РАЗДАТОЧНЫЙ МАТЕРИАЛ

ПО КУРСУ

«ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПОЛУЗАКАЗНЫХ БИС»

(группы ЭКТ 54-55, 56м)

40 экз.

подготовила доц. каф. ИЭМС

ШИШИНА Л.Ю.

01.2000.

ПРЕОБРАЗОВАНИЕ СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ TY

ИСХОДНАЯ СХЕМА АСИНХРОННОГО СЧЕТЧИКА-ДЕЛИТЕЛЯ НА 10

3 3 3 3

x 4 15 x 4 x 4 x 4

Clk 15 15 15 DIV 10

x 1 U1 1 U2 1 U3 1 U4

16 16 16 16

2 2 2 2

V_CC

1

12 U5 2

13

МОДИФИЦИРОВАННАЯ СХЕМА

U20

3 3 3 3

x 4 15 x 4 x 4 x 4

Clk 15 15 15 DIV 10

x 1 U1 1 U2 1 U3 1 U4

16 16 16 16

2 2 2 2

V_CC

A

1

B 12 U5 2

13

СКАНИРУЕМЫЙ ПУТЬ

y Пвых y Пвых

_{о о х}

У1 о У1

^х

_{о о}

х У2 о х У2

х х

У_n-1 о ^о У_n-1

^{х 0 х}

^х

_х У_n ^{0 0} _х У_n

Пвх Пвх ⁰

М21

управление

сканированием

системный тактовый

импульс вход сканируемых

данных

системный тактовый импульс

Примечание: соединения в схемах только в местах со значком (х), М21 - обозначение схемы мультиплексора «2 в 1»

РЕАЛИЗАЦИЯ СХЕМ ПАМЯТИ НА БМК

ОЗУ

ДШ D C D C АШ1

D C D C АШ2

РШ1 РШ2

U_D

РШ p

C₁ p

C_ДШ n

С_ДШ(АШ)

С_РШ Q n

РШ(Q)

Q

D C

ПЗУ

D D

BO

^x

BO ^x

B1 ^x

B1 ^x

p _O p

U_DD

o

n n

B2 _x

B2 _x

B3 _x

B3 _x

x - программируемые контакты

1 ЭП ПЗУ занимает 3 БЯ БМК 1537,

СХЕМА ДЖИАКОЛЕТТО. УЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕННОГО ХАРАКТЕРА ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА.

К

r_Б1 С_К1 r_Бj C_Kj r_Бm C_Km

Б

С_Э1 r_Э1 ... С_эj r_Эj .... C_эm r_Эm _NU₁^’g_Э1 _Nu_j^’g_Эj _Nu_m^’g_Эm

^{-------- ------- -------}

U₁^’ 1-_N U_j^’ 1-_N U_m^’ 1-_N

Э

Б, Э, К - внешние узлы, 1,.. j,...m - внутренние узлы

МАТРИЦА ПРОВОДИМОСТЕЙ ТРАНЗИСТОРА

	Э	Б	К	1	2		j		m
Э	j(CЭ1+CЭ2+. .СЭm)+NgЭ			-jCЭ1 -NgЭ1	-jСЭ2 -NgЭ2		-jCэj -NgЭj		-jCэm -NgЭm
Б		gБ1		-gБ1
К	-NgЭ		j(СК1+ СК2+..СКm)	-jCK1 +NgЭ1	-jCK2 +NgЭ2		-jCKj +NgЭj		-jCKm +Ngm
1	-jCЭ1	-gБ1	-jCK1	gБ1+gБ2+j(CK1+CЭ1)	-gБ2
2	-jСЭ2		-jCK2	-gБ2	gБ2+gБ3 +j(CК2+CЭ2)
j	-jCэj		-jCKj
									-gБm
m	-jCЭm		-jCKm						gБm+j(CKm+CЭm)

Удельная емкость коллекторного перехода - это барьерная емкость, а для эмиттерного перехода необходимо учитывать барьерную и диффузионную емкость для определенной величины тока эмиттера.

БИПОЛЯРНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР.

Частный случай распределенной схемы.

R_Б С_.к К П

Б

С_П

С_Э

U^’

Э

Любую проводимость можно записать следующим образом:

где i, j - Э, Б, К, П. Можно рассчитать все коэффициенты и свести в матрицы:

[]

	Э	Б	К	П
Э	gЭ^*	-gЭ^*	0	0
Б	-(1-N)gЭ^*	(1-N)gЭ^*	0	0
К	-NgЭ^*	NgЭ^*	0	0
П	0	0	0	0

[]

	Э	Б	К	П
Э	CЭ^*(1-)	-СЭ(1-)+СК	-СК	0
Б	-CK-CЭ^*	СЭ^*+СК(1+)	-СК	0
К	СК-СЭ^*+СП	-СК(1+)-СП-СК+СЭ^*	СК(1+)+СП	СП
П	-СП	СП	-СП	СП

T3 T4 T7

T5 T6 T8

вх1 -U U₀₁ T9 i_вых

вх2

+U

R1 I₀ T11 R_н Uвых

T10

T12 T13 T14

R2 R2

-U

Пример схемы ОУ

Принципиальная схема ОУ типа 741 (Fairchild).

R1=1 K, R2=1 K, R3=50 K, R4=5 K, R5=40 K, R6=27 K, R7=22 K, R8=100 Ом, R9=50 K, R10=50 K, R11=50 K

+U

T14

T8 T9 T12 T13 T15

неинв.вход R6

T16 выход

T1 T2 инв.вход R5 T19 R7

T3 T4 T21

C=30пФ R10 T20

T7 300 Ом T16 T22

T5 T6 T16

T10 T11 T23

R1 R3 R2 R4 R9 R8 T24 R11

установка нуля -U

Программируемые матрицы логики (пмл)

8-разр. секция

1 2 3 4

X_i

Обр. Связи

1 1 1 1

a b

D Y₁

C

D Y₂

C

Z₁

Z₂

Clоск

PAL 4X8 , N = 10,8, M = 8, P = 0, секций 4.

Внешние входы X_i, внешние выходы -Y_1.2, шины Z_1.2 могут быть входными или выходными в зависимости от значений управляющих сигналов a и b на управляющем элементе .

Программируемый мультиплексор

M₂¹ M₂² M₂^t

1

2

S

C₀¹ C₁¹ C_q-1¹ C₀² C_q-1² C₀^t C_q-1^t

1

W₁ W₂ W_t

n

1 2 t

Программируемый мультиплексор

M₂¹ M₂² M₂^t

1

2

S

C₀¹ C₁¹ C_q-1¹ C₀² C_q-1² C₀^t C_q-1^t

1

W₁ W₂ W_t

n

1 2 t