- •1.Межатомное взаимодействие. Влияние энергии межатомного взаимодействия на свойства материалов.
- •2. Химическое взаимодействие атомов. Влияние типа химической связи на свойства материалов
- •3. Точечные дефекты кристаллической решетки. Термодинамика точечных дефектов. Влияние точечных дефектов на свойства материалов.
- •4. Линейные дефекты кристаллических решеток. Влияние линейных дефектов на свойства материалов.
- •1.4.2 Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •5. Поверхностные дефекты кристаллических решеток. Влияние поверхностных дефектов на свойства материалов
- •1.4.5 Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •7. Материалы высокой проводимости. Требования к материалам высокой проводимости. Принципы получения материалов высокой проводимости.
- •8. Металлические материалы высокого удельного сопротивления. Требования предъявляемы е к таким материалам. Принципы получения материалов высокого удельного сопротивления.
- •9 Принципы выбора материалов для разрывных контактов
- •10 Принципы выбора материалов для скользящих контактов.
- •11. Принципы выбора материалов для зажимных контактов.
- •12. Принципы выбора материалов для цельнометаллических контактов.
- •13. Влияние напряженности электрического поля на электропроводность диэлектриков.
- •14. Влияние температуры на электропроводность диэлектриков.
- •15. Механизмы поляризации диэлектриков.
- •16. Влияние температуры и частоты на диэлектрическую проницаемость материалов с различными видами поляризации.
- •18 Тангенс угла диэлектрических потерь, Влияние температуры, частоты поля, природы материала на величину тангенса угла потерь
- •2.3.2 Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь неполярных диэлектриков.
- •2.3.3 Влияние температуры на тангенс угла потерь в полярных диэлектриках
- •2.3.4. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла диэлектрических потерь для полярных диэлектриков
- •19. Природа электрохимического пробоя диэлектриков. Влияние состава на стойкость к электрохимическому пробою диэлектриков.
- •20. Природа электротеплового пробоя диэлектриков.
- •21. Природа электрического пробоя диэлектриков. Влияние агрегатного состояния на стойкость к электрическому пробою. Электрический пробой газов
- •22. Активные диэлектрики. Применение активных диэлектриков.
- •23. Природа ферромагнетизма, диамагнетизма и парамагнетизма.
- •24.Влияние напряженности магнитного поля на величину магнитной индукции.
- •25. Принципы получения магнитомягких материалов.
- •1. Межатомное взаимодействие, влияние энергии межатомного взаимодействия на свойства материалов.
- •2.Типы химических связей между атомами, влияние типа связи на свойства материалов.
- •3. Точечные дефекты кристаллической решетки. Влияние точечных дефектов не свойства материалов.
- •4. Линейные дефекты кристаллической решетки, влияние линейных дефектов на свойства материалов.
- •5. Поверхностные дефекты кристаллической решетки, влияние поверхностных дефектов на свойства материалов.
- •6. Объемные дефекты кристаллических решеток. Влияние объемных дефектов на свойства материалов.
- •7. Металлические материалы высокой электропроводности.
- •Принципы выбора материалов высокой электропроводности.
- •8. Металлические материалы высокого сопротивления.
- •9. Принципы выбора материалов для разрывных контактов.
- •10. Принципы выбора материалов для скользящих контактов.
- •11. Принципы выбора материалов для зажимных контактов.
- •13. Влияние напряженности электрического поля на электропроводность диэлектриков.
- •14. Влияние температуры на электропроводность диэлектриков и проводников.
- •15. Поляризация диэлектриков, виды поляризации, механизмы поляризации. Влияние внешних условий на поляризацию диэлектриков.
- •16.Влияние температуры на диэлектрическую проницаемость диэлектриков с ионной связью.
- •18. Потери энергии электрического поля в диэлектриках. Влияние внешних условий и особенностей строения диэлектриков на тангенс угла диэлектрических потерь
- •17 18. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь полярных и неполярных диэлектриков
- •1. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь неполярных диэлектриков.
- •2. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла диэлектрических потерь для полярных диэлектриков
- •Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь полярных и неполярных диэлектриков
- •1. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь неполярных диэлектриков.
- •2. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла диэлектрических потерь для полярных диэлектриков
- •19. Электрохимический пробой диэлектриков.
- •20. Электротепловой пробой диэлектриков.
- •21. Природа электрического пробоя диэлектриков. Механизмы электрического пробоя.
- •22. Особенности поляризации в активных диэлектриках
- •23. Природа ферромагнетизма.
- •24. Влияние напряженности магнитного поля на величину магнитной индукции
- •25.Принципы получения магнитомягких материалов
- •26.Принципы получения магнитотвердых материалов
1. Межатомное взаимодействие, влияние энергии межатомного взаимодействия на свойства материалов.
Любой материал представляет собой продукт взаимодействия огромного количества атомов, и свойства материала зависят от характера взаимодействия этих атомов. Зная характер взаимодействия атомов, можно прогнозировать свойства материалов. Поскольку взаимодействие множества атомов анализировать достаточно сложно, вначале для простоты рассмотрим взаимодействие двух атомов.
Между двумя атомами действует сила притяжения, она убывает обратно пропорционально квадрату расстояния между атомами. Помимо силы притяжения, между атомами действует и сила взаимного отталкивания, которая обратно пропорциональна расстоянию в степени n, где n больше 2.
В том случае, когда взаимодействует множество атомов, смещение любого из них приводит к росту энергии системы, Поэтому потенциальную кривую можно представить в виде периодической функции (рис. 2).
Рис. 2. Зависимость энергии потенц-го взаимодейс-твия (Wp) от расстояния между атомами (x) для случая взаимодействия множества атомов.
При минимуме энергии системы расстояния между атомами одинаковы и равны r0. Вдоль любого направления расстояния будут равны r0, хотя эти расстояния по разным направлениям будут разными. Расстояние между атомами вдоль какого-либо направления принято обозначать а.
Для переброса атома из одного равновесного положения в другое требуется повышение энергии. Поэтому в том случае, когда энергия системы минимальна или незначительно отличается от минимальной, атомы не могут перемещаться из одного положения в другое, и мы имеем дело с твердым телом. При значительном повышении энергии системы атомы активно колеблются, обмениваются энергией - и в результате могут переходить из одного положения в другое. В этом случае мы имеем дело с жидким телом. Дальнейший рост энергии системы приводит к выходу атомов из потенциальной ямы, они перестают взаимодействовать друг с другом, могут занимать различные положения – и мы имеем дело с газом.
2.Типы химических связей между атомами, влияние типа связи на свойства материалов.
Ковалентная связь образуется между атомами одного или нескольких химических элементов с близкими ионизационными потенциалами. В чистом виде ковалентная связь реализуется при взаимодействии элементов с наполовину заполненными электронными оболочками. H2 ,C, Si, Ge, Sn. Соседние атомы обмениваются электронами.
Появление между положительно заряженными ионами пары отрицательно заряженных электронов приводит к тому, что оба иона притягиваются к обобществленным электронам и, тем самым, притягиваются друг к другу. Каждый атом взаимодействует с ограниченным числом соседей, причем число соседей равно числу валентных электронов атома. Следовательно, ковалентная связь насыщенна. Кроме того, атом взаимодействует только с теми соседями, с которыми он обменялся электронами, то есть ковалентная связь имеет направление.
Ионная связь образуется при взаимодействии атомов с малым количеством валентных электронов и атомов с большим количеством электронов на валентных оболочках. При этом наружные электроны атомов с низкими потенциалами ионизации переходят на валентные оболочки атомов с высокими ионизационными потенциалами. Ионная связь ненасыщенна, поскольку каждый из отрицательно заряженных ионов притягивает к себе положительно заряженные, а каждый из положительно заряженных ионов притягивает к себе все отрицательно заряженные. Однако ионная связь направлена, поскольку ион притягивает к себе разноименно заряженные ионы и отталкивает одноименно заряженные.
Уменьшение размера иона и увеличение его заряда ведет к росту энергии связи, а следовательно, к росту температуру плавления материала, уменьшению коэффициента теплового расширения и к увеличению модуля упругости.
Металлическая связь образуется между атомами одного или нескольких химических элементов, у которых валентные электронные оболочки застроены меньше чем на половину. Поскольку энергия иона минимальна при полностью заполненной внешней оболочке, атомы отдают внешние валентные электроны и превращаются в положительно заряженные ионы, между которыми находятся свободные электроны (электронный газ).
Металлическая связь не имеет направления и ненасыщенна. Кристаллические решетки металлов упакованы плотно. Связь Ван-дер-Ваальса образуется при сближении молекул или атомов инертных газов и заключается в их связи между собой за счет постоянных или взаимно созданных дипольных моментов.