Исследование вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов

В

–	-
;
;	.

	1.	щ	я
1.1
					–
				,
		.		,
					,
		:		;	;
;	;		;	;	;
;			.
		. 1.1.

	. 1.1 –
	1.2			я
	p-n				[1,	2].
	-					(	)
.			:
	0			–1),					(1.1)
	0			0	0 ,				(1.2)
I0 –	(				); I –	,			;
U –	,					;	T=kT/q –
;	k –		; T –				; Dp		Dn –
			;		S –		; p0	и	n0 –
						(	)	(	)
.
			2

(	)	.				(
	)					1 , . .
	,					.
						,
	:
		(			1) ,	(1.3)
			0
		p-n				.
		,			p-n	,
	,
	.	,			p-n	,
		.				,
		U	≥(3÷4) T.			. 1.2.
		,				.
		.

. 1.2 –

.

,

,

2–10 .

1

,

(1.4)

0

r –

.

U

I,

,

I0.

3

I0	,	U
	,	. 1.3.
		0,4	(	«	»)
				(I0)Ge,
			.

			. 1.3 –
			p-n
				.
				I ,
				.
I	=I0+I	+I чки≈I0,	I –	.
				.
				-
p–n	I	≈ I .
	100–1000			.

				- 0
	0	0	2	(1.5)
T*–		,		I =( 0)
T* 8÷10°	T* 6÷7°			.

4

1.3

я

,

.

,

.

«А»

. 1.4:

R = UA / IA,

r = ∆U / ∆I .

. 1.4 –		R r
1.4	я я	ВА
		. 1.5.

. 1.5 –

	:
	,	(1.6)
–	,	(1.7)
	,	-

.

5

	. 1.6 –
	(U =	, I =0)
(U =0, I = /R* ).	A	UA
IA.	R	,
,	( . 1.6)
,	.

2.

							,
		. 2.1.					2
.					I
,								7.
						6.
								1,
	(R 1÷R 10).							.
			I мак	20÷25		,		1
10						R	(	)
.				,
,		3.1.
								3.1
	1		2		3		4	5
	9		18		7		133	139

6

-

		R*							R	R
1					10	11			1			10
		1							3	4		5,
							10
				R		0,5			30
							6		5,	1
	R						I	К			2	U
						I
				2					I	U
U	вх		1	5
							7
						U
									8
									+E			3
	1	2	3	4	5

. 2.1 –

7

			3.		я					я
	3.1 И						я					ВА
												:
1.								;
2.			2						1,							1;
3.			7						I		;
4.			6						30			;
5.			1									10
R (			)						I мак			20÷25				;
6.
U ;
7.					1				(R 1÷				R 10)
					,											1,
I =f(U ).									4.1.
																4.1
												1
	1		2	3		4		5	6		7		8		9		10
I ,																		1
U ,
I ,																		2
U ,
I ,																		3
U ,
I ,																		4
U ,
8)			7				2,	3	4.
9)									I =f(U )							.
									.
10)											R =f(I ) r =f(I ).
.
3.2 И										ВА

:

8

1)			2				5,						5;
2)					1			(R 1÷		R 10)
					,								5,
U =f(I ).							4.2			:
																4.2
													1
		1		2	3	4		5		6		7		8	9	10
	ICT,
	UCT,
3)					U	=f(I	).
4)								r =f(I ).								.
	3.3 И
,						. 3.1.

. 3.1 –

			1
11,
	.
I,		,
U	(	1	. 3.2).
,	I	, . .
,	U (	2	. 3.2),
,	.

9

		. 3.2 –
		U				I ,
.
,
		К =U /U .
					:
1.					,			. 3.1.
			1					11,
			.		2			1,
1;
2.
Uвх		2	1		.
Uвх		U .			.
3.		U		U	1			4.3		:
					4.3
				1		2		3
		U
		U
		KB
4.					2,	3.
			.
5.					.
					01-2013. «					»
								.
		.			03.12.2013			№14103. [
]. https://regulations.tusur.ru/documents/70# (								02.05.2018)
					10