- •Аннотация
- •Выбор схемы усилителя переменного тока.
- •Построение усилителя на основе инвертирующего ру.
- •Схемная реализация усилителя на базе неинвертирующего ру.
- •Построение усилителя на основе двух усилительных подсхем.
- •2. Моделирование усилителей переменного тока в сети Multisim.
- •2.1. Усилитель с одной усилительной подсхемой.
- •Усилитель с двумя усилительными подсхемами
- •3. Экспериментальное исследование усилителя переменного тока с использованием учебной лаборатории станции виртуальных приборов ni elvis.
- •3.1. Усилитель с одной усилительной подсхемой.
- •. Усилитель на неинвертирующем и инвертирующем ру/
- •Проектирование мощного выходного каскада усилителя.
- •4.1. Назначение и функционирование вк.
- •Расчет выходного каскада.
- •Максимальные мощности, рассеиваемые на элементах вк.
- •Заключение
- •Список использованных источников
Максимальные мощности, рассеиваемые на элементах вк.
Мощность рассеяния на коллекторе транзистора , где – ток коллектора, – напряжение коллектор-эмиттер.
Можно показать:
Транзисторы , нужно устанавливать на теплоотвод, поскольку допустимая мощность рассеяния на транзисторе без теплоотвода, как правило, не превышает 2 - 4 Вт.
Вт
Транзисторы и можно использовать без теплоотвода.
Определим максимальную мощность на резисторе . Она будет при
При этом
Тогда:
Можно показать:
Заключение
В ходе выполнения курсовой работы была спроектирована схема высококачественного усилителя переменного тока, состоящего из двух усилительных подсхем: входная подсхема реализуется на неинвертирующем РУ, что позволяет получить большое входное сопротивление; выходная подсхема реализуется на основе инвертирующего РУ, используется для получения высокого коэффициента усиления всего усилителя. Усилитель основанный на двух усилительных подсхемах, позволяет получить высокую верхнюю граничную частоту.
Список использованных источников
Экспериментальное исследование аналоговых электронных устройств на базе NI ELVIS: Методические указания по дисциплине «Схемотехника»/ Сост.: К.Г.Жуков и др. Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2009. 30стр.
Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: в 2 т.: пер. с нем. –т.1. – М.: Додэка, 2008. – 832 с.: ил.- (Серия «Схемотехника»).