6.Фототранзистор

Происходит усиление фототока наряду с фотоэл. преобразователем.

6.1.Принцип работы

Под действием света на n+ p n транзистор в p-области рождаюся носители заряда. Приложим напряжение. Что будет с носителями в базовой области? Дырки оттуда уйти не могут, так что уходят электроны. В КП создается фототок за счет протекания тех самых элеткронов, назовем его Jф0. Дырки должны были бы пе-

реходить в n+ область, но не переходят, почему? Потому что мы сделали хороший транзистор.

Откуда получается усиление в фототранзисторе?

Основные носители остаются, а неосновные уходят!

КБ - заркыт с очень большим сопротивлением. ЭБ - открыт, но с очень малым током.

Дырки, образующиеся за счет света, дают диодный ток. Тока через

прямосмещенный ЭБ переход нет, т.к. мы сделали большую разницу в легировании областей(хороший транзистор). База заряжается, т.к. дырки ушли, следовательно, ЭБ переход приоткрывается, начинается инжекция из эммитерного перехода. А значит происходит усиление.

Ток электронов(Jф0) должен быть равен току рекомбинации. Условие стационарности: JR = Jф0

JR =	qApnWn	exp	qUэ	= Jф0
	2		kT

Находим exp				qUэ		.
				kT
J = qADp dxdp ; J = qAG0							p(0) p(Wn)	;
	Jф		Li2				Wn
		= ; =
	Jф0		Wn2

- коэффициент усиления в транзисторе в схеме с ОЭ.

16