- •Электронная оже-спектроскопия тонких пленок LiF
- •Оглавление
- •§ 1. Обзор литературы 4
- •§ 2. Методика проведения эксперимента 10
- •§ 3. Исследование длины пробега относительно спиновой релаксации в тонкой плёнке LiF 14
- •Введение
- •§ 1. Обзор литературы
- •1.1 Поляризованные электроны
- •Свойства кристалла FeNi3
- •1.3 Свойства фторида лития и его тонких плёнок
- •§ 2. Методика проведения эксперимента
- •§ 3. Исследование длины пробега относительно спиновой релаксации в тонкой плёнке LiF
- •3.1 Калибровка источника напыления фторида лития
- •3.2 Исследование длины пробега относительно спиновой релаксации в тонкой плёнке LiF.
- •3.3 Модель
- •Заключение
- •Список использованной литературы
3.3 Модель
Для объяснения поведения зависимостей поляризации вторичных электронов от толщины плёнки LiF на поверхности FeNi3 можно воспользоваться следующей простой моделью. Суммарная поляризация вышедших в вакуум вторичных электронов складывается из:
,
где первое слагаемое числителя соответствует вторичным электронам, вышедшим из магнитной подложки без потери энергии, второе слагаемое - вторичным электронам плёнки, а третье – вторичным электронам подложки, претерпевшим рассеяние без переворота спина в плёнке, но вышедшим после этого в вакуум. Иллюстрация этих величин приведена на рисунке 3.9.
Рис. 3.9 Возможные механизмы выхода поляризованных электронов через плёнку фторида лития.
Так как материал плёнки немагнитен – суммарная поляризация вторичных электронов его равна Pf=0. Вместе с этим для всех элементов зависимостей поляризации и интенсивности можно применить следующие простые выражения:
что преобразует формулу к виду:
,
где λne – длина пробега электронов относительно неупругих соударений в LiF, λs – длина пробега с потерями энергии, I∑ - суммарная интенсивность зарегистрированных электронов, λ1, λ2 - экспериментально полученные скорости спадания экспонент на зависимостях 3.6-3.8, Pb0, Ib0, Ps0, Is0, A, B – константы.
Такое преобразование начальной формулы говорит о том, что при меньших толщинах плёнки поляризация вышедших в вакуум вторичных электронов определяется в основном вторичными электронами подложки, вышедшими из плёнки без потерь энергии, тогда как при больших толщинах плёнки поляризация определяется электронами подложки, претерпевшими рассеяние в плёнке с потерей энергии.
Заключение
В работе проводилось изучение поляризации вторичных электронов, выходящих через тонкую плёнку фторида лития на поверхности магнитного образца FeNi3(110).
Полученная при калибровке скорость напыления составила 0,5 А в минуту.
Экспериментально показано, что длина пробега электронов относительно спиновой релаксации в плёнке фторида лития при различных энергиях в 3‑9 раз превышает длину пробега относительно неупругих соударений.
Список использованной литературы
Мотт М.Ф. Теория атомных столкновений [Текст] / Мотт М. Ф., Месси Г. С. У. // Мир. М. – 1969.
Кесслер И. Поляризованные электроны [Текст] / Кесслер И.//Мир. М.-1987.-367 с.
Gay T. J. Extrapolation procedures in Mott electron polarimetry [Теxt] /Gay T. J., Khakoo M. A., Brand J. A [et.al.]// Instrum.-1992.-63 (1).-P. 114-130.
Седов, В. Л. Антиферромагнетизм гамма-железа. Проблема инвара. [Теxt] / Седов, В. Л. // М.: Наука. ‑ 1987. – 288 с.
L. G. Schulz The Structure and Growth of Evaporation LiF and NaCl Films on Amorphous Substrates [Теxt] // J. Chem. Phys. – 1949 - 17.
D.S. Campbell A study of the structure evaporated lithium fluoride [text]/ D.S. Campbell // Phyl.Mag.-1962 – Vol.7
O.S. Heavens Dielectric Thin Films [Теxt] / 0.S. Heavens ,S.D. Smith //Journal of the optical society of America - Vol. 47 - № 6 June.
Устинов, А.Б. Локальные магнитные свойства поверхности металлов по данным спин-поляризационной электронной оже-спектроскопии [Текст] / А.Б. Устинов, В.Н. Петров// Научно-технически ведомости СПбГПУ. – 2009 - №3.-С.10-16.
В.С. Жигалов Твердотельный синтез железо-никелевых сплавов пермаллоевого и инварного составов [Текст] / В.Г. Мягков, Л.Е. Быкова, Г.Н. Бондаренко[et.al.].
S. Ullah Ion-induced kinetic electron emission from 6LiF,7LiF and MgF2 thin Films [Text]/ S. Ullah, A. H. Dogar, M. Ashraf// Chin. Phys. B – 2010 - No. 8 - Vol. 19