ЭМС определяется как
-
совместная работа технических средств
-
одновременная работа технических средств
-
совместная работа в стандартных для данного вида продукции условиях
-
совместная работа в любых условиях
Верификация проектных решений это
-
физическое моделирование проектируемого устройства
-
моделирование только схемы устройства
-
моделирование на ЭВМ схемы и конструкции устройства
-
отладка опытного образца
Способы задания графов
-
аналитический
-
в виде рисунка
-
в виде матрицы соединений
-
в виде матрицы инциденций
-
в виде коммутационного поля
-
в виде функционала
Задачи топологического проектирования:
-
трассировка
-
разбиение
-
размещение
-
объединение
-
определение задержки сигнала
Статическая помехоустойчивость микросхем определяет
-
устойчивость к воздействию импульсной помехи
-
устойчивость к воздействию медленно меняющегося напряжения на входе
-
к помехам в цепях питания микросхемы
Динамическая помехоустойчивость микросхемы определяет
-
устойчивость к воздействию импульсной помехи
-
устойчивость к воздействию медленно меняющегося напряжения на входе
-
к помехам в цепях питания микросхемы
На печатной плате можно реализовать линии передачи и виде
-
копланарной линии
-
коаксиальной линии
-
витой пары
-
микрополосковой линии
-
полосковой линии
Модель элементарного отрезка линии передачи без потерь содержит
-
последовательную индуктивность
-
последовательное сопротивление
-
последовательную емкость
-
параллельное сопротивление
-
параллельную индуктивность
-
параллельную емкость
Отличие электрически короткой линии от электрически длинной заключается
-
в погонной длине
-
в конфигурации сечения
-
в отношении к длине волны передаваемого сигнала
-
в скорости распространения сигнала
Волновое сопротивление зависит
-
только от емкости линии
-
только от индуктивности линии
-
от отношения индуктивности к емкости линии
-
от отношения емкости к индуктивности линии
-
от длины линии
Согласующий резистор ставится
-
на выходе линии - последовательно к ней
-
на выходе линии - параллельно к ней
-
на входе линии - последовательно к ней
-
на входе линии - параллельно к ней
Помехи в шинах питания обусловлены
-
быстрым изменением тока потребления
-
индуктивностью шины питания
-
активным сопротивлением шины
-
топологией шины
Структура многослойной платы выбирается
-
произвольно
-
с целью формирования полосковых и микрополосковых линий
-
с целью формирования пленарных конденсаторов
-
только исходя из топологических соображений
Отличие ближней зоны от дальней зоны при анализе механизма экранирования заключается .
-
в погонном расстоянии от источника помех
-
в наличии определенной, жестко заданной границы между ними
-
в структуре электромагнитного поля
-
в определении границы между ними как функции частоты
Эффективность экранирования это
-
lg (поле после установки экрана/поле до установки экрана)
-
20 lg (поле после установки экрана/поле до установки экрана)
-
20 lg (поле до установки экрана/поле после установки экрана)
-
10 lg (поле после установки экрана/поле до установки экрана)
-
величина, измеряемая в децибелах
-
величина, измеряемая в процентах
Электростатическое экранирование выполняется
-
металлическими экранами
-
проводящими материалами
-
изоляционными материалами
-
материалами с высокой проводимостью
-
материалами с высокими магнитными свойствами
Магнитостатическое экранирование выполняется
-
металлическими экранами
-
проводящими материалами
-
изоляционными материалами
-
материалами с высокой проводимостью
-
материалами с высокими магнитными свойствами
Электродинамическое экранирование выполняется
-
металлическими экранами
-
проводящими материалами
-
изоляционными материалами
-
материалами с высокой проводимостью
-
материалами с высокими магнитными свойствами
Наличие отверстий в экране
-
улучшает экранирующие свойства
-
не изменяет экранирующих свойств
-
ухудшает экранирующие свойства
-
влияние зависит от частоты
Я знаю дисциплину
-
на3
-
на 4
-
на 5
-
к экзамену не готов