- •Введение
- •1.Поверхностная обработка полупроводниковых материалов
- •1.1. Кремний - основной материал для полупроводниковых интегральных микросхем
- •Физические и механические свойства германия, кремния и арсенида галлия
- •1 Рис.1.2. Схематическое представление плоскостей с различными индексами Миллера в кубической решетке.2. Механическая обработка кремниевых пластин
- •Очистка поверхности пластин после механической обработки
- •Методы контроля чистоты поверхности пластин
- •1.3. Химическое травление кремния Кинетика травления кремния
- •Две теории саморастворения кремния
- •Зависимость скорости травления от свойств используемых материалов
- •Влияние примесей
- •Дефекты структуры полупроводника
- •Ориентация поверхности полупроводника
- •Концентрация компонентов травителя
- •Температура раствора
- •Химико-динамическая полировка
- •Анизотропное травление
- •Травление окисла и нитрида кремния
- •Промывка пластин в воде
- •Очистка пластин в растворах на основе перекиси водорода
- •1.4. Плазмохимическое травление кремния
- •Классификация процессов плазмохимического травления
- •Кинетика изотропного травления кремния
- •Образование радикалов в газоразрядной плазме
- •Взаимодействие радикалов с атомами материалов
- •Травление двуокиси и нитрида кремния
- •Факторы, влияющие на скорость пхт материалов
- •Анизотропия и селективность травления
1 Рис.1.2. Схематическое представление плоскостей с различными индексами Миллера в кубической решетке.2. Механическая обработка кремниевых пластин
Кремниевые слитки диаметром 100, 150, 200 мм режутся на пластины с помощью специальных дисков с алмазной абразивной кромкой. Перед резкой проводится ориентация слитков рентгеновским методом, чтобы поверхность пластин была параллельна нужной кристаллографической плоскости: (100) или (111).
После резки пластины подвергаются шлифовке и полировке. В результате шлифовки удаляется нарушенный при резке слитка слой на поверхности кристалла. Одновременно решаются задачи: получения плоскопараллельности сторон пластины; доведения толщины пластины до нужной величины; получения требуемой чистоты обработки поверхности пластины. Причем шлифовка в зависимости от требований производства может быть как двусторонней, так и односторонней. В процессе шлифовки, таким образом, формируются геометрические размеры пластины. Для уменьшения шероховатости поверхности и глубины нарушенного в кристалле слоя после шлифовки проводится полировка пластин. Она необходима только для обработки рабочей стороны пластины, т.е. стороны, на которой непосредственно создаются структуры элементов. Полировка осуществляется с использованием алмазной пасты и мелкодисперсных абразивов из окислов редкоземельных элементов с величиной зерна 0,1 - 0,3 мкм.
После любой из этих операций на поверхности полупроводника остается нарушенный слой, который существенным образом влияет как на дальнейшую технологическую обработку (травление, окисление), так и в конечном счете на параметры полупроводниковых приборов, особенно с мелкими (меньше 1 мкм) активными слоями. Поэтому контроль структуры нарушенного слоя и способы его удаления представляют важную задачу современной планарной технологии.
С
Рис.1.3.
Структура нарушенного при механической
обработке поверхностного слоя: 1 -
рельефный слой; 2 - микротрещины; 3 -
область скопления
дислокаций; 4 -
монокристалл
Очистка поверхности пластин после механической обработки
Очистка поверхности начинается с обработки пластин в органических растворителях. Как правило, нельзя ограничиться каким-либо одним из них, следует использовать последовательно несколько растворителей. При их выборе важно учитывать, что:
1) растворитель не должен реагировать с материалом подложки;
2) каждый последующий растворитель должен растворять предыдущий;
3) все растворители должны быть высокой степени чистоты.
Для очистки поверхности используются следующие растворители: трихлорэтилен (CHCl=CCl2), толуол (CH3C6H5), ацетон (CH3COCH3), четыреххлористый углерод (CCl4), этиловый спирт (C2H5OH) и др.
Наиболее эффективны кипячение в реактиве и очистка в потоке реактива.
Скорость растворения органических загрязнений увеличивается более чем на порядок величины, если растворитель нагревается от комнатной температуры до 70 С. Нагрев до более высоких температур может приводить к деструкции, разрушению растворителя, которое сопровождается выделением продуктов разложения, часто являющихся отравляющими веществами (например, фосген выделяется при деструкции трихлорэтилена).
Применение щеток и кистей увеличивает степень очистки поверхности от загрязнений, однако при этом возможны механические повреждения поверхности в виде царапин и сколов.
Эффективна очистка с помощью ультразвука. В этом случае пластины помещаются в ванну с растворителем, укрепленную на сердечнике магнитостриктора. При воздействии ультразвука в растворе образуются кавитационные пузырьки растворителя, которые с силой ударяют о поверхность пластин, удаляя загрязнения. Однако при ультразвуковой очистке пластины часто крошатся, особенно по краям.
Важнейшим требованием к растворителям является высокая степень их чистоты. Наличие в них малейших следов растворенных жиров и других примесей приводит к загрязнению поверхности пластин и снижению качества очистки.