) 4)

5. Укажите правильную зависимость теплоемкости от температуры по теории Эйнштейна

6. Полученное выражение для теплоемкости в теории Эйнштейна стремится к нулю

1) по экспоненциальному закону 2) прямо пропорционально Т²

3) обратно пропорционально Т² 4) прямо пропорционально Т³

7. Колебания атомов в кристаллической решетки не явля­ются независимыми. Смещение одного из атомов из положения равновесия влечет за собой смещения других соседних с ним атомов. Таким образом, кристалл пред­ставляет собой систему N упруго связанных друг с другом атомов, облада­ющую 3N степенями свободы. Этот процесс был учтен в теории

1) Дюлонга и Пти 2) Эйнштейна 3) Дебая 4) Карно

8. Температура, которая указывает для каждого вещества ту область, где становится существенным квантование энергии колебаний, называется характеристической температурой

1) Дюлонга и Пти 2) Эйнштейна 3) Дебая 4) Карно

9. Характеристическая температура Дебая выражается формулой

1) 2) 3) 4)

10. Полученное выражение для теплоемкости в теории Дебая стремится к нулю

1) по экспоненциальному закону 2) прямо пропорционально Т²

3) обратно пропорционально Т² 4) прямо пропорционально Т³

11. Вклад в теплоемкость вносят только электроны находящиеся (1)

в слое kT вблизи уровня Ферми

ниже уровня Ферми

выше уровня Ферми

на уровне Ферми

12. При температуре Т полная энергия N валентных электронов опи­сывается выражением (1)

1) 2)

3) 4)

13.Участвовать в теплоемкости могут лишь электроны, которые лежат в слое вблизи уровня Ферми и ведут себя как простой газ с тепловой энергией равной

1) 2) kT 3) 4)

14. Температурная зависимость решеточной и электронной теплоемкостей: электронная часть теплоемкости металла

1) изменяется с темпера­турой линейно, а решеточная — в соответствии с законом Дебая.

2) изменяется с темпера­турой экспоненциально, а решеточная — в соответствии с законом Дебая.

3) изменяется с темпера­турой в соответствии с законом Дебая, а решеточная — линейно.

4) изменяется с темпера­турой линейно, а решеточная — экспоненциально.

15. Относительная величина электронной теплоемкости (по сравнению с теплоемкостью решетки) сильно зависит от тем­пературы. При низких температурах (ниже 5° К)..

1) теплоемкость, обусловленная электронами, больше теплоемкости решетки, а при высоких температурах — значительно меньше.

2) теплоемкость, обусловленная электронами, меньше теплоемкости решетки, а при высоких температурах — значительно больше

3) и при высоких температурах теплоемкость решетки, обусловленная электронами одинакова

1 6. На рис. приведен график функции Ферми w_(E) для

1) температуры равной 0 К

2) любой температуры выше 0 К

3) температуры равной температуре плавления

4 ) температуры равной температуре кипения

17. На рис. приведен график функции Ферми w_(E) для

1) температуры равной 0 К

2) любой температуры выше 0 К

3) температуры равной температуре плавления

4) температуры равной температуре кипения

18. Электрическую проводимость обусловливает градиент электрического

1) потенциала 2) сопротивления

3) тока 4) удельного сопротивления

19. Вклад в теплоемкость вносят электроны лежащие вблизи уровня Ферми в слое шириной

1) kT 2) 2kT 3) 3kT 4) kT/2

20. Температура Ферми удовлетворяет условию

1) 2) 3) 4)

21. При тепловых возбуждениях электроны

1) подчиняются принципу Паули 2) не подчиняются принципу Паули

3) подчиняются принципу Ферми 4) не подчиняются принципу Ферми

22. Зависимость электронной теплоемкости от температуры является

1) линейной 2) экспоненциальной 3) квадратичной 4) кубической

23. Закон Ома устанавливает линейную связь между плотностью тока и

1) напряженностью электрического поля 2) силой тока

3) сопротивлением проводника 4) напряжением в цепи

24. В отсут­ствие электрического поля никакого результирующего тока в веществе быть не может. Этот факт следует из свойств распределения

1) Ферми 2) Больцмана 3) Максвелла 4) Дирака

5) Бозе – Эйнштейна

25. Закон Ома утверж­дает, что при данной величине внешнего поля

1) ток ограничен и име­ет некоторое постоянное значение, не зависящее от времени 2) ток ограничен, но име­ет постоянное значение, зависящее от времени 3) ток не ограничен

4) ток не ограничен и име­ет значение зависящее от времени

26. На трансляционное движение валентного электрона

1) не влияет его взаимодействие с идеальной решеткой ионов.

2) влияет его взаимодействие с идеальной решеткой ионов.

3) влияет конфигурация ионной решетки

4) не влияет его взаимодействие с дефектами решетки

27. Электропроводность кристалла определяется выражением

1) 2) 3) 4)

28. Подвижность носителей заряда в твердом теле определяется выражением

1) 2) 3) 4)

29. Рассеяние электронов может происходить на различного рода дефектах решетки: 1) на тепловых колебаниях, 2) на примесях 3) на де­фектах, связанных с механическими деформациями. Вклады в удельное сопротивление, обусловленные этими причинами, аддитивны. Это правило

1) Маттисена 2) Ферми – Дирака

3) Бозе – Эйнштейна 4) Джоуля – Ленца

30. Правило Маттисена записывается в следующей форме (1)

1)

2)

3)

4)

3 1. Разность потенциалов между точками 1 и 2 в эффекте Холла возникает, если вектор индукции внешнего магнитного поля и направление тока через пластину расположены как показано на рисунке

1) 1 2) 2 3) 3 4) 4

32. Измерения эффекта Холла позволяют определить (1)

1. Знак носителей тока. 2. Концентрацию носителей тока

3. Подвижность 4. Электроотрицательность

5. Значение уровня Ферми 6. Величину электронной проводимости

1) 1, 2, 3 2) 4, 5, 6 3) 1, 3, 5 4) 2, 4, 6

33. Полную теплопроводность кристалла, можно предста­вить как

1) 2)

3) 4)

34. Сверхпроводник является идеальным

1) диамагнетиком 2) парамагнетиком

3) ферромагнетиком 4) ферримагнетиком

35. Теория БШК (Бардина, Купера, Шриффера) ба­зируется на том факте, что при абсолютном нуле непосредственно…………………………. в энергетическом спектре имеется щель (область запрещенных энергий). Вставить пропущенные слова

1) над уровнем Ферми 2) под уровнем Ферми

3) на уровне Ферми 4) вместо уровня Ферми

36. Распределение Ферми целиком смещается электрическим полем из положения, соответствующего k = 0, в новое положение в зоне Бриллюэна в

1) сверхпроводнике 2) полупроводнике 3) проводнике 4) диэлектрике

37. Переход из сверхпроводящего состояния в не сверхпроводящее, в отсутствие магнитного поля, происходящий при возрастании температуры — называется фазовым переходом

1) первого рода 2) второго рода 3) третьего рода 4) четвертого рода

38. Если внешнее поле отсутствует (Е = 0), то на электрон действует

1) только одна кулоновская сила его притяжения к ядру

2) только одна кулоновская сила его отталкивания от ядра

3) кулоновская и центростремительная силы

4) кулоновская и центробежная силы

39. На рисунке укажите правильное направление кулоновской силы

1) 1

2) 2

3) 3

4) 4

40. При действии на атом водорода внешнего электрическое поле (Е  0), вектор напряженности которого, перпендикулярен плоскости орбиты электрона смещении плоскости орбиты электрона определяется по формуле

1) 2) 3) 4)

41. Диполь, возникающий в атоме водорода, при смещении орбиты электрона под действием внешнего электрического поля называется

1) упругим 2) электромагнитным 3) водородным 4) не упругим

42. Способность атомов, ионов или молекул приобретать дипольный электрический момент во внешнем электрическом поле называется

1) поляризуемостью 2) поляризацией

3) восприимчивостью 4) электризацией

43. Поляризуемость неполярной молекулы зависит только от

1) ее объема 2) напряженности внешнего электрического поля

3) заряда ядра 4) электропроводности материала

44. На рисунке приведена схема

1 ) электронной поляризации

2) ориентационной поляризации

3) ионной поляризации

4) дипольной поляризации

45. На рисунке приведена схема

1) электронной поляризации

2) ориентационной поляризации

3) ионной поляризации

4) дипольной поляризации

46. Физическая величина численно равная отношению дипольного электрического момента малого объёма V диэлектрика к величине этого объёма называется

1) вектором поляризации 2) диполем

3) вектором ориентации 4) вектором диполя

47. Укажите правильную зависимость диэлектрической восприимчивости от температуры для полярных молекул

1) 1

2) 2

3) 3

4) 4

44. Укажите правильную зависимость зависимость диэлектрической восприимчивости от температуры для не полярных молекул

1) 1

2) 2

3) 3

4) 4

45. Связь между поверхностной плотностью поляризационных зарядов и числовым значением вектора поляризации диэлектрика выражается формулой

1) 2) 3) 4)

46. Поток вектора электрического смещения сквозь произвольную замкнутую поверхность равен сумме свободных и связанных зарядов, охватываемых этой поверхностью. Это теорема Остроградского – Гаусса для поля в

1) веществе 2) вакууме 3) сегнетоэлектрике 4) пьезоэлектрике

47. Вещества, в которых имеется спонтанная поляризация, называются

1) пироэлектриками 2) диэлектриками

3 ) пьезоэлектриками 4) ферритами

48. На рисунке приведена зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля в веществе для

1) сегнетоэлектриков

2) пьезоэлектриков

3) щелочногалоидных кристаллов

4) ионных кристаллов

49. На рисунке приведена зависимость диэлектрической восприимчивости от напряженности электрического поля в веществе для

1) сегнетоэлектриков

2) пьезоэлектриков

3) щелочногалоидных кристаллов

4) ионных кристаллов

50. Спонтанная ориентация дипольных момен­тов, ведущая к образованию доменов, происходит у сегнетоэлектриков

1) в определенном температурном интервале между верхней и нижней точ­ками Кюри 2) ниже верхней точки Кюри

3) выше нижней точки Кюри 4) только в точках Кюри

51. Вариконды – это

1) конденсаторы с управляемой емкостью

2) конденсаторы с изменяемым диэлектриком между обкладками

3) резисторы с переменным сопротивлением

4) подстроечные резисторы

52. Диэлектрики, в которых соседние диполи ориентирова­ны в противоположные стороны, вследствие чего спонтанная поляриза­ция макроскопических объемов отсутствует называются

1) сегнетоэлектриками 2) антисегнетоэлектриками

3) пьезоэлектриками 4) антипьезоэлектриками

53. Вещества, которые не обладают равновесной спонтанной поля­ризацией, но в которых можно создать неравновесную, существующую достаточно долго (метастабильную) поляризацию - охлаждением расплава в электрическом поле, называются

1) электретами 2) сегнетоэлектриками

3) пьезоэлектриками 4) ферроэлектриками

54. Вещества, которые не обладают равновесной спонтанной поля­ризацией, но в которых можно создать неравновесную, существующую достаточно долго (метастабильную) поляризацию - освещением или облучением в электрическом поле, называются

1) электретами 2) сегнетоэлектриками

3) пьезоэлектриками 4) ферроэлектриками

55. Вещества, которые не обладают равновесной спонтанной поля­ризацией, но в которых можно создать неравновесную, существующую достаточно долго (метастабильную) поляризацию - механической деформацией или трением , называются

1) электретами 2) сегнетоэлектриками

3) пьезоэлектриками 4) ферроэлектриками

56. Главная ось кристалла пьезоэлектрика называется

1) оптической 2) электрической

3) пьезоэлектрической 4) диэлектрической

57. Плоскопараллельная пластина пьезоэлектрика вырезана таким образом, что ее ребро d (толщина) направлено параллельно электрической оси Х. Сжатие вдоль оси X вызывает появление раз­ноименных зарядов на обеих гранях, нормальных к оси X. Это –

1) продольный прямой пьезоэлектрический эффект

2) продольный обратный пьезоэлектрический эффект

3) поперечный прямой пьезоэлектрический эффект

4) поперечный обратный пьезоэлектрический эффект

58. Плоскопараллельная пластина пьезоэлектрика вырезана таким образом, что ее ребро d (толщина) направлено параллельно электрической оси Х, а ребро ℓ (длина) – параллельно оси Y, перпендикулярной осям Х и Z. Растяжение вдоль оси Y вызывает появление разноименных зарядов на. обеих гранях, нормальных к оси X. Это –

1( продольный прямой пьезоэлектрический эффект

2) продольный обратный пьезоэлектрический эффект

3) поперечный прямой пьезоэлектрический эффект

4) поперечный обратный пьезоэлектрический эффект

59. В кристаллах, содержащих разновалентные ионы одного и того же элемента, например ионы F³⁺ и Fe^2+, имеет место и часто является доми­нирующим механизм проводимости, называемый механизмом

1) Вервея 2) Кюри 3) Маттисена 4) Джоуля

60. Аномально большой ионной проводимостью при низких температурах отличается класс ионных кристаллов, который получил название суперионных

1) проводников 2) кристаллов 3) диэлектриков 4) сегнетоэлектриков

61. Собственные проводники имеют

1) только электронную проводимость 2) только дырочную проводимость

3) электронную и дырочную проводимость

62. В собственном полупроводнике при 0 К уровень Ферми находится

1) в середине запрещен­ной зоны 2) в середине валентной зоны

3) в середине зоны проводимости 4) на дне запрещенной зоны

5) на дне зоны проводимости

63. Энергия Ферми в соб­ственном полупроводнике представляет собой энергию,

1) от которой происходит возбуждение электронов и дырок.

2) до которой происходит возбуждение электронов и дырок.

3) от которой происходит возбуждение только дырок.

4) от которой происходит возбуждение только электронов

64. На рисунки представлена температурная зави­симость удельной проводимости в логарифмических координатах

1) для собственных полупроводников

2) для собственных полупроводников только n – типа

3) для собственных полупроводников только р – типа

4) для примесных полупроводников только n – типа

5 ) для примесных полупроводников только р – типа

65. На рисунке приведена зонная схема

1) собственного полупроводника n – типа

2) собственного полупроводника р – типа

3) примесного полупроводника n – типа

4) примесного полупроводника р – типа

66. На рисунке приведена зонная схема

1) собственного полупроводника n – типа

2) собственного полупроводника р – типа

3) примесного полупроводника n – типа

4) примесного полупроводника р – типа

67. На рисунке приведено расположение уровня Ферми в

1) собственном полупроводнике n – типа

2) собственном полупроводнике р – типа

3) примесном полупроводнике n – типа

4) примесном полупроводнике р – типа

6 8. На рисунке приведено расположение уровня Ферми в

1) собственном полупроводнике n – типа

2) собственном полупроводнике р – типа

3) примесном полупроводнике n – типа

4) примесном полупроводнике р – типа

69. Увеличение электропровод­ности полупроводников под действием электромагнитного излучения называется

1) фотопроводимостью 2) светопроводимостью

3) электропроводимостью 4) дырочной проводимостью

70. Квази­частицы — электрически нейтральные свя­занные состояния электрона и дырки, образующиеся в случае возбуждения с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны, называются

1) экситонами 2) резонансами 3) фермионами 4) солитонами

71. Люминесценция, возникающая под действием электронов, называется

1) катодолюминесценцией 2) фотолюминесценцией

3) электролюминесценцией 4) радиолюминесценцией.

72. Люминесценция, возникающая под действием электрического поля, называется

1) катодолюминесценцией 2) фотолюминесценцией

3) электролюминесценцией 4) радиолюминесценцией.

73. Люминесценция, возникающая при возбуждении ядерным излучением, называется

1) катодолюминесценцией 2) фотолюминесценцией

3) электролюминесценцией 4) радиолюминесценцией.

74. Длина волны люминесцентного излучения

1) всегда больше длины волны света, возбудившей его

2) всегда меньше длины волны света, возбудившей его

3) всегда равна длине волны света, возбудившей его

4) зависит от длины волны света, возбудившей его

75. Отношение энергии, излу­ченной люминофором при полном высве­чивании, к энергии, поглощенной им, называется

1) энергетическим выходом 2) энергией люминофора

3) энергией излучения 4) энергией поглощения

76. На рисунке приведена зонная схема

1) флюоресценции

2) фосфоренции

3) катодолюминесценции

4) электролюминесценции

76. На рисунке приведена зонная схема

1) флюоресценции

2) фосфоренции

3) катодолюминесценции

4) электролюминесценции

77. Разность потенциалов, обусловленная различием работ выхода контактирующих металлов, назы­вается

1) внешней контактной разностью потенциалов

2) внутренней контактной разностью потенциалов

3) собственной контактной разностью потенциалов

4) выходной контактной разностью потенциалов

7 8. На рисунке приведена энергетическая диаграмма

1) металл – полупроводник

2) металл – диэлектрик

м3) талл – металл

4) полупроводник – полупроводник

5) полупроводник – диэлектрик

6) диэлектрик – диэлектрик

79. p-n переход

1) обладает односторонней про­водимостью

2) обладает двухсторонней проводимостью

3) может обладать односторонней и двухсторонней проводимостью

4) обладает только электронной проводимостью

5) ладает только дырочной проводимостью

80. На рисунке приведена схема

1) точечного германиевого диода

2) меднозакисного выпрямителя

3) транзистора

4) плоскостного германиевого диода

81. Магнитный момент электрона при его движении в атоме по круговой орбите определяется по формуле

1) 2) 3) 4)

82. Отношение числового значения орбитального магнитного момента электрона к числовому значению его орбитального момента импульса

1) не зависит ни от скорости электрона на орбите, ни от радиуса орбиты

2) зависит от скорости электрона на орбите и не зависит от радиуса орбиты

3) зависит от радиуса орбиты и не зависит от скорости электрона на орбите

4) зависит от радиуса орбиты и от скорости электрона на орбите

83. На рис. укажите правильное направление действия силы Лоренца на электрон при его вращение по орбите в атоме

1) 1

2) 2

3) 3

4) 4

84. Укажите правильную математическую запись теоремы Лармора

1) 2) 3) 4)

85. Единственным результатом влияния магнитного поля на орбиту электрона в атоме является прецессия орбиты и вектора магнитного момента электрона с угловой скоростью _L вокруг оси, проходящей через ядро атома и параллельной вектору индукции магнитного поля. Это теорема

1) Лармора 2) Ланжевена 3( Вейсса 4) Столетова

86. Изменение угловой скорости вращения электрона или появление прецессии приводит к изменению величины орбитального тока, то есть появлению дополнительного тока:

1) 2) 3) 4)

87. Явление возникновения в магнетике, помещенном во внешнее магнитное поле намагниченности, ориентированной противоположно полю называется

1) диамагнетизмом 2) парамагнетизмом

3) ферромагнетизмом 4) ферримагнетизмом

88. Вещества, магнитные моменты атомов или молекул которых при отсутствии внешнего магнитного поля равны нулю являются

1) диамагнетиками 2) парамагнетиками

3) ферромагнетиками 4) ферримагнетиками

89. Физическая величина, численно равная отношению магнитного момента малого объема V вещества, к величине этого объема и характеризующая намагниченность вещества называется

1) вектором намагничивания 2) вектором магнитной индукции

3) напряженностью магнитного поля 4) функцией Ланжевена

90. Стержень из диамагнитного материала намагничивается в направлении, противоположном вектору индукции внешнего магнитного поля. Поэтому в неоднородном магнитном поле диамагнетик

1) выталкивается в область более слабого поля

2) втягивается в область более сильного поля 3) остается неподвижным

4) поведение зависит от формы магнетика

91. Стержень из парамагнитного материала намагничивается в направлении, противоположном вектору индукции внешнего магнитного поля. Поэтому в неоднородном магнитном поле диамагнетик

1) выталкивается в область более слабого поля

2) втягивается в область более сильного поля 3)остается неподвижным

4) поведение зависит от формы магнетика

92. Явление возникновения в магнетике, помещенном во внешнее магнитное поле, намагниченности ориентированной вдоль поля, называется

1) диамагнетизмом 2) парамагнетизмом

3) сегнетоэлектричеством 4) пироэлектричеством

93. Классической функция Ланжевена L(a) = 1, то

1) все магнитные моменты направлены параллельно полю.

2) все магнитные моменты направлены перпендикулярно полю.

3) все магнитные моменты равны нулю

4) ориентирующее действие магнитного поля равно «разбрасывающему» действию теплового движения

94. Установите соответствие между номером кривой и типом магнетика

3 Диамагнетик

2 Парамагнетик

1 Ферромагнетик

95. Магнитная вос­приимчивость парамагнитно упорядоченных диполей должна меняться с температурой пропорционально 1/Т. Это – закон

1) Кюри. 2) Ланжевена 3) Столетова 4) Вейсса

96. Диамагнитный эффект присутствует

1) во всех веществах 2) только в диамагнетиках

3) только в парамагнетиках 4) только в ферромагнетиках

97. Закон Кюри – Вейсса записывается следующим образом

1) 2) 3( 4)

98. Укажите две основные причины возникновения магнитного момента электрона:

1. орбитальное движение электрона 2. спин электрона

3. заряд атома 4. механический момент электрона

1) 1, 2 2) 3, 4 3) 1, 3 4) 2, 4

99. спиновой момент электрона всегда равен по величине

1) одному магнетону Бора 2) двум магнетонам Бора

3) трем магнетонам Бора 4) половине магнетона Бора

100. Спины электронов в оболоч­ке всегда складываются друг с другом таким образом, чтобы дать максимально возможные (с учетом принципа Паули) значения момента импульса и магнитного момента. Это правило

1) Хунда 2) Ланжевена 3) Кюри 4) Вейсса

101. В определенной области тем­ператур (от абсолютного нуля до точки Кюри) ферромагнетики облада­ют самопроизвольной намагниченностью, не зависящей от наличия внешнего намагничивающего поля. Это гипотеза

1) Вейсса 2) Кюри 3) Столетова 4) Ланжевена

102. Ниже точки Кюри любое ферромагнитное тело разбивается на малые области, обладающие однородной спонтанной на­магниченностью. Это гипотеза

1) Вейсса 2) Кюри 3) Столетова 4) Ланжевена

103. Эффект Баркгаузена заключается в скачкообразном характере изменения интенсив­ности намагничивания

1) ферромагнетиков в магнит­ных полях

2) диамагнетиков в магнит­ных полях

3) парамагнетиков в магнит­ных полях

4) сегнетоэлектриков в электрических полях

104. Физическая величина численно равная величине напряженности внешнего магнитного поля, которую надо приложить к ферромагнетику, чтобы полностью его размагнитить и характеризует свойство ферромагнетика со­хранять намагниченность называется

1) коэрцитивной силой 2) остаточной намагниченностью

3) задерживающей силой 4) насыщением

105. При намагничивании ферромагнетика происходит изменение его формы и объема. Это явление

1) называется магнитострикцией 2) называется эффектом Баркгаузена

3) происходит только в магнитотвердых материалах

4) происходит только в магнитомягких материалах

106. Ферромагнетизм наблюдается у веществ

1) в любом состоянии 2) только в кристаллическом состоянии

3) с гексагональной структурой 4) с кубической структурой

107. На рисунке приведено схематическое изображение зонной структуры

1) никеля

2) железа

3) кобальта

4) молибдена

1 08. На рисунке приведена кристаллическая структура MnO. Это вещество является

1) ферромагнетиком

2) антиферромагнетиком

3) ферримагнетиком

4) антиферримагнетиком

109. Твердые тела, которые обладают сум­марной намагниченностью вследствие неполной компенсации ан­тиферромагнитного упорядочения спиновых систем, называются

1) ферримагнетиками 2) ферритами

3) ферромагнетиками 4) антиферромагнетиками

110. На рисунке приведена доменная структура соответствующая

1) нулевой результирующей намагниченности

2) максимальной результирующей намагниченности

3) промежуточной результирующей намагниченности

111. Процессы намагничивания и размагничивания являются

1) не обратимыми 2) обратимыми

3) обратимыми только в диамагнетиках

4) обратимыми только в парамагнетиках

112. Площадь петли гистерезиса определяет величину магнитной энергии

1) потерянной в течении полного цикла 2) приобретенной в течении полного цикла 3) потерянной при намагничивании

4) потерянной при размагничивании

113. Обменная энергия при намагничивании ферромагнетика зависит

1) от спинов взаимодействующих атомов и их взаимной ориентации

2) от спинов взаимодействующих атомов, их взаимной ориентации и направления вектора индукции внешнего магнитного поля

3) только от спинов взаимодействующих атомов

4) только от взаимной ориентации спинов

114. . У же­леза, имеющего объемноцентрированную кубическую решетку, осями легкого на­магничивания являются оси типа

1) <100> 2) <110> 3) <111> 4) <101>

115. У никеля, имеющего гранецентрированную куби­ческую решетку, осями легкого на­магничивания являются оси типа (3)

1) <100> 2) <110> 3) <111> 4) <101>

116. Магнитострикционный эффект

1) обратим 2) не обратим

3) обратим только в случае кубической структуры

4) обратим только в случае гексагональной структуры

117. В силовой низкочастот­ной электротехнике используют

1) сплав Fe — Si 2) сплав Fe — Ni 3) сплав Fe – Mo 4) ферриты

118. Для высококачественной маломощной аппаратуры (например, для трансформаторов, ис­пользуемых в электроакустике) используют (2)

1) сплав Fe — Si 2) сплав Fe — Ni 3) сплав Fe – Mo 4) ферриты

118. Для использования в высокочастотных (частоты порядка мегагерц) устройствах используют

1) сплав Fe — Si 2) сплав Fe — Ni 3) сплав Fe – Mo 4) ферриты

120. Добавление к чистому железу кремния

1) уменьшает потери на гистерезис

2) увеличивает потери на гистерезис

3) не влияет на гистерезис

4) увеличивает коэрцитивную силу