37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.

Статические характеристики позволяют определить основные параметры транзистора. Для описания свойств транзистора по переменному току чаще всего используется система h-параметров, которая представляется следующими уравнениями:

dU₁ = h₁₁dI₁ + h₁₂dU₂;

dI₂ = h₂₁dI₁ + h₂₂dU₂.

При нахождении h-параметров по статическим характеристикам дифференциалы заменяются конечными приращениями, тогда:

–входное сопротивление;

–коэффициент обратной связи по напряжению;

–коэффициент передачи по току;

–выходная проводимость.

Для определения h-параметров воспользуемся семействами входных и выходных характеристик для схемы с ОЭ (рис. 5,а, рис. 5,б). В заданной точке А на линейном участке семейства входных характеристик строим треугольник, проведя прямые параллельно оси абсцисс и ординат до пересечения со следующей характеристикой. Приращения токов и напряжений позволяют определить параметры h_11э и h_12э:

,

.

Параметры h_21э, h_22э определяются по выходным характеристикам. Обратите внимание на различие в обозначении статического коэффициента передачи по току в схеме с ОЭ h_21Э и дифференциального параметра h_21э. Через точку А', режим которой соответствует точке А, проводим вертикальную прямую до пересечения с соседней характеристикой. Задавая приращения напряжения U_кэ, находим:

,

.

38. Большой Сигнал Модель Эберса-Молла

^{При необходимости анализа работы транзистора в режиме большого сигнала, когда имеют значение его нелинейные свойства, находит применение эквивалентная схема, предложенная Эберсом и Моллом. Она состоит из двух диодов, включенных встречно, и двух источников тока, отображающих взаимодействие этих диодов (рис. 3.6).}

Модель Эберса – Молла описывает поведение транзистора в различных режимах работы, что может быть учтено выбором соответствующей полярности напряжений на переходах транзистора.

39.Малосигнальная модель бт

Одной из физических малосигнальных моделей является модель, основой которой является модель Эберса-Молла с двумя источниками тока. На рис. 3.13 показана такая модель, включающая в себя объемные сопротивления полупроводников в областях эмиттера, базы, коллектораr_Э1 , r_Б1 , r_К1 , а также дифференциальные сопротивления и емкости переходов r_Э , r_К , С_Э , С_К .

Поскольку наибольшее объемное сопротивление полупроводника имеет база, и эмиттерный переход открыт, то можно использовать более простую Т-образную физическую модель транзистора с ОБ (рис.3.14,а). Для транзистора с ОЭ аналогичная модель представлена на рис. 3.14,б.

дифференциальное сопротивление и емкость пересчитываются по формулам:

40. Физические параметры транзистора.

К физическим параметрам помимо рассмотренных коэффициентов передачи тока относят дифференциальные сопротивления переходов, объемные сопротивления областей транзистора, емкости переходов и др.

Эти параметры характеризуют основные физические процессы в транзисторе. В активном режиме ВАХ эмиттерного перехода описывается выражении:

С ростом тока базы сопротивление r к уменьшается.

Сопротивление базы rб определяется размерами структуры и распределением концентраций примесей в активной и пассивной областях базы. Оно равно сумме распределенного сопротивления базы rб ’ и диффузионного сопротивления rб”: rб= rб’+ rб”. Распределенное сопротивление базы rб отражает сопротивление активной области базы. Как показывают расчеты, величина его может определяться соотношением

Аналогично отдельному p-n-переходу эмиттерный и коллекторный переходы транзистора характеризуются барьерными и диффузионными емкостями.

Емкость коллектора Ск гораздо меньше емкости прямосмещенного эмиттерного перехода Сэ. Однако емкость Ск шунтирует большое сопротивление коллектора r k и с ростом частоты оказывает существенное влияние на работу транзистора. В справочниках приводится емкость Ск, измеренная между коллекторным и базовым выводами на заданной частоте при отключенном эмиттере и обратном напряжении на коллекторе.