- •Физические основы электроники
- •200 800, 200 900, 201 000, 201 100, 201 200, 201 400
- •Содержание
- •Введение
- •1 Основы теории электропроводности полупроводников
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.1.1 Полупроводники с собственной электропроводностью
- •1.1.2 Полупроводники с электронной электропроводностью
- •1.1.3 Полупроводники с дырочной электропроводностью
- •1.2 Токи в полупроводниках
- •1.2.1 Дрейфовый ток
- •1.2.2 Диффузионный ток
- •1.3 Контактные явления
- •1.3.2 Прямое включение p-n перехода
- •1.3.3 Обратное включение р-п-перехода
- •1.3.4 Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.5 Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.6 Емкости p-n перехода
- •1.4 Разновидности электрических переходов
- •1.4.1 Гетеропереходы
- •1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
- •1.4.3 Контакт металла с полупроводником
- •1.4.4 Омические контакты
- •1.4.5 Явления на поверхности полупроводника
- •2 Полупроводниковые диоды
- •2.1 Классификация
- •2.2 Выпрямительные диоды
- •2.3 Стабилитроны и стабисторы
- •2.4 Универсальные и импульсные диоды
- •2.5 Варикапы
- •3 Биполярные транзисторы
- •3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
- •3.1.1 Общие сведения
- •3.1.2 Физические процессы в бездрейфовом биполярном
- •3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов
- •3.2.1 Схема с общей базой
- •3.2.2 Схема с общим эмиттером
- •3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •3.4 Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
- •3.5 Частотные свойства биполярного транзистора
- •3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
- •3.7 Работа транзистора в усилительном режиме
- •3.8 Особенности работы транзистора в импульсном режиме
- •3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды
- •3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения
- •3.8.3 Переходные процессы при переключении транзистора
- •4 Полевые транзисторы
- •4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором
- •Литература
- •Физические основы электроники
3.5 Частотные свойства биполярного транзистора
Частотные свойства определяют диапазон частот синусоидального сигнала, в пределах которого прибор может выполнять характерную для него функцию преобразования сигнала. Принято частотные свойства приборов характеризовать зависимостью величин его параметров от частоты. Для биполярных транзисторов используется зависимость от частоты коэффициента передачи входного тока в схемах ОБ и ОЭ Н21Би Н21Э. Обычно рассматривается нормальный активный режим при малых амплитудах сигнала в схемах включения с ОБ и ОЭ.
В динамическом режиме вместо приращения токов необходимо брать комплексные амплитуды, поэтому и коэффициенты передачи заменяются комплексными (частотно зависимыми) величинами: Н21БиН21Э.
Величины Н21БиН21Эмогут быть найдены двумя способами:
-решением дифференциальных уравнений физических процессов и определением из них токов;
-анализом Т-образной эквивалентной схемы по законам теории электрических цепей.
Во втором случае Н21БиН21Эбудут выражены через величины электрических элементов схемы. Мы проведем анализ частотных свойств коэффициентов передачи, используя Т-образную линейную модель (эквивалентную схему)n-р-n транзистора (рисунки 3.10 и 3.11).
На частотные свойства БТ влияют СЭ, СКиrББ, а также время пролета носителей через базуБ.
Нет надобности рассматривать влияние на частотные свойства транзистора каждого элемента в отдельности. Совместно все эти факторы влияют на коэффициент передачи тока эмиттера Н21Б, который становится комплексным, следующим образом:
,(3.33 )
где Н21Б0- коэффициент передачи тока эмиттера на низкой частоте,f- текущая частота,fН21Б- предельная частота.
Модуль коэффициента передачи тока эмиттера равен:
( 3.34 ).
Не трудно заметить, что модуль коэффициента передачи Н21Бна предельной частотеfН21Бснижается враз.
Сдвиг по фазе между входным и выходным токами определяется формулой
. ( 3.35 )
Для схемы с ОЭ известно соотношение
( 3.36 ).
Подставляя (3.33) в (3.36) получим
(3.37),
где .
Модуль коэффициента передачи тока базы будет равен
(3.38).
Как видно, частотные свойства БТ в схеме ОЭ значительно уступают транзистору, включенному по схеме с ОБ.
Граничная частота fГР- это такая частота, на которой модуль коэффициента передачиН21Э=1. Из (3.38) получим, чтоfГРfН21ЭН21Э0.
Транзистор можно использовать в качестве генератора или усилителя только в том случае, если его коэффициент усиления по мощности КP1. Поэтому обобщающим частотным параметром являетсямаксимальная частота генерирования или максимальная частота усиления по мощности, на которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Связь этой частоты с высокочастотными параметрами определяется выражением
, ( 3.39 ).
где fН21Б-предельная частота в мегагерцах;r1ББ-объемное сопротивление в омах;CК-емкость коллекторного перехода в пикофарадах;fМАКС-в мегагерцах.
3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
Рассмотренное выше позволяет сделать следующие выводы. Для улучшения частотных свойств (повышение предельной частоты ) рекомендуется следующее.
1. Уменьшать время пролета инжектированных носителей в базовой области, т.е.
а) уменьшать ширину базовой области WБ;
б) создавать n-р-n транзисторы, так как подвижность электронов выше, чем у дырок, примерно в 2 раза;
в) использовать германиевые БТ, так как в германии подвижность носителей выше. Еще большие возможности открывает использование арсенида галлия.
Создавать ускоряющее поле в базовой области для инжектированных из эмиттера носителей. Последнее возникает при неравномерном распределении примесей в базе по направлению от эмиттера к коллектору (рисунок 3.12). Концентрацию около эмиттера делают примерно в 100 раз больше, чем около коллектора.
Рисунок 3.12 К образованию электрического поля в базе дрейфого БТ.
Появление поля объясняется просто. Так как концентрация основных носителей в любой точке базы (дырок n-р-n транзистора) приблизительно равна концентрации примесей в этой точке, то распределение примесей Na(х) одновременно будет и распределением дырокp(х). Под влиянием градиента концентрации дырок будет происходить их диффузионное движение к коллектору, приводящее к нарушению условия электрической нейтральности: около эмиттера будет избыток отрицательного заряда ионов акцепторов, а около коллектора - избыток положительного заряда дырок, которые приходят к коллекторному переходу, но не проходят через него.
Нарушение электрической нейтральности приводит к появлению внутреннего электрического поля в базовой области (минус у эмиттера, плюс у коллектора). Появляющееся поле, в свою очередь, вызовет встречное дрейфовое движение дырок. Нарастание поля и дрейфового потока будет происходить до того момента, когда дрейфовый и диффузионный токи дырок уравняются. Легко видеть, что установившееся (равновесное) значение поля будет ускоряющим для электронов, которые входят в рабочем режиме из эмиттера в базу и будут уменьшать их время пролета, т.е. повышать предельную частоту БТ.
Биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в базе, приводящим к появлению ускоряющего поля, называются дрейфовыми, а обычные - бездрейфовыми. Практически все современные высокочастотные и сверхвысокочастотные БТ являются дрейфовыми.
Уменьшение времени пролета в базовой области n-р-n транзистора при
экспоненциальном законе убывания концентрации акцепторов от Nа(0) доNа(WБ) учитывается коэффициентом неоднородности базы:
=0,5lnNА(0)/NА(WБ)
Поэтому [см. (5.93)] можно написать
Для бездрейфовых транзисторов=0 ,а типичные значения для дрейфовых транзисторов .
3. Уменьшать барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов путем уменьшения сечения областей транзистора и увеличения ширины переходов (выбором концентрации примесей и рабочего напряжения).
4. Уменьшать омическое сопротивление областей базы rББ.
5. Уменьшать время пролета носителей в области коллекторного перехода.
Следует отметить, что ряд требований несовместимы и необходимо при создании транзисторов применять компромиссные решения.