- •Физические основы электроники
- •1 Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов
- •3 Литература
- •4 Схема исследования
- •2 Исследование влияния температуры
- •5Содержание отчета
- •3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Транзисторы, исследуемые в работе
- •4 Схемы исследования
- •5 Задание к работе в лаборатории
- •6 Указания к составлению отчета
- •4 Исследование статических характеристик и параметров мдп полевых транзисторов
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Транзисторы, исследуемые в работе
- •4 Схемы исследования
- •5 Задание к работе в лаборатории
- •6 Указания к составлению отчета
- •5 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
- •2 Подготовка к работе
- •3 Схемы исследования
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •5Содержание отчета
- •6 Исследование частотных свойств транзисторов
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Предельно-допустимые параметры исследуемого транзистора
- •4 Схема исследования
- •5 Указания к работе в лаборатории
- •6 Указания к составлению отчета
- •Физические основы электроники.
1 Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
Изучить следующие вопросы курса:
Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-nперехода.
Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов.
Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
Типы полупроводниковых диодов, их особенности и характеристики. Применение.
Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?
Объяснить образование электронно-дырочного перехода.
Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?
Чем определяется толщина p-nперехода?
Нарисовать потенциальную диаграмму p-nперехода при включении его в прямом и обратном направлениях?
Привести классификацию и пояснить систему обозначений полупроводниковых диодов.
Рассказать об особенностях устройства выпрямительных и высокочастотных диодов.
Сравнить теоретическую и реальную вольтамперную характеристики диода.
Сравнить вольтамперные характеристики диодов, изготовленных из Ge,SiиGaAs.
Нарисовать и объяснить характеристику стабилитрона. Показать на ней рабочий участок.
Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики диода для двух различных значений температуры.
Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики диода; указать участки, которые соответствуют состоянию электрического и теплового пробоя.
Перечислить основные параметры полупроводниковых диодов
( номинальные и предельные).
2.2.14. Дать определение дифференциальных параметров и пояснить их физический смысл.
2.2.15. Что такое барьерная и диффузионная емкости диода? Дать определение.
2.2.16. Объяснить принцип действия и особенности применения полупроводниковых диодов различных типов: выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов.
2.2.17. Нарисовать условные обозначения выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов и схемы их включения.
Какими способами можно увеличить допустимую мощность, рассеиваемую диодом?
3 Литература
Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.24-42.
Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. /Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 11-66.
Электронные приборы. /Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 12-43, 54-88, 97-129.
Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 29-85.
Справочники по полупроводниковым диодам.
Конспект лекций.
4 Схема исследования
На рисунках 1.1 и 1.2 приведены схемы для снятия вольтамперных характеристик диода. Необходимость использования двух схем для снятия прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики вызвана тем, что напряжение на диоде при прямом включении значительно меньше, чем при обратном. Поэтому используются разные источники напряжения G1иG2для снятия прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики. Для ограничения резкого изменения тока последовательно с источниками включен резисторR1.
Рис. 1.1. Схема для исследования вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении
Рис. 1.2. Схема для исследования вольт-амперных характеристик диодов при обратном включении
Отличие схем состоит также в том, что в первой схеме вольтметр подключен параллельно диоду, а во второй - источнику. Подключать вольтметр непосредственно к диоду во второй схеме не следует, так как ток, протекающий через вольтметр, соизмерим с обратным током диода и микроамперметр будет показывать сумму токов диода и вольтметра, давая большую погрешность.
Пределы измерения приборов следует выбирать с учетом максимально допустимых параметров исследуемых диодов.
На рисунке 1.3 приведена схема исследования диода на переменном токе. Источником переменного тока является генератор G, в качестве которого используется генератор Г3-111 или подобный. Форму подводимого напряжения, напряжения на диоде и на нагрузке наблюдают с помощью осциллографа.
Рис. 1.3. Схема для исследования однополупериодного выпрямителя
Задание к работе в лаборатории.
5.1. Выписать из справочника максимально допустимые параметры диодов IПР МАКС,UОБР МАКС, исследуемых в лаборатории, и занести их в таблицы 1 и 2, а также параметры стабилитронаUСТиIСТ МАКС , которые следует занести в таблицу 3.
5.2. Собрать схему для снятия вольтамперных характеристик диодов при прямом включении (рисунок 1.1). Пределы приборов рV1- в зависимости от типа диодов установить 0,51B, аpA1 - чтобы не превышал 0,5IПР МАКС.
5.3. Последовательно снять вольтамперные характеристики предложенных диодов. Результаты занести в таблицу 1. Пример таблицы приведен ниже.
Таблица 1а. Диод ... (Ge)IПР МАКС=... мА
-
UПР, В
IПР, мА
Таблица 1б. Диод ... (Si)IПР МАКС=... мА
-
UПР, В
IПР, мА
Таблица 1в. Стабилитрон ... (Si)IПР МАКС=... мА
-
UПР, В
IПР, мА
5.4. Собрать схему для снятия вольтамперных характеристик диодов при обратном включении (рисунок 1.2). Предел миллиамперметра pA1 установить 0,1 мА, а вольтметраpV1 - чтобы не превышал 0,5UОБР МАКС, но не более 50 В.
5.5. Снять вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов, результаты измерений занести в таблицу 2.
Таблица 2а. Диод ... UОБР МАКС= ... В
-
UОБР, В
IОБР, мкА
Таблица 2б. Диод ... UОБР МАКС=... В
-
UОБР, В
IОБР, мкА
5.6. Снять вольтамперную характеристику кремниевого стабилитрона. Для этого предел миллиамперметра pA1 установить 20-50 мА. Результаты занести в таблицу 3. Пример таблицы приведен ниже.
Таблица 3. Стабилитрон ... UСТ=... В,IСТ МАКС=... мА
-
UОБР, В
IОБР, мА
5.7. Исследоать германиевый диод на переменном токе. Для этого собрать схему (рисунок 1.3).
5.8. Зарисовать осциллограммы:
а) подводимого переменного напряжения от генератора U(t),
б) напряжения на диоде UD(t),
в) напряжения на нагрузке UR(t).
Указания к составлению отчета.
Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
Привести параметры, исследуемых диодов, взятые из справочника.
Привести таблицы с результатами измерений.
На графике №1 построить вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов, используя различный масштаб по осям напряжения и тока для прямого и обратного включений.
Рассчитать прямое сопротивление диодов по постоянному току при токе 10 мА и обратное сопротивление при напряжении 10 В. Сравнить сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
На графике №2 построить вольтамперные характеристики кремниевого стабилитрона. Указать участок стабилизации.
Привести осциллограммы подводимого напряжения, напряжений на диоде и на нагрузке. Осциллограммы строятся одна под другой с соблюдением масштаба времени.