- •Міністерство освіти і науки України
- •1 Загальні вимоги
- •1.1 Зміст розрахунково-пояснювальної записки
- •Розрахунок параметрів і характеристик діода
- •1.2 Графічна частина
- •1.3 Завдання на курсове проектування
- •2 Розрахунок параметрів і характеристик діода
- •3 Розрахунок параметрів і характеристик біполярного транзистора
- •4 Розрахунок параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим p-n-переходом
- •5 Розрахунок параметрів і характеристик мдн-транзистора
- •Список використаних джерел
- •Додаток а
- •Додаток б
3 Розрахунок параметрів і характеристик біполярного транзистора
Початкові дані для розрахунку біполярного транзистора (БПТ) представлені в таблиці 3.1, а графічні пояснення до них - на рисунку 3.1. Пояснення скорочень:
h — товщина пластини, см;
yк, yе — довжина областей колектора і емітера відповідно, см;
zк, zе — ширина областей колектора і емітера відповідно, см;
hк, hе, hб — товщина областей колектора, емітера і бази відповідно, см;
— товщина бази в місці залягання емітерного переходу, см;
Nподл, Nк, Nб, Nе — концентрація домішкових атомів в підкладці, колекторі, базі, емітері відповідно, см-3;
б, к, е — час життя нерівноважних носіїв заряду в базі, колекторі і емітері відповідно, мкс;
R t — тепловий опір корпусу транзистора, К/Вт
Таблиця 3.1 Початкові дані
h, см |
yk , см |
zk, см |
hk , см |
yе, см |
zе, см |
hе , см |
hб, см |
б0, см |
0.025 |
0.014 |
0.1 |
2010-4 |
2010-4 |
0.1 |
1010-4 |
1410-4 |
410-4 |
продовження таблиці 3.1
Nподл, см-3 |
Nk, см-3 |
Nб, см-3 |
Nе, см-3 |
б, с |
k, с |
е, с |
RТ, К/Вт |
1019 |
1016 |
41016 |
1020 |
1610-9 |
910-9 |
910-9 |
50 |
Важливо! Слід звернути увагу, що перед початком розрахунку одиниці довжини необхідно перевести в сантиметри, а одиниці часу — в секунди.
Окрім початкових даних в розрахунку присутні постійні, вказані в розділі 2.
Порядок розрахунку параметрів і характеристик біполярного транзистора наведено нижче.
1) По графічних залежностях рухливості носіїв заряду від концентрації домішки (додаток Б) при відомих концентраціях в базовій і емітерній областях, визначаємо рухливості неосновних носіїв заряду в цих областях:
- у емітерній області неосновними носіями заряду є дірки, тому визначаємо рухливість по залежності для концентрації — ;
- у базовій області неосновними носіями заряду є електрони, тому визначаємо рухливість по залежності для концентрації — ;
У подальшому розрахунку буде потрібна також рухливість основних носіїв заряду в базі (дірок), яку визначаємо по залежності для концентрації — .
2) Розраховуємо коефіцієнти дифузії:
- дірок в емітер — ;
- електронів в базу — .
3) Тоді дифузійні довжини неосновних носіїв в базі і емітері :
см;
см.
4) Коефіцієнт інжекції емітера γ:
5) Коефіцієнт переносу χ:
6) Нормальний коефіцієнт посилення :
7) Коефіцієнт посилення транзистора в схемі з загальним емітером (ЗЕ):
8) Площа емітерного і колекторного переходів Sе, Sк:
см2;
см2.
9) Інверсний коефіцієнт передачі :
10) Струм насичення емітерного переходу :
А.
11) Струм насичення колекторного переходу :
А.
12) Контактні різниці потенціалів переходів φkе, φkk:
В;
В.
13) Бар'єрні ємкості переходів при нульовому зміщенні:
Ф;
Ф.
14) Опір бази транзистора :
Ом.
15) Напруга проколу транзистора :
В.
16) Напруга лавинного пробою :
В.
17) Максимальну напругу колекторного переходу знаходять з умови: , тобто є напругою, при якій коефіцієнт передачі стає рівним одиниці. Тобто:
Таким чином, необхідно вирішити рівняння:
Розв’язання цьго рівняння аналітично в ручному режимі представляє досить трудомістке завдання, тому доцільно розв’язувати рівняння за допомогою комп'ютера, використовуючи програмні пакети MathCAD або Excel. При цьому слід врахувати, що для розв’язання рівняння в залежностях і необхідно замість початкової товщини бази підставити ефективну товщину бази, яка визначається як
,
де параметр F дорівнює:
.
Тоді відповідні рівняння для коефіцієнтів приймають такий вигляд:
Тоді загальне рівняння приймає вигляд:
Розв’язання цього рівняння за допомогою використання блоку Given-Find програми MathCAD дає значення При цьому ефективна товщина бази дорівнює:
см.
18) Робоча напруга колекторного переходу :
В.
19) Знаходимо товщину збідненого прошарку lб при максимальній напрузі колекторного переходу:
см.
20) Товщина колекторного переходу при робочій напрузі на колекторному переході :
см.
21) Струм генерації :
А.
22) Далі визначаємо параметр Н, виходячи із умови:
Оскільки , а , то приймаємо см.
23) Струм насичення , що відповідає центральній частині колекторного переходу:
А.
24) Струм насичення периферійної частини колекторного переходу:
А.
25) Зворотній струм колекторного переходу :
А.
26) Максимальний струм колектора :
А.
27) Розраховуємо залежність коефіцієнта посилення αN від напруги на колекторі за формулою:
;
Підставляємо значення від 0 до та результати розрахунків заносимо в таблицю 3.2 і виконуємо побудову залежності, яка представлена на рисунку 3.2
Таблиця 3.2 Залежність
Uk, В |
0 |
4.25 |
8.5 |
12.75 |
17 |
21.25 |
25.5 |
29.75 |
34 |
38.25 |
42.495 |
|
0.67 |
0.68 |
0.684 |
0.69 |
0.694 |
0.7 |
0.714 |
0.74 |
0.78 |
0.853 |
1.0 |
28) Розраховуємо залежність коефіцієнта посилення від напруги на колекторі, результати заносимо в таблицю 3.3. Графік отриманої залежності приведений на рисунку 3.3. Остання розрахункова крапка на графіку не приведена, оскільки при .
Таблиця 3.3 Залежність
Uk, В |
0 |
4.25 |
8.5 |
12.75 |
17 |
21.25 |
25.5 |
29.75 |
34 |
38.25 |
|
2.02 |
2.11 |
2.16 |
2.21 |
2.27 |
2.35 |
2.5 |
2.8 |
3.5 |
5.8 |
29) Рівняння для розрахунку вихідних характеристик в схемі з ЗБ можна отримати із співвідношень:
Об'єднуючи їх, одержуємо загальний вираз для статичних характеристик:
.
Далі задаємо декілька значень струму емітера від до 0 (наприклад 3-5 значень) і для кожного з яких розраховуємо статичну характеристику Ik(Uk) у діапазоні Uk від 0 до Ukм.
Результати розрахунків представлені в таблиці 3.4, а побудовані залежності — на рисунку 3.4.
Таблиця 3.4 Дані для побудови вихідних характеристик БПТ
Ie = 76 мА |
|||||||||||
Uk, В |
0 |
4.25 |
8.5 |
12.75 |
17 |
21.25 |
25.5 |
29.75 |
34 |
38.25 |
42.495 |
Ik, мА |
51 |
52 |
52 |
52 |
53 |
53 |
54 |
56 |
59 |
65 |
76 |
Ie = 50 мА |
|||||||||||
Uk, В |
0 |
4.25 |
8.5 |
12.75 |
17 |
21.25 |
25.5 |
29.75 |
34 |
38.25 |
42.495 |
Ik, мА |
33 |
34 |
34 |
34 |
35 |
35 |
36 |
37 |
39 |
43 |
50 |
Ie = 25 мА |
|||||||||||
Uk, В |
0 |
4.25 |
8.5 |
12.75 |
17 |
21.25 |
25.5 |
29.75 |
34 |
38.25 |
42.495 |
Ik, мА |
17 |
17 |
17 |
17 |
17 |
18 |
18 |
18 |
19 |
21 |
25 |
Ie = 10 мА |
|||||||||||
Uk, В |
0 |
4.25 |
8.5 |
12.75 |
17 |
21.25 |
25.5 |
29.75 |
34 |
38.25 |
42.495 |
Ik, мА |
6.69 |
6.78 |
6.84 |
6.88 |
6.4 |
7 |
7.14 |
7.37 |
7.78 |
8.53 |
10 |