50. Однотранзисторная ячейка флэш-памяти

Если на управляющий затвор подать положительное напряжение (инициация ячейки памяти), то он будет находиться в открытом состоянии, что соответствует логическому О. Если на управляющий затвор подать избыточный отрицательный заряд (электрон) и подать положительное напряжение на управляющий затвор, то он компенсирует, созданием электрическим зарядом, поле не даст образоваться проводимости, т.е. транзистор находится в закрытом состояние, следовательно наличие или отсутствие определяет закрыт или открыт транзистор.

51. Устройство памяти с nor

Разработана фирмой Intel в 1988 г. Чтобы получить доступ к содержимому ячейки памяти (инициализировать ячейку), нужно подать напряжение на управляющий затвор. Поэтому разработчики компании все управляющие затворы подсоединили к линии управления, которая называется линией слов (Word Line). Анализ информации ячейки памяти выполняется по уровню сигнала на стоке транзистора. Поэтому разработчики все стоки транзисторов подсоединили к линии, которая называется линией битов (Bit Line). Принцип логической операции NOR заключается в том, что она над несколькими операндами дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных операциях. В нашем случае под операндами подразумевается значение ячеек памяти, а значит в данной архитектуре единичное значение на битовой линии будет наблюдается только в том случае , когда значение всех ячеек, которые подключены к битовой линии, будут равны нулю (все транзисторы закрыты).

В этой архитектуре хорошо организован произвольный доступ к памяти, но процесс записи и стирания данных выполняется относительно медленно. В процессе записи и стирания применяется метод инжекции горячих электронов. Ко всему прочему микросхема флеш-памяти с архитектурой NOR и размер ее ячейки получается большим, поэтому эта память плохо масштабируется. Флеш-память с архитектурой NOR как правило используют в устройствах для хранения программного кода.

52. Устройство памяти с nand

Эту память была разработана Toshiba. При выполнении операция NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случаях. В следствии этого в архитектуре NAND подразумевается, что битовая линия имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хотя бы один из транзисторов закрыт. Такую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR). Данная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется. Кроме этого архитектура NAND производит запись путем туннелирования Фаулера - Нордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. Чтобы увеличить скорость чтения, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш.

53. Структурная схема, принцип работы и основные термины жесткого диска;

HDD–Hard Disk Drive– предназначен для длительного хранения данных, которые используются компьютером.

Каждый HDDимеет3 основных компонента;

1)Диск

2)Механическая часть(управляет магнитной головкой)

3)Электронный блок

Принцип работы:

В магнитных носителях информации цифровая запись производится на магнито чувствительный материал. К таким материалам относятся некоторые разновидности оксидов железа, никель, кобальт и его соединения, сплавы, а также магнитопласты и магнитоэласты со вязкой из пластмасс и резины, микропорошковые магнитные материалы.

Магнитное покрытие имеет толщину в несколько микрометров. Покрытие наносится на немагнитную основу, в качестве которой для магнитных лент и гибких дисков используются различие пластмассы, а для жестких дисков — алюминиевые сплавы и композиционные материалы подложки. Магнитное покрытие диска имеет доменную структуру, т.е. состоит из множества намагниченных мельчайших частиц.

СХЕМА

54.Основные характеристики жестких дисков;

1)Размер диска(2,5 дюйма, 3.5 дюйма)

2)Интерфейсы

А)IOE

Б)SATA

-1-56b/s

-2-66b/s

В)SAS

3)Энергопотребление(12Вт)

4)Скорость вращения магнитного диска(6400, 7200, 10000, 15000 об/с)

5)Временные задержки

А)Время поиска

Б)Время переключения головки

В)Время переключения ножек цилиндра

После того как головка оказывается над дорожкой она ждет появления сектора дорожки(задержка позиционна)

А)скорость вращения(5400,7200, 10000 об/с)

Б)Время задержки(5.7, 4.2, 3.3 м/c)

6)Буфф-ая память винчестера – промежуточный тип памти, который необходим для временного размещения данных

7)Защита от перегрузок

55.Временные задержки жесткого диска;

Временные задержки

А)Время поиска

Б)Время переключения головки

В)Время переключения ножек цилиндра

После того как головка оказывается над дорожкой она ждет появления сектора дорожки(задержка позиционна)

А)скорость вращения(5400,7200, 10000 об/с)

Б)Время задержки(5.7, 4.2, 3.3 м/c)

56Логическая структура

1)Загрузочный сектор

2)таблица размещения файлов

3)область данных

Загрузочный сектор используется для определения загрузочного места и передачи управления загрузчику операционной системы

Таблица размещения файлов используется для хранения свединей о размещении файлов на диске: основная и резервная (для повышения надежности)

Область данных занимает основную часть пространства и служит для хранения данных. Сектора нумеруются с 0

0 сектор имеет свое имя-MBR-MasterBootRecord(он находится специальная программаIPL-InitialProgramLoading, она определяет какой диск является загрузочным) Boot Record передает загрузочные записи

GRUB-загрузчик

Разделы бывают основными или логическими.

Для того ,чтобы получить логический раздел, основной раздел нужно сделать расширенным