7. Адресная память – принцип организации. Пример адресной организации чего-либо из повседневной жизни.

При адресной организации памяти размещение и поиск информации в запоминающем массиве основаны на использовании адреса хранения слова. Адресом служит номер ячейки массива, в которой это слово размещается. При записи (или считывании) слова в запоминающий массив инициирующая эту операцию команда должна указывать адрес, по которому производится запись (считывание).

8. Две категории озу – краткая сравнительная характеристика

Полупроводниковая оперативная память в настоящее время делится на статическое ОЗУ (SRAM — Static RAM) и динамическое ОЗУ (DRAM — Dynamic Random Access Memory).

SRAM

SRAM использует в виде метода хранения информации переключатели (статические триггеры). Триггером называют элемент на транзисторах, который может находиться в одном из двух устойчивых состояний (0 и 1), а по внешнему сигналу он способен менять состояние. Таким образом, триггер может служить ячейкой памяти, хранящей один бит информации. Этот тип памяти не нуждается в перезарядке в отличие от конденсаторной (DRAM), поэтому работает быстрее.

DRAM.

Для того, чтобы удешевить оперативную память, в 90-х годах XX века вместо дорогого статического ОЗУ на триггерах стали использовать динамическое ОЗУ (DRAM). Принцип устройства DRAM следующий: система металл-диэлектрик-полупроводник способна работать как конденсатор. Как известно, конденсатор способен некоторое время “держать” на себе электрический заряд. Обозначив “заряженное” состояние как 1 и “незаряженное” как 0, мы получим ячейку памяти емкостью 1 бит. Поскольку заряд на конденсаторе рассеивается через некоторый промежуток времени (который зависит от качества материала и технологии его изготовления), то его необходимо периодически “подзаряжать” (регенерировать), считывая и вновь записывая в него данные. Из-за этого и возникло понятие “динамическая” для этого вида памяти. Периодичность восстановления информации в элементах памяти называется периодом регенерации. Период регенерации резко уменьшается с увеличением окружающей среды, однако для большинства выпускаемых микросхем при наихудших условиях окружающей среды максимальное значение периода регенерации равно не менее 2 мс. Длительность циклов регенерации обычно равна длительности циклов считывания или записи информации, но для полной регенерации информации в микросхеме необходимо несколько сотен таких циклов.

Sram и dram.

Основным преимуществом DRAM перед статической оперативной памятью является низкая цена. Это связано с тем, что если элемент статической памяти (триггер) требует 4—6 транзисторов, то элемент динамической памяти — это интегральный конденсатор, для обслуживания которого требуется 1—2 транзистора.

Отсюда же следуют два основных недостатка динамической памяти: она требует регенерации (то есть постоянного возобновления заряда на разряжающемся конденсаторе) и имеет в несколько раз меньшее быстродействие по сравнению со статической памятью. К тому же во время регенерации динамическая память недоступна для обмена, что также снижает быстродействие компьютера. Отметим, что сейчас обычно применяют встроенную регенерацию, не требующую внешнего обслуживания, но опять-таки занимающую время.

Переход на полностью статическую память слишком сильно повысил бы стоимость компьютера в целом (к тому же необходимый объем оперативной памяти компьютера все увеличивается), поэтому статическую память применяют только в самых «узких» местах, там, где без высокой скорости не обойтись, например, для кэш-памяти. Что касается динамической памяти, то ее развитие идет по пути снижения времени доступа благодаря структурным и технологическим усовершенствованиям