- •Цель работы
- •Домашнее задание
- •Основные теоретические положения
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов измерений
- •Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •Цель работы
- •Домашнее задание
- •Основные теоретические положения
- •Порядок выполнения работы
- •Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •Цель работы
- •Домашнее задание
- •Основные теоретические положения
- •Порядок выполнения работы
- •Внимание!
- •Обработка результатов измерений
- •Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •Цель работы
- •Домашнее задание
- •Основные теоретические положения
- •Порядок выполнения работы
- •Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •620002, Екатеринбург, Мира, 19
- •620002, Екатеринбург, Мира, 17
Порядок выполнения работы
Убедитесь, что тумблер включения питания лабораторного стенда находится в положении «Выключено», а регуляторы напряжения источников питания Е1 и ЕК установлены в крайнее положение против часовой стрелки, что соответствует минимальным напряжениям источников.
Соберите схему для исследования статических вольт-амперных характеристик и параметров биполярного транзистора (рис. 17). Установите предел измерения миллиамперметра РА1 200 мкА, а миллиамперметра РА2 – 10 или 20 мА. Вольтметр PV подключите к источнику напряжения EK и установите предел измерения 20 В.
Внимание! В
процессе исследования напряжение
коллектор-эмиттер
не должно превышать
10 В, а ток коллектора – 10 мА.
Определите предельно допустимый ток базы IБ max, при котором ток коллектора составит 10 мА, для чего
включите стенд и установите напряжение источника EK = 10 В;
плавно увеличивая напряжение источника E1, установите ток коллектора транзистора VT равным 10 мА;
считайте предельно допустимый ток базы IБ max со шкалы миллиамперметра PA1;
установите регуляторы напряжения источников E1 и EK в крайнее положение против часовой стрелки.
Внимание! В
дальнейшем ни при каких режимах не
превышайте
предельно допустимый
ток базы IБ
max.
Снимите семейство входных статических характеристик транзистора IБ = f (UБЭ) при двух значениях напряжения коллектор-эмиттер: UКЭ1 = 0 В и UКЭ2 = 5 В, придерживаясь следующей последовательности действий:
установите напряжение коллектор-эмиттер UКЭ1 = 0 В, для чего отключите коллектор транзистора от миллиамперметра PA2 и подключите его к общей шине;
переключите вольтметр PV в цепь базы и установите предел измерения 2 В;
плавно увеличивая напряжение источника E1, задавайте ток базы IБ в интервале от нуля до IБ max и фиксируйте напряжение база-эмиттер UБЭ. Рекомендуемые значения тока базы: 5; 10; 15; 20; 30; 40; … мкА. Результаты измерений сведите в таблицу;
закончив измерения при UКЭ1 = 0 В, установите регулятор напряжения источника E1 в крайнее положение против часовой стрелки;
подключите коллектор транзистора к миллиамперметру PA2, а вольтметр PV переключите в цепь коллектора (см. рис. 17) и установите предел измерения 20 В;
установите напряжение источника EK = 5 В;
переключите вольтметр PV в цепь базы и установите предел измерения 2 В;
плавно увеличивая напряжение источника E1, задавайте ток базы IБ в интервале от нуля до IБ max и фиксируйте напряжение база-эмиттер UБЭ. Результаты измерений сведите в таблицу;
закончив измерения при UКЭ2 = 5 В, установите регуляторы напряжения источников E1 и EK в крайнее положение против часовой стрелки.