- •Г лава 27 Теория атома водорода по Бору
- •§ 208. Модели атома Томсона и Реэерфорда
- •§ 209. Линейчатый спектр атома водорода
- •§ 210. Постулаты Бора
- •§ 211. Опыты Франка и Герца
- •§ 212. Спектр атома водорода по Бору
- •Глава 28 Элементы квантовой механики
- •§ 213. Корпускулярно-волновой дуализм свойств вещества
- •§ 214. Некоторые свойства волн да Бройля
- •§ 215. Соотношение неопределенностей
- •§ 216. Волновая функция и её статистический смысл
- •§ 217. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний
- •§ 219. Движение свободной частицы
- •§ 220. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной ям*» с бесконечно высокими «стенками*
- •§ 221. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •§ 222. Линейный гармонический осциллятор • квантовой механике
- •Глава 29
- •§ 223. Атом водорода в квантовой механике
- •2. Квантовые числа. В квантовой механике доказывается, что уравнению Шредин-гера (223.2) удовлетворяют собственные функции определяемые тремя
- •§ 225. Спин электрона. Спиновое квантовое число
- •§ 226. Принцип неразличимости тождественных частиц. Фермионы и бозоны
- •§ 227. Принцип Паули. Распределение электронов в атома по состояниям
- •§ 228. Периодическая система элементов Менделеева
- •§ 229. Рентгеновские спектры
- •§ 230. Молекулы: химические связи, понятие об энергетических уровнях
- •§ 231. Молекулярные спектры. Комбинационное рассеяние света
- •§ 232. Поглощение. Спонтанное и вынужденное излучения
- •§ 233. Оптические квантовые генераторы (лазеры) .
- •Глава 30 Элементы квантовой статистики
- •§ 234. Квантовая статистика. Фазовое пространство. Функция распределения
- •§ 235. Понятие о квантовой статистика Бозе — Эйнштейна и Ферми — Дирака
- •§ 236. Вырожденный электронный газ в металлах
- •§ 237. Понятие о квантовой теории теплоемкости. Фононы
- •§ 238. Выводы квантовой теории электропроводности металлов
- •§ 103) Дает, что а также аномально большие величины (порядка сотен
- •§ 239. Сверхпроводимость. Понятие об эффекте Джозефсона
- •Глава 31 Элементы физики твердого тела
- •§ 240. Понятие о зонной теории твердых тел
- •§ 241. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
- •§ 242. Собственная проводимость полупроводников
- •§ 243. Примесная проводимость полупроводников
- •§ 244. Фотопроводимость полупроводников
- •§ 245. Люминесценция твердых тел
- •§ 246. Контакт двух металлов по зонной теории
- •1. Контактная разность потенциалов зависит лишь от химического состава и температуры соприкасающихся металлов.
- •§ 247.. Термоэлектрические явления и их применение
- •§ 248. Выпрямление на контакте металл — полупроводник
- •§ 249. Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •§ 250. Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)
- •7 Элементы физики атомного ядра и элементарных частиц
- •Глава 32 Элементы физики атомного ядра
- •§ 251. Размер, состав и заряд атомного ядра. Массовое и зарядовое числа
- •§ 252. Дефект массы и энергия связи ядра
- •§ 253. Спин ядра и его магнитный момент
- •§ 254. Ядерные силы. Модели ядра
- •§ 255. Радиоактивное излучение и его виды
- •§ 256. Закон радиоактивного распада. Правила смещения
- •§ 257. Закономерности а-раепада
- •§ 258. -Распад. Нейтрино
- •§ 259. Гамма-излучение и его свойства
- •§ 260. Резонансное поглощение -излучения (эффект Мeссбауэра**)
- •§ 261. Методы наблюдения и регистрации радиоактивных излучений и частиц
- •§ 262. Ядерные реакции и их основные типы
- •1) По роду участвующих в них частиц — реакции под действием нейтронов; реакции под действием заряженных частиц (например, протонов, дейтронов, частиц); реакции под действием -квантов;
- •§263. Позитрон., -Распад. Электронный захват '-
- •§ 264. Открытие нейтрона. Ядерные реакции под действием
- •§ 265. Реакция деления ядра
- •§ 266. Цепная реакция деления
- •§ 267. Понятие о ядерной энергетике
- •§ 268. Реакция синтеза атомных ядер. Проблема управляемых термоядерных реакций
- •1) Протонно-протонный, или водородный, цикл, характерный для температур (примерно 107 к):
- •2) Углеродно-азотный, или углеродный, цикл, характерный для более высоких температур (примерно 2• 107 к):
- •Глава 33 Элементы физики элементарных частиц
- •§ 269. Космическое излучение
- •§ 270. Мюоны и их свойства
- •§ 271. Мезоны и их свойства
- •§ 272. Типы взаимодействий элементарных частиц
- •§ 273. Частицы и античастицы
- •§ 274. Гипероны. Странность и четность элементарных частиц
- •§ 275. Классификация элементарных частиц. Кварки
§ 244. Фотопроводимость полупроводников
Фотопроводимость (см. § 202) полупроводников — увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В первом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону
проводимости (рис. 324, а), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками.
Если полупроводник содержит примеси, то фотопроводимость может возникать и при для полупроводников с донорной примесью фотон должен обладать
энергией а для полупроводников с акцепторной примесью — При
поглощении света примесными центрами происходит переход электронов с донорных уровней в зону проводимости в случае полупроводника n-типа (рис. 324, б) или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника p-типа (рис. 324, в). В результате возникает примесная фотопроводимость, являющаяся чисто электронной для полупроводников n-типа и чисто дырочной для полупроводников p-типа.
Таким образом, если
для собственных полупроводников,
(244.1) для примесных полупроводников
( — в общем случае энергия активации примесных атомов), то в полупроводнике возбуждается фотопроводимость. Из (244.1) можно определить красную границу фотопроводимости — максимальную длину волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается:
для собственных полупроводников, для примесных полупроводников.
Учитывая значения для конкретных полупроводников, можно показать,
что красная граница фотопроводимости для собственных полупроводников приходится на видимую область спектра, для примесных же полупроводников — на инфракрасную.
На рис. 325 представлена типичная зависимость фотопроводимости и коэффициента поглощения от длины волны падающего на полупроводник света. Из рисунка следует, что при фотопроводимость действительно не возбуждается. Спад фотопроводимости в коротковолновой части полосы поглощения объясняется большой скоростью рекомбинации в условиях сильного поглощения в тонком поверхностном слое толщиной мкм (коэффициент поглощения ).
Наряду с поглощением, приводящим к появлению фотопроводимости, может иметь место экситонный механизм поглощения. Экситовы представляют собой квазичастицы — электрически нейтральные связанные состояния электрона и дырки, образующиеся в случае возбуждения с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны. Уровни энергии экситонов располагаются у дна зоны проводимости. Так как экситоны электрически нейтральны, то их возникновение в полупроводнике не приводит к появлению дополнительных носителей тока, вследствие чего экситонное поглощение света не сопровождается увеличением фотопроводимости.