- •Курс лекций по Промышленной Электронике
- •Лекция № 1.
- •Все характеристики и параметры усилителей можно разделить на три основные группы:
- •Лекция № 2.
- •1.Схемы включения транзистора. Принцип усиления.
- •2.Рабочая точка. Расчет каскада усиления по постоянному току.
- •Принцип усиления на примере с общей базой.
- •Тепловой ток Iк0– это обратный ток коллекторного перехода. Этот ток обусловлен неосновными носителями заряда.
- •Лекция № 3
- •1. Расчет по постоянному току.
- •2. Расчет по переменному току.
- •Лекция № 4.
- •1. Расчет каскада по переменному току.
- •2. Особенности работы усилителей на низких и высоких частотах.
- •Лекция № 5.
- •1. Схема с общим коллектором.
- •2. Отрицательно обратные связи в уменьшительных каскадах.
- •Лекция №6.
- •1. Усилители мощности низкой частоты (унч).
- •Лекция №7.
- •1. Усилители мощности. Источники стабильного тока.
- •2. Усилители постоянного тока.
- •Лекция №8.
- •Лекция № 9. Операционные усилители
- •Лекция № 10.
- •Лекция № 11.
- •Активные фильтры.
- •Лекция № 12.
- •Лекция № 13.
- •1) За счет особых средств вах (параметрическая стабилизация).
- •2) За счет автоматического регулирования выходного напряжения (компенсационная стабилизация).
- •Лекция № 14.
- •Лекция № 15.
- •Лекция № 16. Электронные узлы на логических элементах.
- •Лекция № 17.
- •Лекция № 18.
- •Лекция №19
Лекция № 15.
Рис.15.1
Уменьшение одиночного уровня ведет к уменьшению помехоустойчивости.
N – коэффициент разветвления по выходу.
N до 6 (с простым инвертором)
N до 10 (в общем случае)
4) Коэффициент объединения по входу.
Максимальное число входов, который может иметь логический элемент. С увеличением числа входов изза увеличения обратных токов уменьшается U* - помехоустойчивость.
Поскольку каждый вход имеет свою емкость, он подключается к выходу предыдущего элемента и увеличивает емкостную нагрузку.
Nоб.в8
5) Быстродействие определяется временем средней задержки сигнала.
Рис.15.2
Микросхема логического элемента 8U-НЕ со сложным инвертором:
Рис.15.3
1) Повышается помехоустойчивость.
2) Увеличивается нагрузочная способность.
Для увеличения быстродействия может быть применена технология ТТЛШ
tз cр=10НС (ТТЛ);
tз cр=2НС (ТТЛШ).
МДП (МОП) технология.
КМОП – комплиментарный МОП.
Применяется только полевые транзисторы с изолированным затвором.
Рис.15.4
Рис.15.5
Рис.15.6
При увеличении напряжения на затворе образуется индуцированный канал.
Преимущества логических устройств на МОП – транзисторах:
1) Цепь управления МОП транзистора электрически изолирована от сигнальной цепи и почти не потребляет энергии.
2)МОП транзисторы просты в изготовлении по интегральной технологии и занимают значительно меньшую площадь кристалла, чем элементы на ТТЛ.
3)Выходная цепь в режиме хранения потребляет очень маленькую энергию.
Недостатки:
1) сопротивление канала открытого транзистора достаточно велика (от 50 до 300 Ом).
Рис.15.7
2) время задержки выше, чем в схемах на ТТЛ. Время срабатывания определяется временем заряда паразитных емкостей, которые могут быть значительно существенными.
ТТЛ: Р=10мВт, tз ср=10нс;
МОП: Р=0,5мВт, tз ср=50нс .
Логическая структура на КМОП
КМОП улучшенная структур МОП.
Рис.15.8
Потребляемую мощность можно сократить до минимума, если обеспечить такое управление транзисторами, при котором открытое состояние одного транзистора соответствует закрытому состоянию другого транзистора.
Пусть появился входной сигнал (положительный), в этом случае транзистор VT1 открывается, поскольку входное напряжение на затворе больше, чем пороговый уровень.
VT2 закрыт, поскольку напряжение сток-затвор меньше нуля.
Вследствие высокого сопротивления канала закрытого транзистора и низкого сопротивления канала открытого транзистора, выходное сопротивление значительно уменьшается , и приблизительно равен нулю.
1) нагрузочная способность увеличивается, из-за того, что в любом из состояний один транзистор открыт, и на нагрузках пропускает большой ток. N=20 30
2) помехоустойчивость схем на полевых транзисторах выше U1 до 15В, Uпомехуст=(23)В.
3)коэффицинт объединения по выходу тоже выше, чем в ТТЛ схемах
Параметры |
ТТЛ серии |
МОП серии | |||
унивес |
Высокого быстродействия |
микромощные |
КМОП |
КМОП | |
К155 |
К1531 |
К1533 |
1564 |
561, 564 | |
Напряжение питания, В |
5 |
5 |
5 |
315 |
315 |
Uвых1, В |
2,4 |
2,7 |
2,5 |
Uпит – 0,05 |
Uпит – 0,05 |
Uвых0, В |
0,4 |
0,5 |
0,4 |
0,05 |
0,05 |
Коэффициент разветвления по выходу |
10 |
10 |
20 |
50 |
50 |
Коэффициент объединения по входу |
8 |
10 |
20 |
5 |
5 |
Время задержки tзср |
10 |
2 |
4 |
10 |
20 |
Uпом+, В |
0,4 |
0,3 |
0,4 |
До 6В |
0,3UП |
Средняя потребяемая мощность, Рср, мВт |
10 |
20 |
1 |
0,1 |
0,02 (режим хранения) |
Iвх0., мА |
1,6 |
0,6 |
0,2 |
0,001 |
0,001 |
Iвх1., мА |
0,04 |
0,02 |
0,02 |
0,001 |
0,001 |
2 или НЕ, К1ЛБ722
Рис.15.9