Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
|
|
«Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана» (МГТУ им. Н.Э. Баумана)
Калужский филиал |
А.А. Столяров
Конспект лекций
по курсу
«ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
специальности 210201
«Проектирование и технология радиоэлектронных средств»
Утверждено на заседании
кафедры ЭИУ1-КФ
28.01.09 протокол № 6
Калуга, 2009г.
Оглавление
1. Полупроводниковые диоды…………………………………………..4
1.1. Конструктивно – технологические виды диодов 4
1.2. Выпрямительные диоды 7
1.3. Импульсные и высокочастотные диоды 10
1.4. Стабилитроны 13
1.5. Туннельные диоды 15
1.6. Варикапы 21
1.7. Диоды СВЧ……………………………………………………………..21
1.8. Диоды Ганна……………………………………………………………22
1.9. Лавинно-пролетные диоды……………………………………………23
1.10. p-i-nдиоды…………………………………………………………….25
1.11. Варисторы……………………………………………………………..27
1.12. Термисторы. Термоэлектрические приборы………………………..28
1.13.Тиристоры, фототиристоры, оптопары……………………………...29
2. Транзисторы…………………………………………………………….36
2.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов 36
2.2. Схемы включения транзисторов 41
2.3. Коэффициент передачи по току 41
2.4. Зависимость коэффициентов усиления транзисторов от режима и температуры 44
2.5. Статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ 47
2.6. Модель Эббера – Молла 49
2.7. Транзистор как линейный четырехполюсник 49
2.8. Конструкции биполярных транзисторов 50
2.9. Биполярные СВЧ транзисторы с гетеропереходами…………………58
3. Усилители на транзисторах…………………………………………..60
3.1. Классификация. Режимы работы 60
3.2. Выбор рабочей точки 60
3.3. Стабильность рабочей точки 64
3.4. Расчет каскада на транзисторе в схеме с ОЭ по постоянному току 66
3.5. Транзисторный усилитель переменного напряжения 68
3.6. Амплитудно – частотная характеристика усилителя 70
3.7. Порядок расчета транзисторных усилителей 72
3.8. Эммитерный повторитель 73
3.9. Усилители постоянного тока 74
3.10. Дифференциальный усилитель 76
4. Полевые транзисторы………………………………………………….81
4.1. Полевые транзисторы. Общие сведения 81
4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором 82
4.3. Статические характеристики МДП – транзисторов 83
4.4. Основные параметры МДП – транзисторов 85
4.5. МДП-трснзисторы……………………………………………..............87
4.6. Полевые транзисторы с управляющим p–n– переходом 88
4.7. Приборы с зарядовой связью………………………………………….91
4.8. Полевые СВЧ-транзисторы на основе арсенида галлия……………..92
4.9. Полевые СВЧ-транзисторы на гетероструктурах…………………… 94
5.Электронные приборы СВЧ...................................................................99
5.1. Клистроны……………………………………………………………….99
5.2. Лампы бегущей и обратной волны…………………………………….101
5.3. Магнетроны……………………………………………………………..103
6.Интегральные операционные усилители……………………………105
6.1. Основные параметры ОУ .105
6.2. Обратные связи .107
6.3. Идеальный ОУ. Виртуальный ноль .108
6.4. Инвертированный усилитель .108
6.5. Неинвертирующий усилитель .110
6.6. Аналоговые интеграторы и дифференциаторы .112
6.7. Инвертирующий сумматор и вычитатель .112
6.8. Логарифмический усилитель, компараторы .116
6.9. Избирательные усилители .117
Литература…………………………………………………………………..120