- •Фкл-16к
- •Обратное включение полупроводникового диода.
- •Опорные диоды (кремниевые стабилитроны). Механизмы пробоя p-n перехода.
- •Приборные характеристики стабилитронов:
- •Экспериментальная часть Аппаратная часть. Приборы и оборудование.
- •Программная часть. Подготовка к работе.
- •1.Connect usb
- •2.Press button
- •Порядок выполнения.
- •Проведение эксперимента.
- •1.Connect usb
- •2.Press button
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемая литература
- •Для свободного распространения, нпо «ТулаНаучПрибор»
- •Россия, г. Тула
Контрольные вопросы
1. В чем состоит принцип работы кремниевого стабилитрона? Какой вид пробоя р-п-перехода используется в этих приборах?
2. Почему в качестве материала для изготовления данного типа диодов используется кремний?
3. Расскажите о конструктивном оформлении, условном графическом обозначении и маркировке кремниевого стабилитрона.
4. Начертите и объясните схему включения кремниевого стабилитрона.
5. Нарисуйте ВАХ кремниевого стабилитрона и расскажите о физических процессах, определяющих форму характеристики на разных участках.
6. Укажите основные параметры кремниевого стабилитрона и поясните их физический смысл.
7. Расскажите о применении кремниевых стабилитронов в электронной аппаратуре.
8. Получите формулу для определения ширины запирающего слоя p-n перехода.
Рекомендуемая литература
Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Высшая школа, 1991.
Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.: Энергоатомиздат, 1990.
Прянишников В.А. Электроника: полный курс лекций. – С.-П.: Корона принт, 2004.
Андреев А.В., Горлов М.И. Основы электроники. – Р.-Д.: Феникс, 2003.
Бобровников Л.З. Электроника. – СПб: Питер, 2004.
Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника. – Р.-Д.: Феникс, 2002.
Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. М, Высшая школа, 1981
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.; Энергия, 1977.