442. Тема 12

443. Технология изготовления мдп-микросхем.

444. Два вида транзисторов:

1. Диффузионный.

2. КМОП.

445. 

447. Технология изготовления структур КМДП-ИМС.

448. 

1. Термическое окисление.

2. 1-ая фотолитография.

3. Диффузия акцепторной примеси p-область.

4. Разгонка примеси.

449. 

5. 2-ая фотолитография.

450. Разгонка + окисление p-область.

451. 

8. 3-ая фотолитография.

9. Локальная диффузия.

10. Разгонка примеси + окисление

452. 

11. 4-ая фотолитография.

12. Окисление Si в сухом кислороде.

453. 

13. 5-ая фотолитография (для вскрытия окон под контакты).

14. Напыление сплава Me-пленки.

15. Фотолитография по Me-пленке коммутация.

457. Тема 13

458. Технологические процессы изготовления плат гибридных интегральный микросхем (гимс), гибридных больших интегральных схем (гбис) и микросборки (мс).

459. Основой ГИМС является плата на одном уровне разводки. Коммутационная плата для ГИМС представляет собой один уровень разводки + пассивный элемент.

460. ГБИС – многослойная плата.

461. Микросборка (МС) - предусматривает только многослойную коммутацию. Обойтись без 10-12 слоев не возможно!

464. 			Пленочная технология
     Технологогические методы	Тонкопленочная				Толстопленочная
     Способы	Термическое испарение	Ионное распыление			Трафаретная печать
     Метод формирования рисунка ИМС	Фототолитография	Комбинированный метод	Масочный метод	Электронно-лучевой метод
     Подложки	Me + диэлектрик	Полиимидная пленка	Ситалл		Керамика

467. Масочный метод изготовления микросхем.

468. Маски могут быть контактные свободные.

469. Конструкции – однослойные, двухслойные, трехслойные.

470. По материалу: металлические, керамические, стеклянные.

472. Требования к свободным маскам:

1. Жесткость и упругость.

2. Должна быть тонкой (80200 мкм).

3. Иметь минимальные неровности.

4. Выдержать высокую теплоту (до 400°C).

5. Малое остаточное напряжение.

6. Упругость P_S материала маски должно быть не высокое.

545. Материалы: Mo, W, Ta.

546. Для высокоточных масок: Cu, Ni, бронзы.

547. Для химически стойких: W, Mo, другие материалы (но с покрытием золота, платины).

549. 

550. 

1. Подготовка заготовки.

2. Нанесение негативного фоторезиста.

3. Экспонирование.

4. Проявление, задубливание.

5. Лаковая защита лаком АК-20.

6. Травление.

551. 

7. Удаление фоторезиста и лака.

552. ПОЛУЧАЕТСЯ МОНОМЕТАЛЛИЧЕСКАЯ МАСКА!

553. 

555. Изготовление тонкопленочного резистора двойной фотолитографией.

556. 

1. Подложка ситалл CT 50-1).

2. Последовательное напыление резистивного и металлических слоев.

3. Наносится фоторезист (позитивный).

4. Экспонирование через фотошаблон.

557. 

5. Проявление.

6. Задубливание.

558. 

7. Травление металлического слоя.

8. Удаление фоторезистивной маски.

559. 

9. Нанесение фоторезиста.

10. Экспонирование.

11. Проявление (фоторезистивная маска).

560. 

12. Травление.

13. Удаление фоторезиста.

562. Метод контактной маски.

563. Особенности:

1. Эта маска одноразового использования.

2. Маска является составной частью конструкции подложки (только на определенный момент).

565. а)

1. Подготовка подложки.

2. Напыление меди (1000 Å).

3. Нанесение фоторезиста.

4. Экспонирование фоторезиста.

566. б)

5. Проявление и задубливание.

6. Травление.

7. Удаление фоторезиста.

567. 

8. Напыление резистивного слоя (R-слоя).

568. 

9. Травление медной пленки. Механическое удаление резистивной пленки (R-пленки).

569. 

10. Нанесение фоторезиста. Сушка.

570. 

11. Экспонирование (фотошаблон для изготовления контактных площадок).

571. 

12. Проявление и задубливание.

572. 

13. Напыление контактных площадок.

573. 

14. Удаление (травление) фоторезистивной маски.