- •Конспект лекций
- •«Физика полупроводниковых приборов ч.2» введение
- •1. Полевые транзисторы
- •1.1. Мопт с короткими и узкими каналами
- •1.1.1. Подпороговые токи
- •1.1.2. Уменьшение порогового напряжения
- •1.2. Мопт структуры
- •1.2.1. Мопт как усилитель мощности
- •1.2.2. Мощный мопт как ключевой элемент
- •1.2.3. Влияние температуры на параметры и характеристики мопт
- •1.3. Мощные свч мопт
- •1.3.1. Эквивалентные схемы мощного свч мопт в режиме малого и большого сигналов
- •1.3.2. Общий подход к выбору конструкции и проектированию топологии структуры мощного кремниевого свч моп-транзистора
- •1.4. Полевые транзисторы с затвором Шотки
- •1.4.1.Устройство и принцип действия
- •1.4.2. Пороговое напряжение
- •1.4.3. Сравнительные характеристики пт с управляющим
- •2. Мощные биполярные транзисторы
- •2.1.Свойства полупроводников с высокими концентрациями носителей заряда.
- •2.1.1 Амбиполярные подвижности и коэффициент диффузии
- •2.1.2. Время жизни носителей при высоком уровне инжекции
- •2.1.3. Уменьшение ширины запрещенной зоны в кремнии при высоких концентрациях носителей
- •2.2. Лавинный пробой электронно-дырочного перехода
- •2.2.1. Пробой планарного электронно-дырочного перехода
- •2.2.2. Методы повышения напряжения лавинного пробоя
- •2.2.3. Полевая обкладка и эквипотенциальное кольцо
- •2.2.4. Резистивная полевая обкладка
- •2.2.5. Диффузионное охранное и полевое ограничительное кольца
- •2.3 Мощные биполярные транзисторы
- •2.3.1. Структуры мощных транзисторов
- •2.3.2. Влияние высокого уровня легирования на коэффициент усиления по току
- •2.3.3. Расширение базы при высоких плотностях тока
- •2.3.4. Методы увеличения коэффициента усиления по току
- •2.3.5 Частотные свойства мощных транзисторов
- •2.3.6 Тепловые свойства транзистора
- •3.1. Туннельный и обращенный диоды
- •3.1.1. Принцип действия и вах туннельного диода
- •3.1.2. Зависимости тока туннельного диода от температуры
- •3.1.3. Частотные свойства туннельных диодов
- •3.1.4. Обращенные диоды
- •3.2. Параметрический диод (варикап)
- •3.2.1. Структура и принцип действия
- •3.2.2. Основные параметры
- •3.2.3. Частотные свойства
- •3.3. Приборы на пролетных эффектах
- •3.3.1. Общие сведения
- •3.3.2. Лавинно-пролетный диод
- •3.3.3. Инжекционно-пролетные диоды
- •3.4. Диод Шоттки
- •3.4.1. Общие сведения
- •3.4.2. Вольт-амперная характеристика диода Шоттки
- •3.4.3. Области применения диодов Шоттки
- •3.4.4. Ток неосновных носителей в диоде Шоттки
- •3.4.5. Частотные ограничения диода Шоттки
- •3.4.6. Сравнительный анализ диода Шоттки и диода на p-n-переходе
- •4. Тиристоры
- •4.1. Физика работы тиристоров
- •4.1.1. Диодные тиристоры
- •4.1.2. Структура и принцип действия
- •4.1.3. Закрытое состояние
- •4.1.4. Условие переключения тиристора
- •4.1.5. Открытое состояние
- •4.1.6. Диодный тиристор с зашунтированным эмиттерным переходом
- •4.2. Разновидности тиристоров
- •4.2.1. Триодные тиристоры
- •4.2.2. Тиристоры, проводящие в обратном направлении
- •4.2.3. Симметричные тиристоры
- •4.3. Способы управления тиристорами
- •4.3.1. Включение тиристоров
- •4.3.2. Выключение тиристоров
- •4.4. Параметры и характеристики
- •5. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния
- •. Успехи освоения карбидкремниевой технологии
- •5.2.1. Вольтамперные характеристики при малых плотностях тока
- •5.2.2. Модуляция базы при высоких уровнях инжекции
- •5.2.3. Время жизни ннз: включение диодов и спад послеинжекционной эдс
- •5.2.4. Время жизни ннз: восстановление блокирующей способности диодов после их переключения из проводящего состояния в блокирующее
- •5.2.5. Моделирование статических и переходных характеристик диодов
- •5.2.6. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой
- •5.2.7. Вах при высоких плотностях прямого тока: влияние электронно-дырочного рассеяния
- •5.3. Биполярные транзисторы (бпт)
- •5.3.1. Коэффициент усиления
- •5.3.2. Динамические характеристики
- •Тиристоры
- •5.4.1 Включение по управляющему электроду
- •5.4.2. Включение импульсами ультрафиолетового лазера
- •5.4.3. О критическом заряде включения SiC-тиристоров
- •5.4.4. Выключение импульсным обратным током управляющего перехода
- •Заключение
4.3.2. Выключение тиристоров
Выключение тиристоров путем уменьшения тока в цепи основных электродов до значения, меньшего удерживающего тока, или путем разрыва цепи основных электродов. Тиристор будет выключен, т.е. переведен из открытого состояния в закрытое, только после рассасывания неравновесных носителей заряда в базовых областях. Если до окончания процесса выключения вновь подать напряжение между основными электродами тиристора, то он окажется во включенном состоянии. Таким образом, для выключения тиристора необходимо некоторое время.
При выключении тиристора путем разрыва цепи основных электродов рассасывание неравновесных носителей заряда происходит только в результате рекомбинации. Такой способ выключения применяется, когда время выключения тиристора не влияет на работу той или иной схемы.
Для ускорения процесса рассасывания неравновесных носителей заряда, накопленных в базовых областях при прохождении прямого тока через открытый тиристор, необходимо понизить потенциальный барьер коллекторного перехода. Однако коллекторный переход при открытом состоянии тиристора уже был смещен в прямом направлении из-за накопленных неравновесных носителей заряда в базовых областях и, следовательно, имел малое сопротивление. Поэтому на долю коллекторного перехода при переключении тиристора на обратное напряжение приходится очень малая часть всего внешнего напряжения. Из-за малого сопротивления тиристора, находящегося еще в открытом состоянии, обратный ток на первом этапе процесса выключения ограничен сопротивлением внешней цепи.
Существенное уменьшение времени выключения даже при небольших обратных напряжениях удается получить для тиристоров, проводящих в обратном направлении. У этих тиристоров оба эмиттерные перехода зашунтированы объемными сопротивлениями прилегающих базовых областей. Поэтому даже небольшое обратное напряжение способствует быстрому рассасыванию накопленных в базовых областях неравновесных носителей заряда.
Для выключения тиристора необходимо отвести неравновесные основные носители заряда из базы, у которой имеется управляющий электрод. В то же время основной ток, проходящий через открытый еще тиристор, непрерывно восполняет количество неравновесных носителей заряда в базовых областях. Таким образом, значение тока управления, необходимого для выключения тиристора, зависит от основного тока через тиристор (рисунок 4.11, а).
Рисунок 4.11 - Зависимость тока управления, необходимого для выключения (для запирания) тиристора, от основного тока
Некоторые тиристоры с большой площадью p-n-переходов невозможно выключить с помощью тока управляющего электрода при больших токах между основными электродами. Объясняется это тем, что при движении носителей заряда к управляющему электроду (дырок в тиристоре) база тиристора под эмиттерным переходом становится неэквипотенциальной и дальние от управляющего электрода части эмиттерного перехода остаются смещенными в прямом направлении. Инжекция электронов из этих частей эмиттерного перехода поддерживает соответствующую часть тиристорной структуры в открытом состоянии. Стремление же еще большое увеличить ток управляющего электрода путем увеличения напряжения на этом электроде может привести к лавинному пробою эмиттерного перехода так как этот переход имеет обычно малое пробивное напряжение из-за большой концентрации примесей с обеих сторон перехода.
Таким образом, существуют тиристоры, запираемые и незапираемые по управляющему электроду. Запираемый тиристор – это тиристор, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот при подаче на управляющий электрод сигналов соответствующей полярности. Но и для запираемого тиристора существует максимально допустимый постоянный запираемый ток Iз max – наибольшее значение основного тока, до которого допускается запирание тиристора по управляющему электроду. При использовании в мощных устройствах запираемые тиристоры обладают преимуществами перед транзисторами, поскольку тиристоры способны выдерживать значительно большие напряжения в закрытом состоянии.