- •Московский государственный технический университет им.Н.Э.Баумана
- •Калуга,
- •2013 Г.
- •Практическая часть
- •2. Теория.
- •2.1 Модели полупроводниковых диодов
- •Практическая часть
- •Практическая часть
- •1*1014 50 135 1250 1250
- •Практическая часть
- •Лабораторная работа № 5
- •1.2 Краткие сведения по полевым транзисторам с управляющим p-n переходом
- •1.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
- •1.4 Паспортные параметры птуп и способы идентификации параметров математических моделей
- •1.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели птуп
- •1.6 Задание
- •1.7 Подготовка измерителя параметров полупроводниковых приборов л2-56 к работе
- •1.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •1.9 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •1.10. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6
- •2.1 Введение
- •2.2 Краткие сведения по полевым транзисторам с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •2.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
- •2.4 Паспортные параметры мдп и способы идентификации параметров математических моделей
- •2.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели мдп
- •2.6 Задание
- •2.7 Подготовка измерителя л2-56 к работе
- •2.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •2.9 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •2.10. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7
- •1. 1 Введение
- •1.2 Краткие теоретические сведения по тиристорам
- •1.3 Сечения различных типов структур тиристоров и их свойства
- •1.4 Функциональные схемы для исследования вах тиристоров
- •1.5. Задание
- •1.6 Подготовка измерителя л2-56 к работе
- •1.7 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •1.8 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •1.9 Контрольные вопросы
- •Общие сведения по параметрическим и компенсационным стабилизаторам тока
- •Практическая часть
1.7 Подготовка измерителя параметров полупроводниковых приборов л2-56 к работе
Перед включением измерителя в сеть установите все органы управления измерителя в начальное положение согласно таблице 4.
Таблица 4
Начальное положение органов управления измерителем Л2-56
№ пп |
Наименование органа управления |
Положение |
1 |
Тумблер “Сеть” |
Выкл. |
2 |
Ручка «Яркость» |
До отказа против часовой стрелки |
3 |
Ручка «Фокус» |
В среднем положении |
4 |
Освещение шкалы (подсветка) |
До отказа против часовой стрелки |
5 |
Ручка «Смещение изображения по горизонтали» |
В среднем положении |
6 |
Ручка «Смещение изображения по вертикали» |
В среднем положении |
7 |
Кнопка «Инвертирование изображения» |
Отпущена |
8 |
Ручка «Калиброванное перемещение» |
В положении - 0 |
9 |
Ручка «Масштаб тока» (по вертикали) |
0,5 мА/ дел |
10 |
Ручка «Масштаб тока» (по горизонтали) |
1 В/дел
|
11 |
Ручка «Количество ступенек» |
1 |
12 |
Ручка «Амплитуда ступенек» |
0,05 В/ступ (для полевых транзисторов) и 0,05 мА/ступ (для биполярных транзисторов) |
13 |
Ручка «Смещение ступенек» (потенциометр) |
00,0 |
14 |
Кнопка «Частота ступенек» |
100 ст./c |
15 |
Кнопка «полярность ступеней» - «инверсн.» |
Нажата (для нормально открытых полевых транзисторов) и отжата (для нормально заткрытых полевых транзисторов) |
16 |
Совмещенная ручка «Максимальная пиковая мощность»/ «Максимальное пиковое напряжение» |
0,12 Вт/ 16 В |
17 |
Тумблер «Выбор транзистора» |
В среднем положении |
18 |
Кнопки «Селектор выводов» -База эмиттер - заземлен |
«Эмиттер – заземлен», т.е выбрана схема с общим эмиттером |
19 |
Ручка выбора типа транзистора |
в положение «n-p-n» (для n-канального транзистора) и в положение «p-n-p» - для p-канального |
1.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
1.8.1 Перед началом проведения измерений прочитайте по справочнику или по приложению к данной лабораторной работе предельно допустимые свойства исследуемого транзистора. При использовании транзистора КП302, рассеиваемая мощность не должна превосходить
200 мВт.
1.8.2 Включите измеритель Л2-56.
1.8.3 Установите транзистор в измерительную колодку, при этом выводы транзистора сток, исток и затвор должны находиться соответственно в гнездах колодки с надписями «коллектор», «эмиттер» и «база».
1.8.4 Присоедините измерительную колодку к измерителю Л2-56.
1.8.5 Накройте измерительную колодку с транзистором защитной крышкой, при этом штыри блокировочных колодок должны войти в соответствующие гнезда на измерителе Л2-56.
1.8.6 Тумблер «Выбор транзистора» необходимо перевести в положение «вправо» или «влево» в зависимости от нахождения измерительной колодки в правой стороне или в левой стороне присоединительных гнезд измерителя Л2-56.
1.8.7 Не оттягивая на себя совмещенную ручку «Максимальная пиковая мощность»/ «Максимальное пиковое напряжение», установите напряжение между стоком и истоком равным 7 В. При этом должны появиться две кривые, одна из которых соответствует нулевому напряжению между затвором и истоком, а вторая – соответствует напряжению смещения первой ступени.
1.8.8 При измерении напряжения отсечки необходимо последовательно увеличивая число ступеней, попытаться уменьшить величину тока стока до величины, задаваемой в «Приложении» - (10мкА). Напряжение на затворе относительно истока по достижении такого уровня тока и будет «технически определённым напряжением отсечки». Если даже при введении 10 ступеней ток стока будет больше, чем это граничное значение (10 мкА), то необходимо вернуться к режиму с одной ступенью, но величину ступени надо увеличить ручкой «Амплитуда ступенек». А затем , опять надо увеличивая число ступеней добиться достижения граничного уровня тока стока. Полученное значение технически определенного напряжения отсечки надо занести в таблицу 5.
1.8.9 Вывести режим работы транзистора в положение, при котором имеет место пологая зависимость тока стока от напряжения сток-исток. При одном и том же значении напряжения исток-сток, но при разных значениях напряжения на затворе относительно истока, надо определить величины тока стока, а по ним, используя соотношение (2), и величины параметров и. Полученные значения параметровинеобходимо занести в таблицу 5. При одном и том же значении напряжения на затворе относительно истока, но при разных значениях напряжения исток-сток (на пологом участке), надо определить величины тока стока, а по ним, используя соотношение (2), и величину параметра.
Таблица 5
Результаты идентификации параметров математической модели ПТУП
Тип канала транзистора |
Технически определенное напряжение отсечки , В |
Физически определенное напряжение отсечки , В |
Параметр математической модели, |
Параметр математической модели |
|
|
|
|
|