книги / Электронные приборы

4.	Составляющая тока, проходящая через актив­
ное сопротивление и барьерную							емкость перехода.
2.	Считая,		что НЧ	эффективность					эмиттера равна
1, укажите		выражение,		определяющее эффективность
эмиттера на ВЧ. [Ь стр. 325; 2, стр. 177]
1	« =	___1+ /мС»аг»------			•	2 у -* -------?------
'	г	1+/«>(СЭд+ С,б)гв						1+1е>Сп г ,‘
3	I» с= 1 4~ /<вС3б гь			^	_		1-f- /(оСвд г»
		1	/0)Сдд Гg			1	/СО (С9д -f- Cj(j) Г9
3. В какой схеме включения						(с общей базой или об­
щим эмиттером)			коэффициент			прямой передачи тока
сильнее	зависит		от частоты?		[1, стр,			327;	2, стр. 183]
1.	В схеме с общим эмиттером.							2.	В схеме с об­

щей базой. 3. В обеих схемах одинаково.

4. Какие главные процессы определяют зависи­ мость коэффициента переноса в базе от частоты? [1, стр. 325; 2, стр. 176]

1.Влияние сопротивления базы.

2.Модуляция ширины базы высокочастотным

напряжением коллектора.

3.Конечное время движения и накопления дырок в базе и разброс скоростей дырок.

4.Лавинные процессы в коллекторном переходе.

5.Считая на НЧ коэффициент переноса носителей в базе равным 1, укажите приближенное выражение, свя­ зывающее коэффициент переноса ап на ВЧ со време­ нем пролета носит.елей через базу tnp. [2, стр. 177, 178]

1. а п = exp ( jma>tnpj,

“ 2. ап =		(1 + / < р) exp (-/W np).
о" ..		,	, ..		е х р (-/т й )/пР)
3.			4.	«п -------
6.	Как	определяется		диффузионная емкость СЭД
эмиттерного перехода? (См. разъяснение)						д<2
1.	_	№	UKb,=c°nst'		2. Сэ.д —
	ис э.д	д ^ э ь '				Ш,ЭБ'	/ _Б =xCO nit
	ис э.д	dQ	I			dQ
3.		диэъ.	=const •		4. Сдтд— dU.ЭБ' укэ=соп$‘
7. Укажите		приближенное			выражение	для	постоян­
ной времени цепи эмиттера. [2, стр. 177]
1,	Т 0 Сдд. 2,		Т 9 Cgfj,	3,	у г 9 Сдд. 4,	(^В.д *"Ь^Вб)"

201

1. Эмиттерный и коллекторный токи совпадают.

2. Эмиттерный ток отстает от коллекторного.

3. Коллекторный ток отстает от эмиттерного.

14. Какая коллекторная емкость (барьерная или диф­ фузионная) сильнее влияет на высокочастотные свойст­ ва транзистора? [1, стр. 297; 2, стр. 180].

1. Барьерная. 2. Диффузионная. 3. Барьерная и диффузионная емкости влияют одинаково.

15. Какая из барьерных емкостей (эмиттерная или коллекторная) в большей степени влияет на высокочас­ тотные свойства транзисторов? [1, стр. 297, 412]

1. Эмиттерная, поскольку эмиттерный переход смещен в прямом направлении и его емкость ве­ лика.

2. Коллекторная, поскольку емкость коллектор­ ного перехода шунтирует большое сопротивление перехода.

3. Эмиттерная, так как постоянная времени заря­ да емкости эмиттерного перехода невелика.

4. Коллекторная, так как диффузионная емкость коллекторного перехода меньше барьерной емкос­ ти.

16. Укажите определение диффузионной емкости Ск.л коллекторного перехода. (См. разъяснение)

1	С	—	dQ	£/ЭБ'=соп»1‘
			dQ	С/кэ= const •
2- Сил —dU
			КБ'
я	г	_	dQ	/g =const*
	° К . Д	—	КБ'
			Q U

dQ

4.£к.д —dUКБ' |/э =const*

17.Какова в статическом приближении связь диффу­ зионной емкости коллекторного перехода Ск.л с сопро­ тивлением коллекторного перехода гк? (См. разъясне­

ние)

	1. С,К.Д	'к	‘ п р -	2. С ,д ^ - ^ - т ,
		Г1
	3. Скд :	X	4.	С,к.д'	*пр
		Гк			Гк

18. Считая коэффициент передачи тока эмиттера на НЧ равным <хо, укажите приближенное выражение для коэффициента передачи тока эмиттера а на ВЧ. [1, Стр. 327; 3, стр. 182 (см. разъяснение)]

1. ал^а0^1 +

2. а^ сс0ехр^—

19. Каков физический смысл предельной частоты соа коэффициента передачи тока эмиттера? [1, стр. 327; 2, стр. 182]

1.На частоте со« отсутствует усиление мощности транзистора.

2.На частоте соа модуль коэффициента передачи

тока эмиттера уменьшается в У 2 раз.

3.На частоте соа транзистор не способен генери­ ровать в схеме автогенератора.

4.На частоте соа пролетное время носителей через

базу уменьшается в]/2 раз.

20. Считая коэффициент передачи тока базы йа НЧ равным Ро» укажите приближенное выражение для коэф­ фициента передачи тока базы р на ВЧ. [2, стр. 183 (см. разъяснение)]

1. Р=Ро
2.	P=p0( l + / ^ ) e x p |J - / d ^ ) .
3.	р=р0е	х	р	4. р = — Ь — .
				( 1+Ч)
21.	Каков физический смысл граничной частоты /гр?
[2, стр. 184]
1.	На частоте frp модуль коэффициента передачи

тока уменьшается в ]/~2 раз.

2.На частоте frp модуль коэффициента передачи тока базы экстраполируется к 1.

3.На частоте frр транзистор не способен генери­ ровать в схеме автогенератора.

4.На частоте frp модуль коэффициента передачи

тока базы уменьшается в ]/~ ? раз.

22. Как связана предельная частота ©р коэффициен­ та передачи тока эмиттера с граничной частотой ©Гр?

[2, стр. 183] 1. ©о

3, ©р

23. Каково соотношение между предельными часто­ тами коэффициентов передачи соатока эмиттера и ©р то­ ка базы? [1, стр. 327; 2, стр. 183]

1.= ©Л. 2. ©&= © 0 (1 — а 0)

3. ©р = а 0©о< 4. ©р

24. Что такое максимальная частота генерации тран­ зистора? [1, стр. 329; 2, стр. 185]

1.Частота, на которой транзистор не обеспечива­ ет усиление тока.

2.Частота, на которой коэффициент усиления

транзистора по напряжению равен 1.

3.Частота, на которой коэффициент усиления транзистора по мощности равен 1.

4.Частота, на которой мощность, генерируемая транзистором в схеме автогенератора, уменьша­

ется в	2 раз.
25. Укажите	выражение, определяющее значение

максимальной частоты генерации транзистора fмакс- [2, стр. 185]

1. f,макс =» 1f — Ь .

V (1—- аа„0) г 8Свб

п р

макс

2 Л Г 9 C QQ т

26. Укажите связь граничной частоты Югр с пролет­ ным временем ^Пр и барьерной емкостью эмиттерного пе­ рехода Сэб. [2, стр. 181, 183]

	1.	~	tDр(1	оCQ) С э(5гэ(1 + tri).
		Игр
	2 . ---- ~ (1			tn)tBV-\-C9ara.	3 . -----	пр
						Сэб Гэ«о
		СОтр,			сотр.
	4,	1	^прРо + Сэб M l		ао)-
		шгр

27. Укажите Т-образную эквивалентную схему тран­ зистора с одним генератором тока и барьерными емкос­ тями переходов. (См. разъяснение)

28. Укажите Т-образную эквивалентную схему тран­ зистора, справедливую для низких и средних частот. (См. разъяснение)

29. Какие из параметров приведенной эквивалентной схемы транзистора являются частотно-зависимыми? (См. разъяснение)

1.С,».д’ Скб.

2.	r'v	а , Скб,	~Мзкикй
3.	а ,	i i S	i e
		Гю Иэк-
4.	ГЮ г*,1 1*эк-

	о-	-о
30.	Считая коэффициент обратной	связи транзисто­

ра пренебрежимо малым, укажите высокочастотную эк­ вивалентную Т-образную схему бездрейфового транзис­ тора с частотно-независимыми параметрами. (См. разъ­ яснение)

31. Укажите упрощенную П-образную эквивалент­ ную схему транзистора при включении его с общим эмит­ тером^ См. разъяснение)

32. Укажите приближенное выражение проводимос­ ти Yс» в П-образной эквивалентной схеме транзистора. (См. разъяснение)

r B	1 — a 0
3. ve, . « — +	4- к б ' э - т - + / ^ э.д.
/э	лэ

33i Укажите приближенное выражение проводимос­ ти Уб’к в П-образной эквивалентной схеме транзистора. (См. разъяснение)

1-	[гк	-Н а с * . 2. Г ^ ± + 1 а £ ы .
		г«
3.	/■к	4- 5/б 'к ~ 1^/к + /®С,,д.

34.Укажите приближенное выражение параметра s

вП-образной эквивалентной схеме транзистора. (См.

разъяснение)

35. Укажите форму импульса коллекторного тока транзистора, если форма импульса эмиттерного тока прямоугольная и в коллекторной цепи отсутствует на­ грузка. [2, стр. 186]

36. Укажите форму импульса коллекторного тока транзистора, если форма импульса эмиттерного тока прямоугольная и транзистор при пропускании импульса тока работает в режиме насыщения. [2, стр. 186]

37. Чем объяснить протекание тока через коллектор­ ный переход после окончания импульса входного тока? [1, стр. 330; 2, стр. 186]

1. Движением через коллекторный переход неос­ новных носителей, накопленных в объеме базы.

2.Инжекцией в базу неосновных носителей через коллекторный переход.

3.Конечным временем диффузии неосновных но­ сителей в базе.

4.Разрядом диффузионной емкости эмиттера.

38.Укажите распределение концентрации неоснов­

ных носителей (например, концентрации р дырок) в ба­ зе транзистора в момент времени t\. [2, стр. 186]

39.Укажите распределение концентрации дырок в

базе транзистора в момент времени h. [2, стр. 186]

40. Чем объясняется небольшое уменьшение коллек­ торного тока транзистора в момент окончания импульса эмиттерного тока? [2, стр. 187]

1.Изменением напряжения на коллекторном пе­ реходе.

2.Изменением падения напряжения на сопротив­ лении базы.