- •Моделирование биполярного транзистора при проектировании электронных схем
- •Аннотация
- •Содержание
- •Введение
- •Цель работы.
- •Параметры биполярного транзистора
- •Выходные характеристики
- •Входные характеристики
- •2.1. Параметры модели Гуммеля-Пуна, сведённые в таблицу
- •Расчёт выходной и входной характеристики биполярного транзистора и сравнение их с характеристиками, полученными экспериментально.
- •2.3. Принципиальная схема усилителя низкой частоты, назначение и принцип действия.
- •Расчет положения рабочей точки
- •3.1. Расчет сопротивлений усилителя , , , с учетом таблицы номиналов (Приложение в) и положения рабочей точки , .
- •3.2. Графоаналитический расчет рабочей точки и малосигнальных параметров транзистора
- •Моделирование работы усилителя в режиме большого сигнала
- •5.1 Расчет амплитудных характеристик усилителей
- •5.2 Расчет амплитудно-частотных характеристик усилителей
- •Экспериментальное исследование усилителя
- •6.1 Определение положения рабочей точки
- •6.2 Измерение амплитудных характеристик усилителей
- •6.3 Измерение амплитудно-частотных характеристик усилителей
- •7. Выводы по работе
- •8. Список литературы
Министерство образования и науки РФ
____________________________
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет "ЛЭТИ"
___________________________________________________
Моделирование биполярного транзистора при проектировании электронных схем
Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине "Твердотельная электроника"
Выполнил студент группы 9201 |
Рауан М. |
Проверил: |
Иванов Б.В. |
Санкт-Петербург
2021
Факультет электроники
Кафедра: РТЭ
Направление: Электроника и микроэлектроника
Техническое задание
на выполнение курсовой работы по дисциплине “Твердотельная электроника”
Исполнитель: Рауан Мирас
Руководитель: доцент каф РТЭ Б.В.Иванов
Наименование проекта: Моделирование биполярного транзистора при проектировании электронных схем
Цель работы, приобретаемые компетенции: знание методов теоретического и экспериментального исследования параметров полупроводниковых приборов и устройств; умение применять эти методы в практике проектирования приборов и устройств; владеть современными методами компьютерного проектирования приборов и устройств.
Исходные данные (технические требования): усилитель низкой частоты класса А 5
Коэффициент усиления в схеме ОС по току: 7
Напряжение питания, В:14
Ток коллектора в рабочей точке, мА: 10
Диапазон частот исследования усилителя: 50Гц - 100кГц
7. Содержание работы: измерение основных параметров биполярного транзистора (БТ) и формирование его моделей малого и большого сигнала; расчет схемы усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе методом малого сигнала, графоаналитическим мето дом, методом компьютерного моделирования; экспериментальное измерение параметров усилителя
8. Календарный план работ:
Наименование работ |
Срок окончания |
Измерение параметров транзистора |
01.04.2022 |
Проведение расчетов |
27.04.2022 |
Экспериментальное исследование усилителя |
27.05 2022 |
9. Вид отчётных материалов: пояснительная записка
Дата выдачи задания Дата представления работы к защите
"14" февраля 2021 г. май 2022 г.
Исполнитель: / /
Руководитель: /
Аннотация
В данной курсовой работе были исследованы основные параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты.
Рассчитаны теоретические амплитудные и амплитудно-частотные характеристики усилителей в схемах с обратной отрицательной связью и без неё. Те же зависимости построены экспериментально, произведено сравнение. Установлены режимы усиления сигнала, в которых он не искажается.
Summary
In this course work were investigated the basic parameters of a bi-polar transistor, which determine the operation of a low-frequency linear amplifier.
Theoretical amplitude and amplitude-frequency characteristics of amplifiers in circuits with and without negative feedback are calculated. The same dependences are built experimentally, a comparison is made. The signal amplification modes are set in which it is not distorted.