3.1.2. Порядок и методика выполнения работы

3.1.2.1. Собрать схему (рис. 3.1.3.) и снять характеристики транзистора, устанавливая I_Б и U_КЭ в соответствии со значениями указанными в таблицах 3.1.1 и 3.1.2.

Рис. 3.1.3. Схема исследований характеристик транзистора.

Указания

Установка напряжений питания входной (U_ВХ) и выходной цепей (U_КЭ) транзистора осуществляется с помощью встроенных в стенд регулируемых источников постоянного напряжения «0 – 30В», а измерение этих напряжений осуществляется с помощью цифрового вольтметра В7-22а. Измерение тока базы I_Б и I_К производятся приборами Ц4311 и В7-22а. Допускается измерение тока с помощью одного прибора Ц4311, но при этом сначала устанавливается ток базы транзистора I_Б, при заданном напряжении U_КЭ, и фиксируется входное напряжение U_ВХ, а затем этим же прибором измеряется ток коллектора I_К при фиксированных значениях входного напряжения, соответствующих заданному току базы. Напряжение U_БЭ определяется расчетным путем по известным току I_Б, величине резистора R_Б(R₆) и напряжению U_ВХ.

Устанавливая ток базы и изменяя напряжениеU_КЭ согласно значениям, указанным в табл.3.1.1, снимите зависимость I_К(U_КЭ). Повторите эти измерения при каждом значении I_Б, указанном в таблице.

Таблица 3.1.1.

UКЭ, В

IБ = 20

IБ = 40

IБ = 60

IБ = 80

UВХ, В

UБЭ, В

IК, мА

UВХ, В

UБЭ, В

IК, мА

UВХ, В

UБЭ, В

IК, мА

UВХ, В

UБЭ, В

IК, мА

0

1

2

5

10

15

На рис. 3.1.4. постройте графики семейства выходных характеристик I_К(U_КЭ) и семейство характеристик обратной связи U_БЭ(U_КЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.

Установите U_КЭ = 0. Изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 3.1.2, снимите зависимость U_ВХ(I_Б). Расчетным путем определите U_БЭ и занесите значение в таблицу. Увеличьте напряжение U_КЭ до 5 В и снова снимите зависимость U_ВХ(I_Б), а также и I_К(I_Б). Повторите этот опыт также при U_КЭ = 15 В.

Таблица 3.1.2

IБ, μА	UКЭ = 0 В			UКЭ = 5 В			UКЭ = 15 В
	UВХ, В	UБЭ, В	IК, мА	UВХ, В	UБЭ, В	IК, мА	UВХ, В	UБЭ, В	IК, мА
0
5
10
20
50
80

На рис. 3.1.4. постройте графики входных I_Б(U_БЭ) и характеристик управления I_К(I_Б), указав для каждой кривой соответствующие значения U_КЭ.

Рис.3.1.4. Графики входных, выходных, характеристик управления и обратной связи транзистора.

2. Для схемы с общим эмиттером (ОЭ) рассчитать h – параметры: h_12Э , h_21Э, h_22Э.

По входной характеристике рассчитывается входное сопротивление

h_12Э = ,

по характеристикам управления – коэффициент усиления по току

h_21Э = ,

а по выходным характеристикам – выходное сопротивление

= .