Ионные и ионно-лучевые процессы и технологии

1. При малых энергиях ионов преобладающим является

ядерное торможение

электронное торможение

примесное торможение

фундаментальное торможение

2. При больших энергиях ионов преобладающим является

ядерное торможение

электронное торможение

примесное торможение

фундаментальное торможение

3. Распределение внедренных ионов по глубине определяется

величиной ускоряющего напряжения

направлением движения падающих ионов относительно кристалло-графической оси мишени

температурой мишени

остаточным давлением газов

током ионного пучка

4. При эффекте каналирования преобладает

ядерное торможение

электронное торможение

примесное торможение

фундаментальное торможение

5. Величина критического угла вхождения ионов в канал (при эффекте каналирования) составляет

менее 3-6 градусов

в пределах 3 градусов

в пределах 3-6 градусов

6. На эффект каналирования влияет

плотность мишени

температура мишени

наличие дефектов в объеме мишени

наличие дефектов на поверхности мишени

доза облучения

7. Подвижность свободных носителей заряда после ионной бомбардировки

не изменяется

уменьшается

увеличивается

8. Коэффициент диффузии примесей в кристалле после ионной бомбардировки

увеличивается

уменьшается

практически не изменяется

9. С увеличением массы ионов проекция пробега и среднее нормальное отклонение проекции пробега

уменьшаются

увеличиваются

практически не зависят

проходят через максимум

10. Величина проекции пробега ионов с ростом их первичной энергии

увеличивается практически линейно

уменьшается практически линейно

не изменяется

увеличивается экспоненциально

11. Наибольшей яркостью обладают

полевые источники ионов

дуоплазмотроны

источники ионов с поверхностной термической ионизацией

источники с дуговым разрядом

12. В системах фокусировки ионного потока в основном применяются

магнитные линзы

электростатические линзы

стеклянные линзы

13. В системах сканирования (отклонения) ионного потока в основном применяются

магнитные линзы

электростатические линзы

стеклянные линзы

14. Для проведения ионно-лучевого процесса требуется вакуум порядка

10^-4 - 10^-5Па

не менее 10^-6Па

10^-4торр

1 мбар

15. Наиболее высокое разрешение имеет

фотолитография

ионно-лучевая литография

электронно-лучевая литография

16. Резисты на основе полиметилметакрилата обладают большей чувствительностью

к потоку ионов

к потоку электронов

к потоку квантов УФ излучения

к потоку рентгеновского излучения

17. От каких факторов зависит минимальный диаметр ионного пучка

яркости ионного-источника

силы тока луча

коэффициента сферической абберации фокусирующей системы

фокусного расстояния фокусирующей системы

глубины фокуса фокусирующей системы

18. Яркость ионных источников измеряется в

А/(м²·стер)

ион/(см²·стер)

А/м²

А/стер

19. Коэффициент распыления сильнее всего зависит от

типа ионов

типа мишени

энергии ионов

плотности мишени

20. Какой вид ионного травления обладает наибольшей селективностью

физическое

плазмохимическое

ионно-химическое

21. Какой вид ионного травления обладает наибольшей анизотропией

физическое

плазмохимическое

ионно-химическое

22. Основными характеристиками высокомолекулярных органических резистов являются

чувствительность

контрастность

разрешающая способность

плотность микродефектов

адгезия к материалам

термическая и химическая устойчивость

23. К ионно-лучевым методам исследования поверхности можно отнести

вторичную ионную масс-спектрометрию

рентгеновский спектральный микроанализ

просвечивающую электронную микроскопию

дифракцию медленных и быстрых электронов

24. Наибольший ток ионного пучка обеспечивают

полевые источники ионов

дуоплазмотроны

источники ионов с поверхностной термической ионизацией

источники с дуговым разрядом

25. Для какого сорта ионов будут наблюдаться максимальные коэффициенты распыления

Ar

Kr

Xe

He

Итоговый экзамен по дисциплине проводится в две ступени:

- тестовый экзамен (32 закрытых задания, каждое задание оценивается в 1 балл), на котором студент должен набрать не менее 26 баллов – оценка «удовлетворительно»;

- письменный экзамен, который проводится по вопросам, приводимым ниже. Экзаменационный билет включает шесть вопросов из приводимого ниже перечня. Ответ на каждый вопрос оценивается из 3 баллов. Студент на письменном экзамене может набрать до 18 баллов.

Результат экзамена (максимум 50 баллов) определяется как сумма тестовой и письменной частей.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ по дисциплине КОРПУСКУЛЯРНО ФОТОННЫЕ ПРОЦЕССЫ И ТЕХНОЛОГИИ

1. Свойства лазерного излучения.

2. Электронно-лучевая обработка.

3. Взаимодействие ионов с монокристаллами. Каналирование.

4. Лазерная резка.

5. Нетермические электронные процессы. Реакции, индуцированные радикалами.

6. Система вытягивания и ускорения ионов.

7. Принцип работы лазера и его устройство.

8. Общая характеристика и особенности электронно-лучевых процессов.

9. Образование радиационных дефектов при ионной бомбардировке. Отжиг радиационных дефектов.

10. Лазерная пайка.

11. Электронно-лучевое нанесение покрытий из сплавов и химических соединений.

12. Ионно-лучевая литография.

13. Лазерные микротехнологии.

14. Электронно-лучевая литография.

15. Источники ионов.

16. Прошивка отверстий лазерным лучом.

17. Термическая размерная электронно-лучевая обработка.

18. Система сепарации ионов.

19. Нагревание материала лазерным лучом.

20. Типовая электронно-лучевая установка.

21. Пробеги ионов в твердом теле и их распределение.

22. Лазерная сварка.

23. Обработка не сфокусированным пучком электронов.

24. Ионное распыление и получение тонких пленок.

25. Размерная обработка материалов и получение тонких пленок с помощью лазерных технологий.

26. Электронно-лучевое испарение материалов.

27. Система фокусировки и сканирования ионного пучка.

28. Лазерное осаждение тонких пленок.

29. Размерная обработка массивных образцов в электронно-лучевой технологии.

30. Ионный синтез. Ионная металлургия.

31. Типовая лазерная технологическая установка.

32. Электронно - стимулированное травление.

33. Оборудование ионного распыления.

34. Термическая обработка и закалка лазерным лучом.

35. Электронно-лучевое испарение материалов.

36. Типовая ионно-лучевая установка.