Квантовая и оптическая электроника.-2
.pdf\
Л.И. Шангина
КВАНТОВАЯ И ОПТИЧЕСКАЯ
ЭЛЕКТРОНИКА
Учебное методическое пособие
Томск – 2012
2
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
Кафедра сверхвысокочастотной и квантовой радиотехники
Л.И. Шангина
КВАНТОВАЯ И ОПТИЧЕСКАЯ
ЭЛЕКТРОНИКА
Учебное методическое пособие по практическим занятиям по дисциплинам «Квантовая и оптическая
электроника»., «Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства».для направлений подготовки Радиотехника -210300, Телекоммуникации –
210400
2012
3
УДК 621.371(075.8) + 537.8(075.8)
Рецензенты:
Тихомиров А.А., д-р. тех. Наук, проф., зам. директора, институт а оптического мониторинга Томского СОРАН;
Коханенко А.П., д-р физ.-мат. наук, проф. каф. квантовой электроники и оптоинформатики Томск. гос. ун-та.
Шангина Л.И.
Квантовая и опическая электроника : Учебное методическое пособие по практическим занятиям. − Томск: Томский университет систем управления и радиоэлектроники, 2012.-228 с.
В учебно-методическом пособии кратко излагаются вопросы усиления и генерации в квантовых приборах, методы формирования, модуляции и приема оптического излучения. Справочный материал приведен в виде формул, таблиц и графиков, необходимых при решении задач. Для каждой темы дополнено достаточное количество примеров, способствующих самостоятельному решению задач, предлагаемых в контрольных работах.
Пособие предназначено для студентов технических вузов, обучающихся по направлениям подготови Радиотехника -210300, Телекоммуникации – 210400 различных форм обучения, по дисциплинам «Квантовая и оптическая электроника»., «Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства».
©Шангина Л.М., 2012
©Томский гос. ун-т систем управления
ирадиоэлектроники, 2012.
4
|
|
СОДЕРЖАНИЕ |
|
Введение ............................................................................................... |
6 |
||
Краткое содержание курса.................................................................. |
6 |
||
Список введенных сокращений и обозначений ............................... |
7 |
||
1 Взаимодействие электромагнитного поля с веществом……… |
8 |
||
1.1 |
Основные теоретические сведения ........................................... |
8 |
|
1.1.1 |
Квантовые переходы............................................................ |
8 |
|
1.1.2 |
Энергетические уровни, ширина спектральной линии.. |
11 |
|
1.1.3 |
Усиление и генерация в квантовых системах ................. |
14 |
|
1.1.4 Оптические резонаторы...................................................... |
17 |
||
1.1.5 Условия самовозбуждения оптических квантовых |
|
||
|
|
генераторов .......................................................................... |
19 |
1.1.6 Характеристики излучения ОКГ. Монохроматичность, |
|||
|
|
когерентность, направленность лазерного излучения .... |
20 |
1.2 |
Примеры решения типовых задач........................................... |
21 |
|
2 Квантовые приборы СВЧ........................................................... |
51 |
||
2.1 |
Квантовые парамагнитные усилители (КПУ) СВЧ............... |
51 |
|
2.2 |
Квантовый генератор на молекулах аммиака NH3 ................ |
52 |
|
2.3 |
Примеры решения типовых задач........................................... |
53 |
|
3 Оптические квантовые генераторы (ОКГ)............................. |
68 |
||
3.1 |
Твердотельные лазеры.............................................................. |
69 |
|
3.2 |
Газовые оптические квантовые генераторы .......................... |
73 |
|
3.3 |
Полупроводниковые лазеры .................................................... |
80 |
|
3.4 |
Некоторые расчетные соотношения, используемые |
|
|
|
в технике ОКГ........................................................................... |
93 |
|
3.5 |
Примеры решения типовых задач........................................... |
96 |
|
4 Оптические управляющие устройства .................................. |
136 |
||
4.1 |
Электрооптические модуляторы.......................................... |
136 |
|
4.2 |
Примеры решения типовых задач......................................... |
139 |
|
4.3 |
Акустооптические модуляторы............................................. |
147 |
|
4.4 |
Примеры решения типовых задач......................................... |
154 |
|
4.5 |
Дефлекторы.............................................................................. |
162 |
|
5 |
|
4.6 |
Примеры решения типовых задач......................................... |
170 |
5 Фотоприемники .......................................................................... |
177 |
|
5.1 |
Параметры и характеристики фотоприемников.................. |
177 |
5.2 |
Примеры решения типовых задач......................................... |
186 |
6 Варианты контрольных работ................................................. |
192 |
|
6.1 |
Квантовые переходы. Энергетические уровни. Понятие |
|
|
отрицательной температуры.................................................. |
192 |
6.2 |
Оптические резонаторы.......................................................... |
195 |
6.3 |
Мощность. Оптимальные размеры. Условия |
|
|
самовозбуждения.................................................................... |
201 |
6.4 |
Квантовые парамагнитные усилители. |
|
|
Молекулярные генераторы.................................................... |
204 |
6.5 |
Оптические квантовые генераторы....................................... |
208 |
6.6 |
Пространственные характеристики излучения ОКГ .......... |
213 |
6.7 |
Характеристики лазерного излучения (когерентность, |
|
|
монохроматичность, направленность, частота) .................. |
217 |
6.8 |
Модуляторы и дефлекторы.................................................... |
220 |
6.9 |
Фотоприемные устройства оптического излучения ........... |
222 |
7. Список рекомендованной литературы |
228 |
6
ВВЕДЕНИЕ
Настоящее учебное методическое пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлениям Радиотехника -210300, Телекоммуникации – 210400, специальностям «Защищенные системы связи»; «Информационная безопасность телекоммуникационных систем; «Физика и техника оптической связи» и содержит материал по пяти основным разделам дисциплин «Квантовая и оптическая электроника»., «Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства».
В каждом разделе кратко изложены торетические сведения, необходимые для решения задач, приведены решения типовых задач, помогающие разобраться в методах решения поставленных вопросов. Предлагается также значительное количество задач для самостоятельного решения. Условия задач иллюстрируются рисунками, поясняющими принцип работы и устройство приборов.
Для углубленного изучения дисциплины рекомендуется литература, приведенная в конце пособия.В данном пособии представлен справочный материал и рассмотрены методы решения задач по всем разделам курса. Приведены варианты контрольных работ.
КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ КУРСА
«Квантовая и оптическая электроника». Взаимодействие электромагнитных волн с веществом. Энергетические спектры атомов, молекул, твердых тел. Нормальное и возбужденное состояние системы. Принцип квантового усиления. Понятие о спонтанных переходах и спонтанном излучении. Метастабильные энергетические уровни. Газовые оптические квантовые генераторы. Гелий-неоновый атомарный лазер, его устройство, энергетическая диаграмма. Ионные лазеры, устройство, принцип действия, параметры. Лазеры на твердом теле, материалы, особенности энергетических диаграмм. Полупроводниковые лазеры, их особенности, материалы. Инжекционный лазер на p-n-переходе, энергетическая диаграмма, особенности физических процессов, основные параметры и характеристики. Инжекционные лазеры на гетеропереходах. Методы модуляции, формирование и управление лазерным излучением.
Некоторые расчетные соотношения, используемые в технике ОКГ. Фотоприемники. Параметры и характеристики фотоприемников. Материал, предлагаемый в данном пособии, опирается на перво-
источники [1−8].
7
СПИСОК ВВЕДЕННЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
ДГС – двойная гетероструктура, ЭМИ – электромагнитное излучение, ЭМВ – электромагнитных волн,
ОКГ – оптический квантовый генератор,
h – постоянная Планка, h = 6,63 ×10−34 , Дж·с, е = 2,718,
rv – единичная объемная плотность энергии внешнего поля (rν=1Дж×см–2 × с–1 ),
1эВ = 1,6 ´10−19 Дж.
8
1 ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ
СВЕЩЕСТВОМ
1.1Основные теоретические сведения
1.1.1 Квантовые переходы
В квантовых приборах усиление образуется за счет индуцированного (вынужденного) излучения при квантовом переходе частиц с верхнего уровня на нижний. При этом существует три вида переходов между уровнями: спонтанные, индуцированные и тепловые.
Число переходов пропорционально населенности этого уровня Ni и времени dt
dn = Aik × Nidt , |
(1.1) |
где Aik – вероятность спонтанного перехода в 1 с.
Время, через которое населенность Ni уменьшается в е раз по сравнению с начальной величиной, определяется по следую-
щей формуле: |
|
τ2 = 1/ Aik , |
(1.2) |
т.е. t2 – характеризует время жизни частицы в возбужденном состоянии и называется временем жизни уровня энергии по спонтанным переходам.
Вероятности вынужденных (индуцированных) переходов определяются соотношениями:
W21 = B21ρ v; W12 = B12ρν ; W21 = W12 , (1.3)
где В21 и В12 – коэффициенты Эйнштейна для вынужденных переходов с излучением и поглощением энергии; rv – единичная
объемная плотность энергии внешнего поля |
и определяется вы- |
|
ражением |
|
|
rν = |
e × E2 |
(1.4) |
. |
||
|
2 |
|
Между вынужденными и спонтанными переходами существует связь
|
9 |
|
|
||
A21 = |
|
8π hv3 |
|
|
|
|
21 |
B, |
(1.5) |
||
c3 |
|||||
|
|
|
|
где А21 – вероятность спонтанных переходов, так как вынужденные переходы снизу вверх и сверху вниз равновероятны, то В21 = =В12= В, h – постоянная Планка, ν21 – частота перехода, с – скорость света.
В перераспределении частиц по энергетическим уровням участвуют безизлучательные переходы, являющиеся также вероятностными процессами
|
|
= Г |
|
+ |
hν |
21 |
|
|
Г |
|
1 |
|
. |
(1.6) |
|||
|
kT |
|||||||
|
21 |
12 |
|
|
|
|
Вероятность переходов сверху вниз больше вероятности снизу вверх.
Спонтанные переходы определяют ширину естественной спектральной линии, так как
DEi ³ h / ti , |
или DEi = hnik , |
(1.7) |
где i, k – рабочие уровни (i – |
верхний, k – нижний уровни), τi – |
время жизни частицы на i-том уровне.
Форма спектральной интенсивности линии представляется кривой Лоренца, совпадающей с резонансной кривой колебательного контура с максимумом при ν = ν0. Шириной линии принято называть частотный интервал Δν, в пределах которого интенсивность в спектре равна половине максимальной интенсивности. В данном случае Dnл = 2a.
J(n) = J |
0 |
a2 |
, |
(n - n0 )2 + a2 |
где J0 − спектральная интенсивность в центре линии, ν0 – частота колебаний диполя, α – константа затухания a(t) = a(0) exp(- at).
Введя некоторые обозначения, получим выражение для форм фактора.
Форма контура спектральной линии определяется из следующего выражения
g(n) = |
|
1/ τπ |
, |
(1.8) |
|
|
|||
1 |
+ (2 × p × n - 2 × p × n0 )2 |
|||
|
t2 |
|
|
|
|
|
|
|
10
где n0 – центральная частота, Dn – ширина контура спектральной линии, n – текущая частота, t – время естественной релакса-
ции ( τ = 1/ 2π ν ).
При точных расчетах параметров квантовых систем используют спектральные коэффициенты Эйнштейна. С введением коэффициентов aki , bki , bik следует уточнить также понятие населенности. Под населенностью Ni любого уровня следует понимать число частиц в единице объема, энергия которых попадает в пределы размытости этого уровня по энергии.
Таким образом, числа спонтанных и вынужденных переходов в единичном частотном интервале вблизи частоты n в единицу времени можно записать с использованием дифференциаль-
ных коэффициентов Эйнштейна |
|
nki = a ki (ν)Nk , nki = bki (ν)ρν N k и nki = bik (ν)ρν N i . |
(1.9) |
Спектральные коэффициенты должны учитываться при получении закона изменения мощности сигнала в процессе прохождения через вещество
P(z1v0 ) = P(01v0 )exp[− χ(v0 )z] , |
(1.10) |
||
где Р(о, n0) – мощность на входе в активное вещество; |
|
||
c(n0) – коэффициент усиления, соответствующий централь- |
|||
ной частоте, определяемый по формуле: |
|
||
c(n0 ) = |
hν0 |
(B12 × N1 - B21 × N2 ), |
(1.11) |
|
|||
|
Dn × Jгр |
|
где Jгр – групповая скорость волны.
Если N1>N2, то c(n0) является коэффициентом ослабления, в обратном случае c(n0) – коэффициент усиления. При получении инвертированного состояния n2 > n1, вводится и понятие отрица-
тельной температуры, определяемое соотношением: |
|
||||
T = − |
E2 − E1 |
. |
(1.12) |
||
|
|||||
|
k ln |
n2 |
|
|
|
|
n1 |
|
|||
|
|
|
Поглощаемая мощность в активном веществе пропорцио-
нальна напряженности поля ( Wt1 = eE2 × t1 ). В случае слабых по- 2
лей, когда Wτ1 << 1 (t1 – время продольной релаксации), поглощаемая мощность равна