- •Методические руководтва к лабораторным работам по физическим основам элктроники. Факультет мтс. Поток мм, мо.
- •3 Литература
- •4 Схема исследования
- •4. Привести осциллограммы подводимого напряжения, напряжений на диоде и на нагрузке. Осциллограммы строятся одна под другой с соблюдением масштаба времени.
- •5 Содержание отчета
- •Работа №3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •Литература
- •3 Транзисторы, исследуемые в работе
- •4 Схемы исследования
- •5 Задание к работе в лаборатории
- •6 Указания к составлению отчета
- •Лабораторная работа №4.
- •Исследование статических характеристик
- •И параметров мдп полевых транзисторов
- •Распечатанный протокол заготовки отчета должен содержать титульный лист и пункты №1, 3, 4, 5. Методических указаний.
- •Работа №5. Исследование статических характеристик биполярного транзистора Часть №1. Схема об. Часть №2 Схема оэ.
- •2 Подготовка к работе
- •3 Схемы исследования
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •5 Содержание отчета
- •Лабораторная работа №6
- •Исследование частотных свойств
- •Транзисторов
- •Распечатанный протокол заготовки отчета должен содержать титульный лист и пункты №1, 3, 4, 5. Методических указаний.
- •5.3На графике № 2 построить зависимости н11б и н11э от частоты (рисунок 4.6). Рисунок 4.6
5 Содержание отчета
Отчет должен содержать ВАХ различных диодов, таблицы и графики зависимостей для всех трех типов диодов, полученные в результате исследования:
UПРОБ= f( T )
IОБР = f(T) UОБР = const
IПР = f( T ) UПР = const
IОБР = f( W ) T = const.
По каждому из графиков сделать необходимые выводы о влиянии температуры на характеристики и параметры диодов. В частности:
Оценить во сколько раз изменится обратный ток каждого из диодов при изменении температуры на 100 С.
Сравнить обратные токи различных диодов при одной температуре.
Работа №3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим
p-n ПЕРЕХОДОМ
1 Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом.
В работе снимаются передаточные (сток - затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.
2 Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.
Схемы включения ПТ.
Статические характеристики и параметры ПТ.
Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:
Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором.
Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.
Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов и структур.
Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n».
Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.
Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.
Литература
Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.
Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).
Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).
Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).
Конспект лекций.
3 Транзисторы, исследуемые в работе
В лабораторном макете предусмотрена возможность исследования полевых транзисторов любого типа и структуры. Конкретный тип исследуемого прибора указывает преподаватель.
Для заданного преподавателем типа ПТ пользуясь справочником, выписать предельно-допустимые значения IС МАКС, UСИ МАКС, UЗИ МАКС, PС МАКС. Привести рисунок внешнего вида ПТ с указанием выводов.
При установке в макет МДП транзисторов следует соблюдать меры предосторожности с целью исключения пробоя участка затвор-канал статическими зарядами электричества. Для этого перед монтажом производят закоротку выводов транзистора вблизи корпуса специальной перемычкой.
После сборки схемы перемычку убирают.